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사이리스터 (12437)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 짐 짐 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 scrs, 수 다이오드
VS-25TTS16S2LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS16S2LHM3 1.9957
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25TTS16 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 800 150 MA 1.6kV 25 a 2 v 300A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 표준 표준
BTA316-800B0,127 NXP USA Inc. BTA316-800B0,127 -
RFQ
 ECAD 5206 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 TO-220AB 다운로드 귀 99 8541.30.0080 527 하나의 60 MA 기준 800 v 16 a 1.5 v 140a, 150a 50 MA
TIC106D-S Bourns Inc. TIC106D-S -
RFQ
 ECAD 5873 0.00000000 Bourns Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 TIC106 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 15,000 5 MA 400 v 5 a 1 v 30A @ 50Hz 200 µA 1.7 v 3.2 a 1 MA 민감한 민감한
VS-ST230C04C0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230C04C0 52.0358
RFQ
 ECAD 7499 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AB, A-PUK ST230 TO-200AB, A-PUK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 12 600 MA 400 v 780 a 3 v 5700A, 5970A 150 MA 1.69 v 410 a 30 MA 표준 표준
VS-25TTS08STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-25tts08strl-m3 2.1000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 25TTS08 to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 800 150 MA 800 v 25 a 2 v 350A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 10 MA 표준 표준
BTB06-600TWRG STMicroelectronics BTB06-600TWRG 1.5400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTB06 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 6 a 1.3 v 60a, 63a 5 MA
N2543ZD240 IXYS N2543ZD240 -
RFQ
 ECAD 1503 0.00000000 ixys - 상자 sic에서 중단되었습니다 - 섀시 섀시 TO-200AF N2543 W46 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 238-N2543ZD240 귀 99 8541.30.0080 6 2.4kV 32000a @ 50Hz 2543 a 표준 표준
MCO600-22IO1 IXYS MCO600-22IO1 249.4600
RFQ
 ECAD 6583 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y1-CU MCO600 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MCO60022IO1 귀 99 8541.30.0080 2 300 MA 2.2kV 928 a 2 v 15000A, 16000A 300 MA 600 a 1 scr
PK55FG80 SanRex Corporation PK55FG80 41.4000
RFQ
 ECAD 9196 0.00000000 Sanrex Corporation - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 4076-PK55FG80 귀 99 8541.30.0040 1 800 v 86 a 3 v 1190A, 1300A 50 MA 55 a 2 scrs
Q2025NH6TP Littelfuse Inc. Q2025NH6TP -
RFQ
 ECAD 4214 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 100 MA 대안 - 너버리스 스 200 v 25 a 1.3 v 208a, 250a 80 MA
Q8004L452 Littelfuse Inc. Q8004L452 -
RFQ
 ECAD 8513 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Q8004 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -Q8004L452 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 30 MA 기준 800 v 4 a 1.3 v 46A, 55A 25 MA
VVZ175-16IO7 IXYS VVZ175-16IO7 107.6400
RFQ
 ECAD 5993 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 PWS-E2 VVZ175 다리, 3 상 -Scrs/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5 200 MA 1.6kV 89 a 1.5 v 1500A, 1600A 100 MA 167 a 3 개의 scr, 3 개의 다이오드
C702CB Powerex Inc. C702CB -
RFQ
 ECAD 2020 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 클램프 클램프 TO-200AB, A-PUK C702 Press-Pak (Pow-R-Disc) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 3.2kV 1571 a 4.5 v 20500A, 21500A 200 MA 1.85 v 1000 a 150 MA 표준 표준
VS-VSKV71/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV71/08 45.0910
RFQ
 ECAD 5656 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKV71 일반적인 일반적인 - 양극 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKV7108 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 800 v 115 a 2.5 v 1300a, 1360a 150 MA 75 a 2 scrs
BT152-500RT,127 WeEn Semiconductors BT152-500RT, 127 1.2700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-220-3 BT152 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 50 60 MA 500 v 20 a 1.5 v 200a, 220a 32 MA 1.75 v 13 a 1 MA 표준 표준
Q4012LH2 Littelfuse Inc. Q4012LH2 -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Q4012 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -Q4012LH2 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 15 MA 대안 - 너버리스 스 400 v 12 a 1.3 v 110A, 120A 10 MA
IRKL71/16A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKL71/16A -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 2) IRKL71 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 1.6kV 165 a 2.5 v 1665a, 1740a 150 MA 75 a 1 scr, 1 다이오드
2N3093 Solid State Inc. 2N3093 28.0000
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Solid State Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 To-94 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-2N3093 귀 99 8541.10.0080 10 500 MA 800 v 110 a 2.5 v 1150A, 1200A 110 MA 1.85 v 70 a 5 MA 표준 표준
BCR2AS-14A-T13#B00 Renesas Electronics America Inc BCR2AS-14A-T13#B00 0.6431
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 BCR2 MP-3A 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.30.0080 3,000 하나의 논리 - 게이트 민감한 700 v 2 a 2 v 9A @ 50Hz 10 MA
NTE5482 NTE Electronics, Inc NTE5482 18.2000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-208AB, TO-64-3, 스터드 To-64 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5482 귀 99 8541.30.0000 1 30 MA 100 v 8 a 1.5 v 100A @ 60Hz 30 MA 2 v 10 µA 표준 표준
VS-VSKU41/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKU41/08 38.8290
RFQ
 ECAD 8933 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) vsku41 일반적인 일반적인 - 음극 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKU4108 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 800 v 70 a 2.5 v 850A, 890A 150 MA 45 a 2 scrs
BCR12KM-12LA-AS#X2 Renesas Electronics America Inc BCR12KM-12LA-AS#x2 1.2800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 1
Q8012NH5RP Littelfuse Inc. Q8012NH5RP 2.1417
RFQ
 ECAD 3658 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Q8012 TO-263 (D2PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 50 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 12 a 1.3 v 110A, 120A 50 MA
T1635H-8G STMicroelectronics T1635H-8G 1.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics Ecopack®2 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1635 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-T1635H-8G 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 35 MA 기준 800 v 16 a 1.3 v 160a, 168a 35 MA
SV6025L2QTP Littelfuse Inc. SV6025L2QTP 3.6400
RFQ
 ECAD 984 0.00000000 Littelfuse Inc. SV 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1024-SV6025L2QTP 귀 99 8541.30.0080 50 35 MA 600 v 25 a 1.5 v 300A, 350A 10 MA 1.6 v 16 a 10 µA 표준 표준
T1610H-6T STMicroelectronics T1610H-6T 1.4800
RFQ
 ECAD 650 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 T1610 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-13996-5 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 15 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 16 a 1.3 v 160a, 168a 10 MA
VS-VSKN41/16 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKN41/16 39.3720
RFQ
 ECAD 9591 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) vskn41 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKN4116 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.6kV 100 a 2.5 v 850A, 890A 150 MA 45 a 1 scr, 1 다이오드
EC103M1RP Littelfuse Inc. EC103M1RP 0.5124
RFQ
 ECAD 4939 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 EC103 To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -ec103m1rp 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 800 MA 800 MV 16A, 20A 12 µA 1.7 v 510 MA 1 µA 민감한 민감한
BTA08-700TWRG STMicroelectronics BTA08-700TWRG -
RFQ
 ECAD 2030 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BTA08 TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 497-4157-5 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 700 v 8 a 1.3 v 80a, 84a 5 MA
Q6012LH5 Littelfuse Inc. Q6012LH5 -
RFQ
 ECAD 3463 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Q6012 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1294-Q6012LH5 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 50 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 12 a 1.3 v 110A, 120A 50 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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