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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
C448PB	-	RFQ	5940	Powerex Inc.	-	대부분	쓸모없는	-	-	-			-	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준
Q6006DH3TP	1.2051	RFQ	9675	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	Q6006		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-q6006dh3tp	귀 99	8541.30.0080	750	하나의		15 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	6 a	1.3 v	55A, 65A	10 MA
IRKL41/04A	-	RFQ	2609	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKL41	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		400 v	100 a	2.5 v	850A, 890A	150 MA		45 a				1 scr, 1 다이오드
S2004DS2RP	-	RFQ	7424	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	2,500			6 MA		200 v	4 a	800 MV	25A, 30A	200 µA	1.6 v	2.5 a	2 µA	민감한 민감한
Q6040K7TP	10.9900	RFQ	2	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC	Q6040		TO-218 격리 8 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25	하나의		100 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	40 a	2 v	335A, 400A	100 MA
Z0103NN, 135	0.5000	RFQ	18	ween 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	Z0103		SC-73	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	4,000	하나의		7 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	1 a	1.3 v	8A, 8.5A	3 MA
TZ810N22KOFHPSA2	615.1200	RFQ	2	인피온 인피온	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	표면 표면	기준 기준	TZ810N22	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			500 MA		2.2kV	1500 a	2 v	-	250 MA		819 a				1 scr
L2006V6TP	-	RFQ	2113	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	6 a	1.3 v	50a, 60a	5 MA
VS-VSKT71/16	46.6660	RFQ	3178	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT71	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKT7116	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.6kV	165 a	2.5 v	1300a, 1360a	150 MA		75 a				2 scrs
VS-25TTS08FP-M3	5.3100	RFQ	9909	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	25TTS08		TO-220AB Full-Pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50			150 MA		800 v	25 a	2 v	270A @ 50Hz	45 MA	1.25 v	16 a	500 µA	표준 표준
BTA225-600BT, 127	0.9184	RFQ	1166	ween 반도체	-	튜브	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTA225		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	50	하나의		60 MA	기준	600 v	25 a	1.5 v	200a, 220a	50 MA
vkf55-08io7	-	RFQ	9226	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	fo-ta	vkf55	다리 다리, 단계 단일 - 모든 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		800 v		1.5 v	550A, 600A	100 MA		53 a				4 scrs
NSR352	-	RFQ	6872	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는							-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1
2N2325U4	-	RFQ	1639	Microsemi Corporation	-	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			U4	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1			2 MA		150 v		800 MV	-	200 µA	2.2 v	1.6 a	10 µA	민감한 민감한
VS-10RIA60	11.3275	RFQ	7824	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	10RIA60		TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100			130 MA		600 v	25 a	2 v	225A, 240A	60 MA	1.75 v	10 a	10 MA	표준 표준
S2025ntp	-	RFQ	3423	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500			50 MA		200 v	25 a	1.5 v	300A, 350A	35 MA	1.6 v	16 a	10 µA	표준 표준
C438pd	-	RFQ	4444	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C438		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준
K1500SRP	1.2700	RFQ	6	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		DO-214AA, SMB			DO-214	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500		1 a	150 MA											140 ~ 170V		10 µA
L412F	83.8780	RFQ	7892	sensata-crydom	엘	대부분	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		기준 기준		짐		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	10			100 MA		600 v	22 a	2.5 v	-	100 MA		100 a				2 개의 scr, 2 개의 다이오드
Q2006NH4TP	-	RFQ	1031	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	200 v	6 a	1.3 v	80a, 85a	35 MA
MCR12DCMT4	-	RFQ	1776	온세미	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MCR12		DPAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500			40 MA		600 v	12 a	1 v	100A @ 60Hz	20 MA		7.8 a		표준 표준
VS-ST330C08L0	122.4633	RFQ	1890	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AB, E-PUK	ST330		TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			600 MA		800 v	1230 a	3 v	9000A, 9420A	200 MA	1.9 v	650 a	50 MA	표준 표준
T9G0141003DH	-	RFQ	3231	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200 변형	T9G0141003	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.4kV	1590 a	3 v	15500a, 17000a	200 MA		1000 a				1 scr
TPDV1240RG	15.9600	RFQ	8053	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	상위 3	TPDV1240		상위 3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	30	하나의		50 MA	대안 - 너버리스 스	1.2kV	40 a	1.5 v	350A, 370A	200 MA
QK016NH4RP	2.7465	RFQ	9615	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	QK016		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		50 MA	대안 - 너버리스 스	1kv	16 a	1.3 v	167a, 200a	35 MA
Q8025K6TP	9.7300	RFQ	576	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC	Q8025		TO-218 격리 8 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	250	하나의		100 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	25 a	1.3 v	208a, 250a	80 MA
vwo60-08io7	-	RFQ	5029	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	vwo60	3 모든 모든 - 상 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		800 v	43 a	1.5 v	550A, 600A	100 MA		27 a				6 scrs
VSKL250-14D20	-	RFQ	1153	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-	섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKL250	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2			500 MA		1.4kV	555 a	3 v	8500A, 8900A	200 MA		250 a				1 scr, 1 다이오드
VSKH170-04	-	RFQ	2633	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-	섀시 섀시	3-MAGN-A-PAK ™	VSKH170	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2			500 MA		400 v	377 a	3 v	5100A, 5350A	200 MA		170 a				1 scr, 1 다이오드
S8055RTP	5.2000	RFQ	936	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220 침투화 비 된 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50			60 MA		800 v	55 a	1.5 v	550A, 650A	40 MA	1.8 v	35 a	20 µA	표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²