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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
S401eap	0.4918	RFQ	1715	Littelfuse Inc.	-	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드				-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-s401eap	귀 99	8541.30.0080	2,000			30 MA		400 v	1 a	1.5 v	25A, 30A	10 MA	1.6 v	640 MA	10 µA	표준 표준
VWO40-14IO7	-	RFQ	8649	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	vwo40	3 모든 모든 - 상 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			150 MA		1.4kV	29 a	1 v	400A, 450A	100 MA		18 a				6 scrs
T507047034AQ	-	RFQ	6322	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	T507047034		To-94	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					400 v	110 a	3 v	1200A @ 60Hz	150 MA	3.5 v	70 a	15 MA	표준 표준
F1857CCH400	-	RFQ	2461	sensata-crydom	F18	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		일반적인 일반적인 - scr/다이오드		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	5					400 v		3 v	1500A @ 60Hz	150 MA						1 scr, 1 다이오드
L6006v6	-	RFQ	3289	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-L6006V6	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	6 a	1.3 v	50a, 60a	5 MA
CQ220-8NR	-	RFQ	8084	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의		25 MA	내부적으로 내부적으로	800 v	8 a	1.5 v	-	25 MA
Z0103MA, 412	0.4300	RFQ	8	ween 반도체	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	Z0103		To-92-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	5,000	하나의		7 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	1 a	1.3 v	8A, 8.5A	3 MA
L4008L656	-	RFQ	3933	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 된 탭 탭, 형성 된 리드			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-L4008L656	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	8 a	1.3 v	65a, 85a	5 MA
VS-ST330S14P0	224.1617	RFQ	5205	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ae, to-118-4, 스터드	ST330		TO-209AE (TO-118)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	6			600 MA		1.4kV	520 a	3 v	9000A, 9420A	200 MA	1.52 v	330 a	50 MA	표준 표준
VS-VSKL71/14	40.8580	RFQ	2954	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKL71	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKL7114	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.4kV	165 a	2.5 v	1300a, 1360a	150 MA		75 a				1 scr, 1 다이오드
2N6397TG	1.6000	RFQ	2	Littelfuse Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3	2N6397		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-2N6397TG	귀 99	8541.30.0080	500			50 MA		400 v	12 a	1.5 v	100A @ 60Hz	30 MA	2.2 v		10 µA	표준 표준
VS-VSKT105/14	46.2060	RFQ	9805	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT105	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKT10514	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.4kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				2 scrs
BT138-600E, 127	1.0400	RFQ	397	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BT138		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	50	하나의		30 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	12 a	1.5 v	95a, 105a	10 MA
DB31	0.0268	RFQ	3300	diotec 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 100 ° C (TJ)		Do-204Ah, do-35, 축 방향			DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		2796-db31tr		8542.30.0000	10,000		2 a												30 ~ 34V		200 µA
Q2035RH5	-	RFQ	8342	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220 침투화 비 된 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		Q1527388	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		75 MA	대안 - 너버리스 스	200 v	35 a	2 v	290A, 350A	50 MA
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Q6004L3	-	RFQ	7667	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	Q6004		TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1294-Q6004L3	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		20 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	4 a	1.3 v	46A, 55A	10 MA
2N689	6.5000	RFQ	20	Solid State Inc.	-	상자	활동적인	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			To-48	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	2383-2N689	귀 99	8541.10.0080	10			50 MA		500 v	25 a	2 v	150A @ 60Hz	40 MA	2 v	16 a	2 MA	표준 표준
N2900QL020	-	RFQ	2362	ixys	-	상자	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 150 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, B-PUK	N2900		WP6	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	238-N2900QL020	귀 99	8541.30.0080	12			1 a		200 v	5520 a	3 v	30800A @ 50Hz	300 MA	1.47 v	2900 a	100 MA	표준 표준
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ACST8-8CG	-	RFQ	6813	stmicroelectronics	ASD ™	튜브	쓸모없는	-	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	ACST8		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		40 MA	기준	800 v	8 a	1.5 v	80a, 85a	30 MA
T1235H-600G-TR	-	RFQ	2049	stmicroelectronics	Snubberless ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	T1235		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	12 a	1.3 v	120a, 126a	35 MA
S4X8BSRP1	0.3201	RFQ	6146	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-243AA			SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-s4x8bsrp1	귀 99	8541.30.0080	1,000			5 MA		400 v	800 MA	800 MV	8A, 10A	200 µA	1.7 v	510 MA	3 µA	민감한 민감한
VS-16TTS16SPBF	-	RFQ	7959	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16TTS16		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vs16tts16spbf	귀 99	8541.30.0080	50			150 MA		1.6kV	16 a	2 v	170A @ 50Hz	60 MA	1.4 v	10 a	10 MA	표준 표준
VS-VSKH105/16	52.7450	RFQ	3520	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3)	vskh105	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKH10516	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.6kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				1 scr, 1 다이오드
VS-VSKL230-16PBF	212.2250	RFQ	7975	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak	VSKL230	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskl23016pbf	귀 99	8541.30.0080	2			500 MA		1.6kV	510 a	3 v	7500A, 7850A	200 MA		230 a				1 scr, 1 다이오드
Q8004L3TP	1.2628	RFQ	8492	Littelfuse Inc.	QXX04XX	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	Q8004		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	-1024-Q8004L3TP	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		20 MA	기준	800 v	4 a	1.3 v	46A, 55A	10 MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²