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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
L2004V5TP	-	RFQ	4029	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	4 a	1.3 v	33a, 40a	5 MA
L4008D8RP	0.7716	RFQ	1996	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-L4008D8RP	귀 99	8541.30.0080	2,500	하나의		20 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	8 a	1.3 v	65a, 85a	10 MA
IRKL56/04A	-	RFQ	7637	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKL56	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		400 v	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA		60 a				1 scr, 1 다이오드
BTA26-800BRG	6.1600	RFQ	585	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	상위 3 절연 개	BTA26		상위 3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	30	하나의		80 MA	기준	800 v	25 a	1.3 v	250A, 260A	50 MA
BTA204-600C/DG, 127	0.2400	RFQ	3	NXP USA Inc.	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드					귀 99	8541.30.0080	1,110	하나의		20 MA	기준	600 v	4 a	1.5 v	25a, 27a	35 MA
MCNA150P2200YA	115.7200	RFQ	8385	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	섀시 섀시	Y4-M6	MCNA150	시리즈 시리즈 - 연결 scr		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	238-MCNA150P2200YA	귀 99	8541.30.0080	6			200 MA		2.2kV	235 a	2 v	4300A, 4650A	150 MA		150 a				2 scrs
L2006v8	-	RFQ	9460	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-L2006v8	귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		20 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	6 a	1.3 v	50a, 60a	10 MA
K1500SRP	1.2700	RFQ	6	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		DO-214AA, SMB			DO-214	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500		1 a	150 MA											140 ~ 170V		10 µA
IRKT57/14A	-	RFQ	4673	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT57	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.4kV	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA		60 a				2 scrs
Q2008DH4TP	-	RFQ	4240	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		Q2008dh4	귀 99	8541.30.0080	750	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	200 v	8 a	1.3 v	80a, 85a	35 MA
CTA08-1200SWPT	-	RFQ	2535	sensata-crydom	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		15 MA	논리 - 게이트 민감한	1.2kV	8 a	1.3 v	80a, 84a	10 MA
vs-st183c08cfl0	71.9533	RFQ	9695	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AB, A-PUK	ST183		TO-200AB, A-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12			600 MA		800 v	690 a	3 v	4900A, 5130A	200 MA	1.8 v	370 a	40 MA	표준 표준
S2004VS1TP	-	RFQ	3085	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750			4 MA		200 v	4 a	800 MV	25A, 30A	50 µA	1.6 v	2.5 a	2 µA	민감한 민감한
Q4004F312	-	RFQ	6650	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2	Q4004		TO-202	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의		20 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	4 a	2 v	46A, 55A	10 MA
16TTS08FP	-	RFQ	5348	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	16TTS08		TO-220AB Full-Pak	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			100 MA		800 v	16 a	2 v	200a @ 50Hz	60 MA	1.4 v	10 a	500 µA	표준 표준
F1842CCH1000	-	RFQ	2665	sensata-crydom	F18	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		일반적인 일반적인 - scr/다이오드		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	5					1kv		3 v	1000A @ 60Hz	150 MA						1 scr, 1 다이오드
S6X8BS1RP	0.3680	RFQ	8617	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA			SOT-89	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-s6x8bs1rp	귀 99	8541.30.0080	1,000			5 MA		600 v	800 MA	800 MV	8A, 10A	5 µA	1.7 v	510 MA	3 µA	민감한 민감한
Q4015LTH	-	RFQ	7390	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	Q4015		TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의		70 MA	내부적으로 내부적으로	400 v	15 a		167a, 200a
NTE5512	15.1500	RFQ	10	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	-40 ° C ~ 100 ° C	구멍을 구멍을	TO-213AA, TO-66-2			To-66	다운로드	rohs 비준수			2368-NTE5512	귀 99	8541.30.0000	1			20 MA		400 v	5 a	2 v	60A @ 60Hz	15 MA		3.2 a		표준 표준
C52DX500	-	RFQ	3177	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C52		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준
MDMA900U1600PT-PC	249.9750	RFQ	3139	ixys	-	상자	활동적인	-	-	-	MDMA900	-		-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	238-MDMA900U1600PT-PC	귀 99	8541.30.0080	24								-							-
T727024864DN	-	RFQ	5124	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	SC-20, 스터드	T727024864		T-72	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					200 v	750 a	3 v	8000A @ 60Hz	150 MA	2.3 v	475 a	30 MA	표준 표준
VS-VSKN105/14	42.6570	RFQ	4475	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vskn105	일반적인 일반적인 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKN10514	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.4kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				1 scr, 1 다이오드
QJ6016RH6TP	4.1500	RFQ	1	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	QJ6016		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		70 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	16 a	1.3 v	167a, 200a	80 MA
T2851N52TS08PRQRXPSA1	-	RFQ	7769	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AF	T2851N	하나의		-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000539788	쓸모없는	0000.00.0000	1			350 MA		5.2kV	4680 a	2.5 v	82000a @ 50Hz	350 MA		4120 a				1 scr
CQ220I-8D	-	RFQ	5363	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1	하나의		25 MA	내부적으로 내부적으로	400 v	8 a	1.5 v	-	50 MA
TD92N12KOFHPSA1	-	RFQ	1680	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 130 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TD92N12	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	15			200 MA		1.6kV	160 a	1.4 v	2050a @ 50Hz	120 MA		104 a				1 scr, 1 다이오드
MCR22-6RLRAG	-	RFQ	6505	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	MCR22		TO-92 (TO-226)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,000			5 MA		400 v	1.5 a	800 MV	15A @ 60Hz	200 µA	1.7 v		10 µA	민감한 민감한
Z0409NF 1AA2	-	RFQ	1699	stmicroelectronics	-	가방	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-202 탭이 2	Z0409		TO-202-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	250	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	4 a	1.3 v	20A, 21A	10 MA
BCR10CM-12LA-1#B00	2.0500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인							-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²