RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
T9K7320903DH	-	RFQ	4701	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	T9K7320903		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준
S4010RS3TP	1.0026	RFQ	4050	Littelfuse Inc.	Teccor®	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			8 MA		400 v	10 a	800 MV	83A, 100A	500 µA	1.6 v	6.4 a	5 µA	민감한 민감한
T1081N60TOHXPSA1	-	RFQ	7473	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AF	T1081N	하나의		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	SP000091216	귀 99	8541.30.0080	1			350 MA		7kv	2040 a	2.5 v	35000A @ 50Hz	350 MA		1300 a				1 scr
BCR6AM-12LA-1#B00	1.0400	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인							-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.30.0080	290
2N692A	6.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	상자	활동적인	-	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			To-48	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	2383-2N692A	귀 99	8541.10.0080	10					800 v			-			25 a		-
T1330N20TOFVTXPSA1	-	RFQ	2836	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AC	T1330N	하나의		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			300 MA		2.2kV	2600 a	2.2 v	2650A @ 50Hz	250 MA		1330 a				1 scr
2N4168	6.6000	RFQ	20	Solid State Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AB, TO-64-3, 스터드			To-64	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	2383-2N4168	귀 99	8541.10.0080	10			30 MA		50 v	8 a	1.5 v	100A @ 60Hz	30 MA	2 v		10 µA	표준 표준
T700163004BY	-	RFQ	8507	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209 변형	T700163004		TO-209 변형	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.6kV	470 a	3 v	7700A, 8400A	150 MA	1.6 v	300 a	30 MA	표준 표준
CS65-70pb	-	RFQ	7335	Central Semiconductor Corp	CS65-70B	상자	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AC, TO-65-3, 스터드			To-65	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		1514-CS65-70PB	쓸모 쓸모		100			200 MA		1.2kV	63 a	3 v	1000A @ 60Hz	100 MA	3 v	40 a	6 MA	표준 표준
SJ6016RTP	2.8300	RFQ	595	Littelfuse Inc.	SJ	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	SJ6016		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			75 MA		600 v	16 a	1.5 v	188a, 225a	30 MA	1.6 v	10 a	10 µA	표준 표준
jantxv2n2326au4	-	RFQ	6663	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/276	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	3-smd,, 없음			U4	-	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1			2 MA		200 v		600 MV	15A @ 60Hz	20 µA			10 µA	표준 표준
T1605G-6I	1.5900	RFQ	1	stmicroelectronics	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	T1605		to-220Ab 단열	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지	497-T1605G-6I	귀 99	8541.30.0080	50	하나의		5 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	16 a	1.3 v	140A @ 50Hz	5 MA
MCD225-18IO1	145.6233	RFQ	5357	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	섀시 섀시	Y1-CU	MCD225	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			150 MA		1.8 kV	400 a	2 v	8000A, 8500A	150 MA		221 a				1 scr, 1 다이오드
VCK105-08IO7	-	RFQ	3962	ixys	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Eco-PAC2	VCK105	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25			200 MA		800 v	180 a	1.5 v	2250A, 2400A	150 MA		105 a				2 scrs
K2000GHAP	0.6574	RFQ	9849	Littelfuse Inc.	-	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		DO-204AC, DO-15, 축 방향			DO-15	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	-K2000GHAP	귀 99	8541.30.0080	2,000		1 a	150 MA											190 ~ 215V		50 µA
VS-ST330S08P1	182.6250	RFQ	6575	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ae, to-118-4, 스터드	ST330		TO-209AE (TO-118)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSST330S08P1	귀 99	8541.30.0080	6			600 MA		800 v	520 a	3 v	7570A, 7920A	200 MA	1.52 v	330 a	50 MA	표준 표준
DB4	0.4300	RFQ	22	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		Do-204Ah, do-35, 축 방향	DB4		DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5,000		2 a												35 ~ 45V		50 µA
X00602MN5BA4	-	RFQ	7806	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	x00602		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	3 (168 시간)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			5 MA		600 v	800 MA	800 MV	9A, 10A	200 µA	1.35 v	500 MA	1 µA	민감한 민감한
NTE5415	2.4200	RFQ	2	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			TO-126	다운로드	Rohs3 준수			2368-NTE5415	귀 99	8541.30.0000	1			5 MA		400 v		1 v	25a, 35a	200 µA	2.2 v	2.6 a	10 µA	민감한 민감한
TDB6HK165N16LOFHOSA1	-	RFQ	7985	인피온 인피온	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다				TDB6HK165			-	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8542.39.0001	3
CLB40I1200PZ-TUB	3.6314	RFQ	6486	ixys	CLB40I1200PZ	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CLB40		TO-263HV	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	238-CLB40I1200PZ-TUB	귀 99	8541.30.0080	50			70 MA		1.2kV	63 a	1.7 v	520A, 560A	30 MA	1.3 v	40 a		표준 표준
Q4025R5TP	1.7662	RFQ	2788	Littelfuse Inc.	qxx25xx	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	Q4025		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		100 MA	기준	400 v	25 a	1.3 v	167a, 200a	50 MA
VS-VSKU56/14	41.4050	RFQ	2386	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vsku56	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKU5614	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.4kV	95 a	2.5 v	1200A, 1256A	150 MA		60 a				2 scrs
BTB08-800CWRG	0.4337	RFQ	6586	stmicroelectronics	Snubberless ™	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTB08		TO-220	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	497-BTB08-800CWRG	귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	8 a	1.2 v	80a, 84a	35 MA
T507064084AQ	-	RFQ	1982	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	T507064084		To-94	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					600 v	63 a	3 v	1000A @ 60Hz	150 MA	4.2 v	40 a	15 MA	표준 표준
TA20221603DH	-	RFQ	4925	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AE 변형	TA20221603	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					2.2kV	2500 a	4.5 v	26900A, 29500A	200 MA		1600 a				1 scr
VS-VSKU26/14	37.6690	RFQ	1392	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vsku26	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKU2614	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.4kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a				2 scrs
T720104504DN	-	RFQ	5728	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	클램프 클램프	TO-200AC, B-PUK	T720104504	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1kv	700 a	3 v	7650A, 8400A	150 MA		450 a				1 scr
BTA312B-800ET, 118	1.2000	RFQ	5	ween 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	BTA312		D2PAK	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	800	하나의		15 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	12 a	1.5 v	95a, 105a	10 MA
BT131W-600,135	0.1232	RFQ	5561	ween 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	BT131		SC-73	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	4,000	하나의		5 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	1 a	1.5 v	12.5A, 13.8A	3 MA

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²