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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
CQ3P-40B	-	RFQ	7387	Central Semiconductor Corp	*	튜브	쓸모없는							다운로드		공급 공급 정의되지 업체는			쓸모없는	0000.00.0000	1
BT134-800,127	0.2357	RFQ	1733	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	SOT-82	BT134		SOT-82-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		15 MA	기준	800 v	4 a	1.5 v	25a, 27a	35 MA
C380D	-	RFQ	8957	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	TO-200AB, A-PUK	C380		Press-Pak (Pow-R-Disc)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					400 v	400 a	3 v	3200A, 3500A	150 MA	2.85 v	250 a	20 MA	표준 표준
CLA110MB1200NA	25.0300	RFQ	6	ixys	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시, 마운트 스터드	SOT-227-4, 미니 블록	CLA110	1 모든 모든 - 상 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			100 MA		1.2kV	110 a	1.5 v	1100A, 1190A	40 MA		50 a				2 scrs
ACTT10-800CQ	0.4219	RFQ	8170	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	ACTT10		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		93406798127	귀 99	8541.30.0080	50	하나의		55 MA	기준	800 v	10 a	1.2 v	90a, 99a	35 MA
VSKT430-20	-	RFQ	6206	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	Super Magn-A-Pak	VSKT430	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			500 MA		2kv	675 a	3 v	15700A, 16400A			430 a				2 scrs
CTA16-1200B	-	RFQ	2366	sensata-crydom	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	250	하나의		50 MA	기준	1.2kV	16 a	1.3 v	160a, 168a	50 MA
ACS120-7SB-TR	1.3400	RFQ	2	stmicroelectronics	ASD ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-30 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	ACS120		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500	하나의		45 MA	논리 - 게이트 민감한	700 v	2 a	1 v	20a, 11a	10 MA
Q6025P5	-	RFQ	7333	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-25 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	FASTPAK, TO-3베이스	Q6025		TO-3/TO-239 (FASTPAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	160	하나의		50 MA	기준	600 v	25 a	1.3 v	220A, 250A	50 MA
bcr5lm-12lb#b00	-	RFQ	5485	Renesas Electronics America Inc	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	BCR5		TO-220FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	BCR5LM12LBB00	귀 99	8541.30.0080	1	하나의			기준	600 v	5 a	1.5 v	50a @ 60Hz	20 MA
TD162N12KOFHPSA1	-	RFQ	8694	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TD162N	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	8			200 MA		1.6kV	260 a	2 v	5200A @ 50Hz	150 MA		162 a				1 scr, 1 다이오드
CQ218I-40N	-	RFQ	4454	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3			TO-218	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	1	하나의		80 MA	기준	800 v	40 a	1.5 v	300A @ 100Hz	50 MA
MMO90-14IO6	35.8900	RFQ	2550	ixys	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-4, 미니 블록	MMO90	1 모든 모든 - 상 scr		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			100 MA		1.4kV	60 a	1.5 v	500A, 440A	100 MA		38 a				2 scrs
T72H0835B4DN	-	RFQ	8389	Powerex Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	SC-20, 스터드			T-72	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	4					800 v	550 a	3 v	7000A @ 60Hz	150 MA	3.15 v	350 a	35 MA	표준 표준
BTA312X-800CT/L01Q	0.3966	RFQ	6864	ween 반도체	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	BTA312		TO-220F	다운로드					귀 99	8541.30.0080	600	하나의		35 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	12 a	1 v	100A, 110A	35 MA
S4070WTP	8.3000	RFQ	224	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-218X-3			TO-218X	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25			80 MA		400 v	70 a	2 v	800A, 950A	50 MA	1.8 v	45 a	20 µA	표준 표준
VS-40TTS12HM3	2.7600	RFQ	970	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	40TTS12		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50			100 MA		1.2kV	40 a	1.3 v	350A @ 50Hz	35 MA	1.6 v	25 a	500 µA	표준 표준
2N5168	6.5000	RFQ	50	Solid State Inc.	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 100 ° C (TJ)	스터드 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드			To-48	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는	2383-2N5168	귀 99	8541.10.0080	10			50 MA		50 v	20 a	1.5 v	240A	40 MA	50 v		5 MA	표준 표준
SJ6004VS2TP	0.9720	RFQ	8609	Littelfuse Inc.	SJ	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA	SJ6004		TO-251AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750			6 MA		600 v	4 a	800 MV	25A, 30A	200 µA	1.6 v	2.56 a	5 µA	민감한 민감한
K2500E70	1.3500	RFQ	8	Littelfuse Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)			To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	-1024-K2500E70	귀 99	8541.30.0080	2,000		1 a	150 MA											240 ~ 280V		10 µA
VS-VSKT26/16	39.8650	RFQ	5226	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKT26	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKT2616	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.6kV	60 a	2.5 v	400A, 420A	150 MA		27 a				2 scrs
Z0103NA 5AL2	-	RFQ	3087	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	Z0103		To-92-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의		7 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	1 a	1.3 v	8A, 8.5A	3 MA
MCO600-22IO1	249.4600	RFQ	6583	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	섀시 섀시	Y1-CU	MCO600	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MCO60022IO1	귀 99	8541.30.0080	2			300 MA		2.2kV	928 a	2 v	15000A, 16000A	300 MA		600 a				1 scr
DB31	0.0268	RFQ	3300	diotec 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-50 ° C ~ 100 ° C (TJ)		Do-204Ah, do-35, 축 방향			DO-35	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할		2796-db31tr		8542.30.0000	10,000		2 a												30 ~ 34V		200 µA
T680N14TOFXPSA1	-	RFQ	9523	인피온 인피온	-	쟁반	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	클램프 클램프	DO-200AA, A-PUK	T680N	하나의		-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			300 MA		1.4kV	1250 a	2.2 v	11000A @ 50Hz	250 MA		681 a				1 scr
TZ600N12KOFHPSA1	-	RFQ	2881	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 135 ° C	섀시 섀시	기준 기준	TZ600N12	하나의		다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			300 MA		1.2kV	1050 a	2.2 v	17a @ 50Hz	250 MA		669 a				1 scr
B522-2T	49.0250	RFQ	6436	sensata-crydom	B-2T	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	B522	짐		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	10					600 v		2.5 v	250A @ 60Hz	60 MA						2 개의 scr, 2 개의 다이오드
NTE5558	11.6000	RFQ	112	NTE Electronics, Inc	-	가방	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220	다운로드	Rohs3 준수			2368-NTE5558	귀 99	8541.10.0080	1			40 MA		800 v	25 a	1.5 v	300A, 350A	40 MA	1.8 v	16 a	10 µA	표준 표준
VS-VSKL105/16	44.6410	RFQ	8874	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKL105	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskl10516	귀 99	8541.30.0080	10			250 MA		1.6kV	235 a	2.5 v	2000a, 2094a	150 MA		105 a				1 scr, 1 다이오드
DT250N2518KOFHPSA1	-	RFQ	1859	인피온 인피온	-	대부분	쓸모없는	125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			300 MA		2.5kV	410 a	2 v	9100A @ 50Hz	200 MA		250 a				1 scr, 1 다이오드

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²