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사이리스터 (12437)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 구조 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 현재 -홀드 (ih) (최대) | 트리 트리 유형 | 전압 - 상태 꺼짐 | 현재- it (it (rms)) (max) | 짐 | 짐 | 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) | 전압 -상태 (vtm) (최대) | 현재- it (it (av)) (max) | Current -Off State (Max) | scr 유형 | scrs, 수 다이오드 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | STT800N18P55XPSA1 | - |  | 7409 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | 2156-STT800N18P55XPSA1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | MCR8SMG | 0.5200 | | 725 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 110 ° C | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 6 MA | 600 v | 8 a | 1 v | 80A @ 60Hz | 200 µA | 1.8 v | 10 µA | 민감한 민감한 | |||||||||||
 | BTA216-600B, 127 | - | | 1378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | TO-220AB | 다운로드 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 하나의 | 60 MA | 기준 | 600 v | 16 a | 1.5 v | 140a, 150a | 50 MA | ||||||||||||
 | Z0103NA, 412 | 0.1150 | | 1068 | 0.00000000 | ween 반도체 | - | 대부분 | 활동적인 | 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 | Z0103 | To-92-3 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 하나의 | 7 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 800 v | 1 a | 1.3 v | 8A, 8.5A | 3 MA | |||||||||
| CD421290C | - | | 9395 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 기준 기준 | CD421290 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | 100 MA | 1.2kV | 141 a | 2.5 v | 2000a @ 50Hz | 100 MA | 90 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||
 | SST24A-800CW | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | smc 다이오드 솔루션 | SST24 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | SST24 | TO-220AINS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 50 | 하나의 | 50 MA | 기준 | 800 v | 25 a | 1.3 v | 250A @ 50Hz | 35 MA | ||||||||
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 | VS-VSKH170-16PBF | 180.2450 | | 4213 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Magn-A-Pak (3) | VSKH170 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKH17016PBF | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 400 v | 377 a | 3 v | 5100A, 5350A | 200 MA | 170 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||
| SST08C-800BW | - | | 9088 | 0.00000000 | smc 다이오드 솔루션 | - | 튜브 | 활동적인 | SST08 | - | 1655-SST08C-800BW | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| QV6012NH5RP | 3.3300 | | 6334 | 0.00000000 | ixys | qvxx12xhx | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | TO-263 (D2PAK) | - | 3 (168 시간) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 500 | 하나의 | 50 MA | 논리 - 게이트 민감한 | 600 v | 12 a | 1.2 v | 140a, 153a | 50 MA | |||||||||||
 | VS-VSKT170-14PBF | 179.8200 | | 8617 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Magn-A-Pak | VSKT170 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKT17014PBF | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 1.4kV | 377 a | 3 v | 5100A, 5350A | 200 MA | 170 a | 2 scrs | |||||||
| VS-VSKT56/10 | 40.4210 | | 8291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | VSKT56 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKT5610 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1kv | 135 a | 2.5 v | 1200A, 1256A | 150 MA | 60 a | 2 scrs | |||||||
| VS-VSKU56/12 | 40.0080 | | 2203 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3 + 4) | vsku56 | 일반적인 일반적인 - 음극 scr | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKU5612 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 200 MA | 1.2kV | 95 a | 2.5 v | 1200A, 1256A | 150 MA | 60 a | 2 scrs | |||||||
| VS-ST280CH04C1 | 76.2842 | | 3627 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | TO-200AB, A-PUK | ST280 | TO-200AB, A-PUK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSST280CH04C1 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 12 | 600 MA | 400 v | 960 a | 3 v | 6000A, 6300A | 150 MA | 1.35 v | 500 a | 75 MA | 표준 표준 | |||||
| VS-50RIA100M | 30.7454 | | 7873 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | TO-208AC, TO-65-3, 스터드 | 50RIA100 | TO-208AC (TO-65) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS50RIA100M | 귀 99 | 8541.30.0080 | 100 | 200 MA | 1kv | 80 a | 2.5 v | 1200A, 1255A | 100 MA | 1.6 v | 50 a | 15 MA | 표준 표준 | |||||
 | Q4008R4 | - | | 9432 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | - | 대부분 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | Q4008 | TO-220 침투화 비 된 탭 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | -Q4008R4 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 500 | 하나의 | 50 MA | 기준 | 400 v | 8 a | 1.3 v | 83A, 100A | 25 MA | ||||||||
| N2900QL020 | - | | 2362 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 150 ° C | 섀시 섀시 | TO-200AB, B-PUK | N2900 | WP6 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-N2900QL020 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 12 | 1 a | 200 v | 5520 a | 3 v | 30800A @ 50Hz | 300 MA | 1.47 v | 2900 a | 100 MA | 표준 표준 | |||||
 | T1235H-600G-TR | - | | 2049 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Snubberless ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | T1235 | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 하나의 | 35 MA | 대안 - 너버리스 스 | 600 v | 12 a | 1.3 v | 120a, 126a | 35 MA | ||||||||
 | PD40FG160 | 39.5900 | | 3724 | 0.00000000 | Sanrex Corporation | - | 쟁반 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 4076-PD40FG160 | 귀 99 | 8541.30.0040 | 1 | 1.6kV | 62 a | 3 v | 870a, 950a | 50 MA | 40 a | 1 scr, 1 다이오드 | ||||||||||
| VS-VSKL230-16PBF | 212.2250 | | 7975 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Magn-A-Pak | VSKL230 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | vsvskl23016pbf | 귀 99 | 8541.30.0080 | 2 | 500 MA | 1.6kV | 510 a | 3 v | 7500A, 7850A | 200 MA | 230 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||
| VS-VSKH105/16 | 52.7450 | | 3520 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | Add-A-Pak (3) | vskh105 | 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSVSKH10516 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 250 MA | 1.6kV | 235 a | 2.5 v | 2000a, 2094a | 150 MA | 105 a | 1 scr, 1 다이오드 | |||||||
 | 2N689 | 6.5000 | | 20 | 0.00000000 | Solid State Inc. | - | 상자 | 활동적인 | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 스터드 스터드 | TO-208AA, TO-48-3, 스터드 | To-48 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 2383-2N689 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10 | 50 MA | 500 v | 25 a | 2 v | 150A @ 60Hz | 40 MA | 2 v | 16 a | 2 MA | 표준 표준 | ||||||
| AC03FGM (9) -AZ | 0.7700 | | 37 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 대부분 | 활동적인 | - | 적용 적용 수 할 | 1 (무제한) | 공급 공급 정의되지 업체는 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||
| STT0019 | - | | 5920 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 대부분 | 쓸모없는 | - | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | SV6012N1QTP | 1.4209 | | 4896 | 0.00000000 | Littelfuse Inc. | SV | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | To-263 (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 18-SV6012N1QTP | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 22 MA | 600 v | 12 a | 1.5 v | 100A, 120A | 6 MA | 1.6 v | 7.6 a | 10 µA | 민감한 민감한 | ||||||
| K2325TJ650 | - | | 7315 | 0.00000000 | ixys | - | 상자 | sic에서 중단되었습니다 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시 섀시 | TO-200AF | K2325 | W81 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 238-K2325TJ650 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 6 | 1 a | 6.5kV | 4625 a | 3 v | 36300A @ 50Hz | 300 MA | 4.2 v | 2380 a | 200 MA | 표준 표준 | |||||
| T9K7280803DH | - | | 7619 | 0.00000000 | Powerex Inc. | - | 대부분 | 활동적인 | - | - | - | T9K7280803 | - | - | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.30.0080 | 1 | - | 표준 표준 | |||||||||||||||
| CS48-35D | - | | 8779 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 125 ° C | 섀시, 마운트 스터드 | TO-208AA, TO-48-3, 스터드 | To-48 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 쓸모없는 | 0000.00.0000 | 1 | 100 MA | 400 v | 35 a | 1.5 v | 330a @ 100Hz | 40 MA | 2.3 v | 20 µA | 표준 표준 | ||||||||
 | VS-P104 | 36.3560 | | 9807 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 8-pace-pak | P104 | 짐 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VSP104 | 귀 99 | 8541.30.0080 | 10 | 130 MA | 1kv | 2 v | 357a, 375a | 60 MA | 2 개의 scr, 2 개의 다이오드 | |||||||||
 | MT90C16T1D | 26.0890 | | 1 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 대부분 | 활동적인 | -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 기준 기준 | 시리즈 시리즈 - 연결 scr | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-MT90C16T1D | 귀 99 | 10 | 250 MA | 1.6kV | 3 v | 2000a @ 50Hz | 150 MA | 90 a | 2 scrs |
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