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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
IRKT136/04	-	RFQ	3712	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 4)	IRKT136	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			200 MA		400 v	300 a	2.5 v	3200A, 3360A	150 MA		135 a				1 scr, 1 다이오드
VS-50RIA40	18.5100	RFQ	100	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AC, TO-65-3, 스터드	50RIA40		TO-208AC (TO-65)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100			200 MA		400 v	80 a	2.5 v	1430a, 1490a	100 MA	1.6 v	50 a	15 MA	표준 표준
BTA45-800BQ	3.3000	RFQ	2	ween 반도체	-	튜브	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	BTA45		to-3p	다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할		934660059127	귀 99	8541.30.0080	30	하나의		80 MA	기준	800 v	45 a	1.3 v	450A, 495A	70 MA
K2200F23RP	-	RFQ	8333	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) (형성 된 리드)			To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	700		1 a	150 MA											205 ~ 230V		10 µA
Q8010RH2TP	2.7200	RFQ	1	Littelfuse Inc.	qxx10xhx	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	Q8010		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		10 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	10 a	1.3 v	110A, 120A	5 MA
EC103M3AP	0.4307	RFQ	2457	Littelfuse Inc.	-	테이프 & t (TB)	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	EC103		To-92	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-ec103m3ap	귀 99	8541.30.0080	2,000			5 MA		600 v	800 MA	800 MV	16A, 20A	50 µA	1.7 v	510 MA	1 µA	민감한 민감한
F1892DH400	-	RFQ	5717	sensata-crydom	F18	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5					400 v		3 v	1950a @ 60Hz	150 MA						1 scr, 1 다이오드
IRKT57/16A	-	RFQ	6026	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	IRKT57	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		1.6kV	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA		60 a				2 scrs
VS-VSKV56/04	38.5850	RFQ	7085	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKV56	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKV5604	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		400 v	95 a	2.5 v	1200A, 1256A	150 MA		60 a				2 scrs
VS-22RIA80	18.3900	RFQ	94	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	22RIA80		TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100			130 MA		800 v	35 a	2 v	400A, 420A	60 MA	1.7 v	22 a	10 MA	표준 표준
VS-T50RIA60	30.6340	RFQ	3923	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	D-55 T- 5	T50	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		600 v	80 a	2.5 v	1310a, 1370a	100 MA		50 a				1 scr
BT150-500R, 127	0.7100	RFQ	986	ween 반도체	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3	BT150		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	50			6 MA		500 v	4 a	1.5 v	35a, 38a	200 µA	1.8 v	2.5 a	500 µA	민감한 민감한
BTA312Y-600C, 127	1.2900	RFQ	5	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	BTA312		TO-220AB	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		35 MA	기준	600 v	12 a	1.5 v	100A, 110A	35 MA
VS-10RIO80	12.3728	RFQ	9917	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-208AA, TO-48-3, 스터드	10RIA80		TO-208AA (TO-48)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100			130 MA		800 v	25 a	2 v	225A, 240A	60 MA	1.75 v	10 a	10 MA	표준 표준
VS-ST700C18L0	159.9367	RFQ	1319	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AC, B-PUK	ST700		TO-200AC, B-PUK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	3			600 MA		1.8 kV	1857 a	3 v	15700A, 16400A	200 MA	1.8 v	910 a	80 MA	표준 표준
Q2006N4TP	-	RFQ	5646	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의		50 MA	기준	200 v	6 a	1.3 v	65a, 80a	25 MA
BTA10-700BRG	-	RFQ	6559	stmicroelectronics	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	BTA10		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		50 MA	기준	700 v	10 a	1.3 v	100A, 105A	50 MA
VS-VSKH230-12PBF	195.8300	RFQ	8716	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 130 ° C (TJ)	섀시 섀시	Magn-A-Pak (3)	VSKH230	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsvskh23012pbf	귀 99	8541.30.0080	2			500 MA		1.2kV	510 a	3 v	7500A, 7850A	200 MA		230 a				1 scr, 1 다이오드
CM531613	-	RFQ	6501	Powerex Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Pow-R-Blok ™ ok		시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.6kV	205 a	3 v	2365A, 2600A	100 MA		130 a				2 scrs
M252511FV	-	RFQ	5087	sensata-crydom	-	대부분	쓸모없는	-	섀시 섀시	기준 기준		짐		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			75 MA		300 v		2.5 v	300A @ 60Hz	50 MA						2 개의 scr, 2 개의 다이오드
MCC501-16IO2	-	RFQ	6663	ixys	-	쟁반	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	WC-501	MCC501	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	4					1.6kV			14500A @ 50Hz							2 scrs
VS-180RKI80	72.3967	RFQ	2136	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ab, to-93-4, 스터드	180RKI80		TO-209AB (TO-93)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	12			600 MA		800 v	285 a	2.5 v	3800A, 4000A	150 MA	1.35 v	180 a	30 MA	표준 표준
Q8040K7TP	11.4200	RFQ	452	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC	Q8040		TO-218 격리 8 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	25	하나의		100 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	40 a	2 v	335A, 400A	100 MA
T106D4	-	RFQ	4654	Littelfuse Inc.	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2			TO-202	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500			5 MA		400 v	4 a	800 MV	16A, 20A	200 µA	2.2 v	2.5 a	2 µA	민감한 민감한
IRKL162/08	-	RFQ	9359	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	int-a-pak (3 + 2)	IRKL162	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	*IRKL162/08	귀 99	8541.30.0080	3			200 MA		800 v	355 a	2.5 v	4870A, 5100A	150 MA		160 a				1 scr, 1 다이오드
T627062574DN	-	RFQ	6577	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	DO-200AA, A-PUK	T627062574		T62	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					600 v	400 a	3 v	4500A @ 60Hz	150 MA	1.85 v	250 a	25 MA	표준 표준
VS-VSKV41/08	41.0770	RFQ	3693	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	VSKV41	일반적인 일반적인 - 음극 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKV4108	귀 99	8541.30.0080	10			200 MA		800 v	70 a	2.5 v	850A, 890A	150 MA		45 a				2 scrs
Q6016NH6RP	3.1900	RFQ	12	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	Q6016		TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		70 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	16 a	1.3 v	167a, 200a	80 MA
CQ202-4DS-2	-	RFQ	3569	Central Semiconductor Corp	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-202 긴 2			TO-202	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	500	하나의		5 MA	내부적으로 내부적으로	400 v	4 a	1.75 v	-	9 MA
C50AX500	-	RFQ	8857	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C50		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1								-					표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²