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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	전류 - 출력 피크	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	전압 - 파괴	scrs, 수 다이오드	현재 - 오버 브레이크
L4004R5	-	RFQ	4569	Littelfuse Inc.	-	대부분	sic에서 중단되었습니다	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3			TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		-L4004R5	귀 99	8541.30.0080	500	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	400 v	4 a	1.3 v	33a, 40a	5 MA
jantxv2n2324as	-	RFQ	2079	Microsemi Corporation	군사, MIL-PRF-19500/276	대부분	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-205AD, TO-39-3 금속 캔			TO-39 (TO-205AD)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	100			2 MA		100 v		600 MV	-	20 µA		220 MA		민감한 민감한
T6070418B4BT	-	RFQ	7523	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ab, to-93-4, 스터드	T6070418		To-93	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					400 v	275 a	3 v	4500A @ 60Hz	150 MA	1.85 v	175 a	25 MA	표준 표준
VS-16TTS08S-M3	2.1400	RFQ	7981	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	16TTS08		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			150 MA		800 v	16 a	2 v	200a @ 50Hz	60 MA	1.4 v	10 a	10 MA	표준 표준
QK010L4TP	1.9698	RFQ	6095	Littelfuse Inc.	qxx10xx	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	QK010		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		35 MA	기준	1kv	10 a	1.3 v	100A, 120A	25 MA
MCC500-14IO1	-	RFQ	6592	ixys	-	상자	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	WC-500	MCC500	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1			1 a		1.4kV	1294 a	3 v	16500A @ 50Hz	300 MA		545 a				2 scrs
VVZ175-14IO7	-	RFQ	6479	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	PWS-E2	VVZ175	다리, 3 상 -Scrs/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5			200 MA		1.4kV	89 a	1.5 v	1500A, 1600A	100 MA		167 a				3 개의 scr, 3 개의 다이오드
S4X8ESRP	0.2215	RFQ	2	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,000			5 MA		400 v	800 MA	800 MV	8A, 10A	200 µA	1.7 v	510 MA	3 µA	민감한 민감한
z0107na0/l02ep	0.1281	RFQ	5771	ween 반도체	-	대부분	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Z0107		To-92-3	다운로드		1 (무제한)		934070453412	귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	1 a	1.3 v	12.5A, 13.8A	5 MA
B512F-2	52.0300	RFQ	7289	sensata-crydom	B-2	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	B512	짐		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	20					600 v		2.5 v	250A @ 60Hz	60 MA						2 개의 scr, 2 개의 다이오드
S6008LS3TP	1.1051	RFQ	4180	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭			ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			8 MA		600 v	8 a	800 MV	83A, 100A	500 µA	1.6 v	5.1 a	5 µA	민감한 민감한
C781pt	-	RFQ	5708	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	TO-200AF	C781	하나의		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.9 kV	3925 a	4.2 v	41500A, 45000A	250 MA		2500 a				1 scr
C391p	-	RFQ	6209	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	B-PUK (TO-200AC)	C391		Press-Pak (Pow-R-Disc)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1kv	770 a	5 v	7000A, 8000A	150 MA	2.65 v	490 a	45 MA	표준 표준
2N6071BT	-	RFQ	3796	온세미	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3	2N6071		TO-126	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의		15 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	4 a	2.5 v	30A @ 60Hz	3 MA
L2006D6TP	-	RFQ	8130	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 110 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		L2006D6	귀 99	8541.30.0080	750	하나의		10 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	6 a	1.3 v	50a, 60a	5 MA
Cla5E1200UC-TRL	3.0400	RFQ	2	ixys	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CLA5		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500			30 MA		1.2kV	7.8 a	1.8 v	50a, 54a	20 MA	1.6 v	5 a	10 µA	표준 표준
VS-ST180S08P1V	103.6592	RFQ	5333	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	to-209ab, to-93-4, 스터드	ST180		TO-209AB (TO-93)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSST180S08P1V	귀 99	8541.30.0080	12			600 MA		800 v	314 a	3 v	4200A, 4400A	150 MA	1.75 v	200a	30 MA	표준 표준
K2000E70	0.5335	RFQ	2498	Littelfuse Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)			To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지	-K2000E70	귀 99	8541.30.0080	2,000		1 a	150 MA											190 ~ 215V		10 µA
S2008VTP	-	RFQ	3424	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA			TO-251 (V-PAK/I-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	750			30 MA		200 v	8 a	1.5 v	83A, 100A	15 MA	1.6 v	5.1 a	10 µA	표준 표준
F1892DH1000	-	RFQ	9791	sensata-crydom	F18	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준		시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드		적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5					1kv		3 v	1950a @ 60Hz	150 MA						1 scr, 1 다이오드
Q2006N4TP	-	RFQ	5646	Littelfuse Inc.	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB			TO-263 (D2PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	500	하나의		50 MA	기준	200 v	6 a	1.3 v	65a, 80a	25 MA
GA040th65	1.0000	RFQ	3153	유전자 유전자	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	SOT-227-2	GA040	하나의		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)		1242-1143	귀 99	8541.30.0080	1			780 MA		6.5kV	69 a		-	30 MA		40 a				1 scr
T1500N14TOFVTXPSA1	414.5750	RFQ	5168	인피온 인피온	-	쟁반	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C	클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	T1500N14	하나의		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	4			500 MA		1.8 kV	3500 a	2 v	39000a @ 50Hz	250 MA		1500 a				1 scr
l201e3ap	-	RFQ	8836	Littelfuse Inc.	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-65 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			To-92	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의		5 MA	논리 - 게이트 민감한	200 v	1 a	1.3 v	16.7a, 20a	3 MA
C441PB	-	RFQ	2643	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	B-PUK (TO-200AC)	C441		Press-Pak (Pow-R-Disc)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1					1.2kV	1175 a	5 v	10000A, 11000A	125 MA	2 v	750 a	35 MA	표준 표준
VS-P103W	38.0270	RFQ	8459	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	8-pace-pak	p103	짐		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10			130 MA		800 v		2 v	357a, 375a	60 MA						2 개의 scr, 2 개의 다이오드
CD421690C	-	RFQ	8136	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)		기준 기준	CD421690	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1			100 MA		1.6kV	141 a	2.5 v	2000a @ 50Hz	100 MA		90 a				1 scr, 1 다이오드
T1210-6G-TR	1.5200	RFQ	8933	stmicroelectronics	Snubberless ™	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	T1210		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의		15 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	12 a	1.3 v	120a, 126a	10 MA
mcr08mt1g	0.6500	RFQ	449	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 110 ° C	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	MCR08		SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	1,000			5 MA		600 v	800 MA	800 MV	8A @ 60Hz	200 µA	1.7 v		10 µA	민감한 민감한
T511FS	-	RFQ	5281	sensata-crydom	-	대부분	쓸모없는	-	-	기준 기준		-		다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		쓸모없는	0000.00.0000	10								-							-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²