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사이리스터 (12437)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	구조	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	현재 -홀드 (ih) (최대)	트리 트리 유형	전압 - 상태 꺼짐	현재- it (it (rms)) (max)	짐	짐	현재- 트리거 게이트 (igt) (최대)	전압 -상태 (vtm) (최대)	현재- it (it (av)) (max)	Current -Off State (Max)	scr 유형	scrs, 수 다이오드
T850-8g	0.4958	RFQ	1672	stmicroelectronics	Snubberless ™	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	T850		d²pak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의	75 MA	대안 - 너버리스 스	800 v	8 a	1.2 v	80a, 84a	50 MA
T1620T-6I	-	RFQ	3992	stmicroelectronics	Snubberless ™	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	T1620		TO-220	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50	하나의	25 MA	대안 - 너버리스 스	600 v	16 a	1.3 v	120a, 126a	20 MA
ACTT6G-800E, 127	0.3212	RFQ	8135	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA	ACTT6		I2PAK (TO-262)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	50	하나의	25 MA	논리 - 게이트 민감한	800 v	6 a	1 v	51a, 56a	10 MA
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VS-VSKH71/16	43.9540	RFQ	6150	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 4)	vskh71	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSVSKH7116	귀 99	8541.30.0080	10		250 MA		1.6kV	165 a	2.5 v	1300a, 1360a	150 MA		75 a			1 scr, 1 다이오드
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VS-ST083S04PFN1	96.3420	RFQ	6837	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시, 마운트 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	ST083		TO-209AC (TO-94)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	vsst083s04pfn1	귀 99	8541.30.0080	25		600 MA		400 v	135 a	3 v	2060a, 2160a	200 MA	2.15 v	85 a	30 MA	표준 표준
VS-ST303C04CFL1	100.2075	RFQ	5104	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	마지막으로 마지막으로	-40 ° C ~ 125 ° C	섀시 섀시	TO-200AB, E-PUK	ST303		TO-200AB (E-PUK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	VSST303C04CFL1	귀 99	8541.30.0080	12		600 MA		400 v	1180 a	3 v	6690A, 7000A	200 MA	2.16 v	620 a	50 MA	표준 표준
UPGA301AE3/TR13	4.6949	RFQ	2053	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-25 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	PowerMite®3	UPGA301		Powermite 3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	5,000		2.5 MA		125 v		750 MV	100A	20 µA	1.5 v		10 MA	민감한 민감한
IRKH56/04A	-	RFQ	7742	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	대부분	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	Add-A-Pak (3 + 2)	IRKH56	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	10		200 MA		400 v	135 a	2.5 v	1310a, 1370a	150 MA		60 a			1 scr, 1 다이오드
F18107HD1200	201.3480	RFQ	3925	sensata-crydom	F18	대부분	새로운 새로운 아닙니다	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	섀시 섀시	기준 기준	F18107	시리즈 시리즈 - scr/다이오드		다운로드	rohs 준수	적용 적용 수 할			귀 99	8541.30.0080	5				1.2kV		3 v	2250A @ 60Hz	150 MA					2 scrs
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SJ6025L1TP	1.9243	RFQ	4353	Littelfuse Inc.	SJ	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	SJ6025		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-1024-SJ6025L1TP	귀 99	8541.30.0080	1,000		15 MA		600 v	25 a	1.5 v	300A, 350A	6 MA	1.6 v	16 a	10 µA	표준 표준
C50MX500	-	RFQ	7239	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C50		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1							-					표준 표준
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Tyn16y-600ctq	0.3365	RFQ	4024	ween 반도체	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭	Tyn16		TO-220AB	다운로드					귀 99	8541.30.0080	1,000		40 MA		600 v	16 a	1 v	188a, 207a	10 MA	1.6 v	10.2 a	10 µA	표준 표준
MCMA260P1600YA	111.1100	RFQ	2821	ixys	-	상자	활동적인	-40 ° C ~ 140 ° C (TJ)	섀시 섀시	Y4	MCMA260	시리즈 시리즈 - 연결 scr		다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	6		150 MA		1.6kV	408 a	2 v	8300A, 8970A	150 MA		260 a			2 scrs
TN805-600B-TR	1.7000	RFQ	2	stmicroelectronics	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	TN805		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	2,500		25 MA		600 v	8 a	1.3 v	70A, 73A	5 MA	1.6 v	5 a	5 µA	표준 표준
l6x8e8rp	0.6154	RFQ	7331	Littelfuse Inc.	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 110 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드			To-92	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	-l6x8e8rp	귀 99	8541.30.0080	2,000	하나의	15 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	800 MA	1.3 v	8.3a, 10a	10 MA
CS3P-40PB	-	RFQ	6399	Central Semiconductor Corp	-	튜브	쓸모없는	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을					다운로드		공급 공급 정의되지 업체는			쓸모없는	0000.00.0000	1		80 MA		1.2kV	40 a	1.5 v	40A @ 50Hz	6 MA	1.5 v		20 µA	표준 표준
BTA216X-600D, 127	0.5463	RFQ	9789	ween 반도체	-	튜브	활동적인	125 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	BTA216		TO-220F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1,000	하나의	15 MA	논리 - 게이트 민감한	600 v	16 a	1.5 v	140a, 150a	5 MA
C152B	-	RFQ	9224	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-	-	-	C152		-	-	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1							-					표준 표준
T507064064AQ	-	RFQ	5023	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	스터드 스터드	TO-209AC, TO-94-4, 스터드	T507064064		To-94	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.30.0080	1				600 v	63 a	3 v	1000A @ 60Hz	150 MA	4.2 v	40 a	15 MA	표준 표준
S6025LTP	3.1000	RFQ	17	Littelfuse Inc.	-	튜브	활동적인	-40 ° C ~ 125 ° C	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭			TO-220 된 분리 탭	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.30.0080	50		50 MA		600 v	25 a	1.5 v	300A, 350A	35 MA	1.6 v	16 a	10 µA	표준 표준

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

사이리스터 (12437)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²