SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 scrs, 수 다이오드
LDR31250 Powerex Inc. LDR31250 -
RFQ
ECAD 8299 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Pow-R-Blok ™ ok 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 1.8 kV 785 a 2.5 v 18000a, 2000a 250 MA 500 a 2 scrs
VS-16RIA60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16RIA60 15.6000
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 16RIA60 TO-208AA (TO-48) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 100 130 MA 600 v 35 a 2 v 340A, 360A 60 MA 1.75 v 16 a 10 MA 표준 표준
NTE5661 NTE Electronics, Inc NTE5661 4.7200
RFQ
ECAD 53 0.00000000 NTE Electronics, Inc - 가방 활동적인 -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-208AB, TO-64-3, 스터드 To-64 다운로드 rohs 비준수 2368-NTE5661 귀 99 8541.30.0080 1 하나의 30 MA 기준 50 v 10 a 2 v 100A @ 60Hz 40 MA
SHRDIN933M10X23HPSA1 Infineon Technologies SHRDIN933M10X23HPSA1 6.7735
RFQ
ECAD 5540 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 Shrdin933 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1
MCD250-14IO1 IXYS MCD250-14IO1 -
RFQ
ECAD 9806 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y2-DCB MCD250 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2 150 MA 1.4kV 450 a 2 v 9000A, 9600A 150 MA 287 a 1 scr, 1 다이오드
Q6015LT Littelfuse Inc. Q6015LT -
RFQ
ECAD 7571 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Q6015 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 70 MA 내부적으로 내부적으로 600 v 15 a 167a, 200a
T507044084AQ Powerex Inc. T507044084AQ -
RFQ
ECAD 2685 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 스터드 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 T507044084 To-94 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 400 v 63 a 3 v 1000A @ 60Hz 150 MA 4.2 v 40 a 15 MA 표준 표준
F1827CAH1600 Sensata-Crydom F1827CAH1600 -
RFQ
ECAD 5734 0.00000000 sensata-crydom F18 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 일반적인 일반적인 - scr/다이오드 다운로드 rohs 준수 적용 적용 수 할 귀 99 8541.30.0080 5 1.6kV 3 v 400A @ 60Hz 150 MA 1 scr, 1 다이오드
TS420-600H STMicroelectronics TS420-600H 1.4200
RFQ
ECAD 3608 0.00000000 stmicroelectronics - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA TS420 TO-251 (IPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 75 5 MA 600 v 4 a 800 MV 30A, 33A 200 µA 1.6 v 2.5 a 5 µA 민감한 민감한
BCR16KM-12LA#C0P Renesas Electronics America Inc BCR16KM-12LA#C0P 1.6200
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 185
MAC4DCN-1G Littelfuse Inc. MAC4DCN-1G 0.8700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Littelfuse Inc. - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MAC4 TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 4,000 하나의 35 MA 기준 800 v 4 a 1.3 v 40A @ 60Hz 35 MA
S4X8ES2AP Littelfuse Inc. S4X8ES2AP 0.2215
RFQ
ECAD 4070 0.00000000 Littelfuse Inc. - 테이프 & t (TB) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -s4x8es2ap 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 400 v 800 MA 800 MV 8A, 10A 50 µA 1.7 v 510 MA 3 µA 민감한 민감한
T7S0186504DN Powerex Inc. T7S0186504DN -
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 TO-200 변형 하나의 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 1.8 kV 1020 a 3 v 8200A, 9000A 150 MA 650 a 1 scr
BTA201-800ER,412 NXP USA Inc. BTA201-800ER, 412 -
RFQ
ECAD 1755 0.00000000 NXP USA Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 To-92-3 다운로드 귀 99 8541.30.0080 287 하나의 12 MA 논리 - 게이트 민감한 800 v 1 a 1.5 v 12.5a, 13.7a 10 MA
SJ4012DRP Littelfuse Inc. SJ4012DRP 0.8946
RFQ
ECAD 4686 0.00000000 Littelfuse Inc. SJ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SJ4012 TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -sj4012drp 귀 99 8541.30.0080 2,500 60 MA 400 v 12 a 1.5 v 100A, 120A 20 MA 1.6 v 7.6 a 10 µA 표준 표준
VS-80RIA40MPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80RIA40MPBF 107.6468
RFQ
ECAD 3470 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 80RIA40 TO-209AC (TO-94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VS80RIA40MPBF 귀 99 8541.30.0080 25 200 MA 400 v 125 a 2.5 v 1600a, 1675a 120 MA 1.6 v 80 a 15 MA 표준 표준
IRKU105/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKU105/12A -
RFQ
ECAD 7118 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) IRKU105 일반적인 일반적인 - 음극 scr 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 200 MA 1.2kV 165 a 2.5 v 1785a, 1870a 150 MA 105 a 2 scrs
VS-110RKI40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-110RKI40 50.6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 110RKI40 TO-209AC (TO-94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25 200 MA 400 v 172 a 2 v 2080A, 2180A 120 MA 1.57 v 110 a 20 MA 표준 표준
MLO230-12IO7 IXYS MLO230-12IO7 -
RFQ
ECAD 6066 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 MLO230 1/scr - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25 200 MA 1.2kV 180 a 1.5 v 2250A, 2400A 150 MA 105 a 1 scr, 1 다이오드
PD420607 Powerex Inc. PD420607 -
RFQ
ECAD 1853 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Pow-R-Blok ™ ok 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 600 v 1100 a 4.5 v 63000A, 69000A 200 MA 700 a 1 scr, 1 다이오드
AC05DSMA(1)-AZ Renesas Electronics America Inc AC05DSMA (1) -az 0.9000
RFQ
ECAD 6417 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0080 71
BCR30FR-8LB#BH0 Renesas Electronics America Inc bcr30fr-8lb#bh0 -
RFQ
ECAD 1558 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 튜브 활동적인 - - - BCR30 - 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 - -
TD210N14KOFHPSA1 Infineon Technologies TD210N14KOFHPSA1 -
RFQ
ECAD 8422 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 기준 기준 TD210N 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 300 MA 1.8 kV 410 a 2 v 6600A @ 50Hz 200 MA 261 a 1 scr, 1 다이오드
X0405MF 1AA2 STMicroelectronics x0405mf 1aa2 -
RFQ
ECAD 2947 0.00000000 stmicroelectronics - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 구멍을 구멍을 TO-202 탭이 2 x0405 TO-202-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 1.35 a 800 MV 30A, 33A 50 µA 1.8 v 900 MA 5 µA 민감한 민감한
Q8040K7TP Littelfuse Inc. Q8040K7TP 11.4200
RFQ
ECAD 452 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-218-3 8 된 탭, TO-218AC Q8040 TO-218 격리 8 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 25 하나의 100 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 40 a 2 v 335A, 400A 100 MA
Q4010LTH Littelfuse Inc. Q4010lth -
RFQ
ECAD 5661 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Q4010 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -q4010lth 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 60 MA 내부적으로 내부적으로 400 v 10 a 100A, 120A
T1620T-8G-TR STMicroelectronics T1620T-8G-TR 1.2000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 stmicroelectronics Snubberless ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB T1620 d²pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 40 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 16 a 1.3 v 126a, 120a 20 MA
T2851N52TS02PRXPSA1 Infineon Technologies T2851N52TS02PRXPSA1 -
RFQ
ECAD 1000 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시 섀시 TO-200AF T2851N 하나의 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000091291 쓸모없는 0000.00.0000 1 350 MA 5.2kV 4680 a 2.5 v 82000a @ 50Hz 350 MA 4120 a 1 scr
S6002ESRP Littelfuse Inc. S6002ESRP 0.8400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Littelfuse Inc. EV 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 S6002 To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2,000 5 MA 600 v 2 a 800 MV 22.5A @ 50Hz, 25A @ 60Hz 200 µA 1.5 v 1.2 a 5 µA 민감한 민감한
BT139-800G,127 WeEn Semiconductors BT139-800G, 127 0.4144
RFQ
ECAD 1650 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BT139 TO-220AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 60 MA 기준 800 v 16 a 1.5 v 155a, 170a 50 MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고