SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 구조 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 전류 - 출력 피크 현재 -홀드 (ih) (최대) 트리 트리 유형 전압 - 상태 꺼짐 현재- it (it (rms)) (max) 현재- 트리거 게이트 (igt) (최대) 전압 -상태 (vtm) (최대) 현재- it (it (av)) (max) Current -Off State (Max) scr 유형 전압 - 파괴 scrs, 수 다이오드 현재 - 오버 브레이크
T2481N28TOFVTXPSA1 Infineon Technologies T2481N28TOFVTXPSA1 940.4200
RFQ
ECAD 5752 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 2
Q6008RH3TP Littelfuse Inc. Q6008RH3TP 1.2293
RFQ
ECAD 3925 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 Q6008 TO-220 침투화 비 된 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -Q6008RH3TP 귀 99 8541.30.0080 1,000 하나의 15 MA 대안 - 너버리스 스 600 v 8 a 1.3 v 83A, 100A 10 MA
Z0107MAG onsemi z0107mag -
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 온세미 - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 Z010 TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 600 v 1 a 1.3 v 8A @ 60Hz 5 MA
Q8016LH352 Littelfuse Inc. Q8016LH352 -
RFQ
ECAD 9468 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 된 탭 탭, 형성 된 리드 Q8016 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) -Q8016LH352 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 35 MA 대안 - 너버리스 스 800 v 16 a 1.3 v 167a, 200a 20 MA
SJ6025R1ATP Littelfuse Inc. SJ6025R1ATP 2.0168
RFQ
ECAD 1675 0.00000000 Littelfuse Inc. SJ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 SJ6025 TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 -1024-SJ6025R1ATP 귀 99 8541.30.0080 1,000 15 MA 600 v 25 a 1.5 v 300A, 350A 6 MA 1.6 v 16 a 10 µA 표준 표준
T6271215B4DN Powerex Inc. T6271215B4DN -
RFQ
ECAD 5301 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 스터드 스터드 DO-200AA, A-PUK T6271215 T62 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 1.2kV 235 a 3 v 3500A @ 60Hz 150 MA 2.35 v 150 a 25 MA 표준 표준
VS-VSKT71/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT71/10 45.2940
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 Add-A-Pak (3 + 4) VSKT71 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 VSVSKT7110 귀 99 8541.30.0080 10 250 MA 1kv 165 a 2.5 v 1300a, 1360a 150 MA 75 a 2 scrs
Q6010L555 Littelfuse Inc. Q6010L555 -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 Littelfuse Inc. - 대부분 sic에서 중단되었습니다 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 to-220-3 3 된 탭 탭, 형성 된 리드 Q6010 TO-220 된 분리 탭 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 500 하나의 50 MA 기준 600 v 10 a 1.3 v 100A, 120A 50 MA
VS-25RIA120S90 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25RIA120S90 23.8500
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 25RIA120 TO-208AA (TO-48) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 100 130 MA 1.2kV 40 a 2 v 350A, 370A 60 MA 1.7 v 25 a 10 MA 표준 표준
MAC97A4G onsemi MAC97A4G -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MAC97 TO-92 (TO-226) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000 하나의 10 MA 논리 - 게이트 민감한 200 v 600 MA 2 v 8A @ 60Hz 5 MA
VS-ST083S08PFN2P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST083S08PFN2P 92.6404
RFQ
ECAD 9743 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 대부분 마지막으로 마지막으로 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 TO-209AC, TO-94-4, 스터드 ST083 TO-209AC (TO-94) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vsst083s08pfn2p 귀 99 8541.30.0080 25 600 MA 800 v 135 a 3 v 2060a, 2160a 200 MA 2.15 v 85 a 30 MA 표준 표준
ND471421 Powerex Inc. ND471421 -
RFQ
ECAD 3415 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 - - - - - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 - -
MCR100-004 onsemi MCR100-004 -
RFQ
ECAD 1126 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -40 ° C ~ 110 ° C 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MCR10 TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000 5 MA 200 v 800 MA 800 MV 10A @ 60Hz 200 µA 1.7 v 10 µA 민감한 민감한
SD1A180E Diodes Incorporated SD1A180E 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 SD1A180 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000
T16M35T600B Diodes Incorporated T16M35T600B 0.8700
RFQ
ECAD 39 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 T16M35 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-T16M35T600B 귀 99 8541.30.0080 50
T1080N06TOFXPSA1 Infineon Technologies T1080N06TOFXPSA1 -
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 -40 ° C ~ 140 ° C 클램프 클램프 DO-200AA, A-PUK T1080N 하나의 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 1 200 MA 600 v 2000 a 2 v 16000a @ 50Hz 200 MA 1078 a 1 scr
VHF36-12IO5 IXYS VHF36-12IO5 -
RFQ
ECAD 6561 0.00000000 ixys - 상자 쓸모없는 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 섀시 섀시 x118 VHF36 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 10 100 MA 1.2kV 1 v 320A, 350A 65 MA 36 a 2 개의 scr, 2 개의 다이오드
C137C Solid State Inc. C137C 6.3330
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - 대부분 활동적인 - 스터드 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 To-48 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-C137C 귀 99 8541.10.0080 10 2.2 v 160a 40 MA 2.3 v 22.3 a 표준 표준
MCD255-12IO1 IXYS MCD255-12IO1 156.2133
RFQ
ECAD 6464 0.00000000 ixys - 상자 활동적인 -40 ° C ~ 140 ° C (TJ) 섀시 섀시 Y1-CU MCD255 시리즈 시리즈 - scr/다이오드 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 3 150 MA 1.2kV 450 a 2 v 9000A, 9600A 150 MA 250 a 1 scr, 1 다이오드
SD1A220A Diodes Incorporated SD1A220A 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 SD1A220 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000
SD1A150A Diodes Incorporated SD1A150A 0.3600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 SD1A150 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 5,000
16RIA140 Solid State Inc. 16RIA140 6.6000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. 16RIA 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 To-48 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-16RIA140 귀 99 8541.10.0080 10 395a, 415a 표준 표준
LDR31654 Powerex Inc. LDR31654 -
RFQ
ECAD 7999 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) 섀시 섀시 Pow-R-Blok ™ ok 시리즈 시리즈 - 연결 scr 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 300 MA 1.6kV 845 a 2.5 v 18000a, 17000a 250 MA 540 a 2 scrs
T607041874BT Powerex Inc. T607041874BT -
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 섀시, 마운트 스터드 to-209ab, to-93-4, 스터드 T607041874 To-93 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 400 v 275 a 3 v 4500A @ 60Hz 150 MA 1.85 v 175 a 25 MA 표준 표준
DB3 Diotec Semiconductor DB3 0.1400
RFQ
ECAD 355 0.00000000 diotec 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 100 ° C (TJ) Do-204Ah, do-35, 축 방향 DO-35 다운로드 적용 적용 수 할 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.30.0000 10,000 2 a 28 ~ 36V 200 µA
2N682 Solid State Inc. 2N682 6.5000
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - 상자 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 스터드 스터드 TO-208AA, TO-48-3, 스터드 To-48 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-2N682 귀 99 8541.10.0080 10 50 MA 50 v 25 a 2 v 150A @ 60Hz 40 MA 2 v 16 a 2 MA 표준 표준
JANTX2N2325U4 Microsemi Corporation jantx2n2325u4 -
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 Microsemi Corporation 군사, MIL-STD-701 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 3-smd,, 없음 U4 - rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 2 MA 150 v 800 MV 15A @ 60Hz 200 µA 2.2 v 1.6 a 10 µA 민감한 민감한
TYN16X-600CT,127 WeEn Semiconductors Tyn16x-600ct, 127 0.9300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 ween 반도체 - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Tyn16 TO-220F 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 934066179127 귀 99 8541.30.0080 50 40 MA 600 v 16 a 1.3 v 180a, 198a 15 MA 1.6 v 10.2 a 1 MA 표준 표준
Q6010L4TP Littelfuse Inc. Q6010L4TP 2.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Littelfuse Inc. - 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 Q6010 TO-220AB-L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.30.0080 50 하나의 35 MA 기준 600 v 10 a 1.3 v 100A, 120A 25 MA
T707063054BY Powerex Inc. T707063054BY -
RFQ
ECAD 7704 0.00000000 Powerex Inc. - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C 스터드 스터드 DO-200AB, B-PUK T707063054 T-70 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.30.0080 1 600 v 475 a 3 v 8000A @ 60Hz 150 MA 1.45 v 300 a 30 MA 표준 표준
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고