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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 현재의 | 전압 | 전압 - 분리 |
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![]() | FBS-GAM01-P-C100 | 554.4000 | ![]() | 5232 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 9-SMD 모듈 | MOSFET | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM01-P-C100 | 0000.00.0000 | 24 | 3 단계 | 12 a | 100 v | - | |
![]() | FBS-GAM04-P-C100 | 792.0000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 18-SMD 모듈 | MOSFET | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM04-P-C100 | 0000.00.0000 | 12 | 3 단계 | 10 a | 100 v | - | |
![]() | FBS-GAM02-P-C50 | 702.2400 | ![]() | 59 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 18-SMD 모듈 | MOSFET | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM02-P-C50 | 0000.00.0000 | 12 | 3 단계 | 10 a | 50 v | - | |
![]() | FBS-GAM01-P-C50 | 554.4000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 9-SMD 모듈 | MOSFET | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM01-P-C50 | 0000.00.0000 | 24 | 3 단계 | 12 a | 50 v | - | |
![]() | FBS-GAM04-P-C50 | 792.0000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 18-SMD 모듈 | MOSFET | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM04-P-C50 | 0000.00.0000 | 12 | 3 단계 | 10 a | 50 v | - | |
![]() | FBS-GAM02P-C-PSE | 633.6000 | ![]() | 6378 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 18-SMD 모듈 | - | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM02P-C-PSE | 0000.00.0000 | 12 | 3 단계 | 50 v | - | ||
![]() | FBS-GAM02-P-R50 | 894.3100 | ![]() | 8760 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | Egan® | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 18-SMD 모듈 | 1 (무제한) | 4107-FBS-GAM02-P-R50 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||
![]() | FBS-GAM01P-C-PSE | 396.0000 | ![]() | 25 | 0.00000000 | EPC Space, LLC | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | 9-SMD 모듈 | - | 3 (168 시간) | 4107-FBS-GAM01P-C-PSE | 0000.00.0000 | 48 | 3 단계 | - |
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