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다이오드 (168966)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CZRF10VB Comchip Technology CZRF10VB 0.0680
RFQ
 ECAD 4307 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF10 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
BZX8850S-C1V8YL Nexperia USA Inc. BZX8850S-C1V8YL 0.3500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-882 365 MW DFN1006BD-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 7.5 µa @ 1 v 1.8 v 100 옴
BAT54C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54C-HE3-08 0.3400
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°)
1N5989UR-1/TR Microchip Technology 1N5989ur-1/tr 3.7400
RFQ
 ECAD 8237 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AA 500MW DO-213AA - 귀 99 8541.10.0050 264 1.1 v @ 200 ma 3.6 v
BZX84C15 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZX84C15 0.1600
RFQ
 ECAD 3052 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
BZD17C100P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C100P 깔개 -
RFQ
 ECAD 5227 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 do-219ab BZD17 800MW SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,800 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 75 v 100 v 200 옴
JANS1N4583A-1 Microchip Technology JANS1N4583A-1 75.8700
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 25 옴
H1G Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd H1G 0.1900
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 v @ 1 a 50 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
PT800J Diotec Semiconductor PT800J 1.2230
RFQ
 ECAD 1277 0.00000000 diotec 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 기준 TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 요청시 요청시 도달하십시오 2721-PT800J 8541.10.0000 50 짐 600 v 1.1 v @ 8 a 5 µa @ 600 v -50 ° C ~ 150 ° C 8a -
MUR340SHM6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR340SHM6G -
RFQ
 ECAD 8253 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 DO-214AB, SMC MUR340 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.25 V @ 3 a 50 ns 10 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N4460US Microchip Technology jantx1n4460us 13.6200
RFQ
 ECAD 2231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/406 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, a 1N4460 1.5 w D-5A 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 10 µa @ 3.72 v 6.2 v 4 옴
R5001415XXZT Powerex Inc. R5001415XXZT 136.9300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Powerex Inc. - 가방 활동적인 스터드 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 R5001415 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1400 v 7 µs 30 ma @ 1400 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
ES1AL RFG Taiwan Semiconductor Corporation ES1AL RFG -
RFQ
 ECAD 2176 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 do-219ab ES1A 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 950 MV @ 1 a 35 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 1v, 1MHz
1N2135AR GeneSiC Semiconductor 1N2135AR 8.9025
RFQ
 ECAD 2479 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2135AR 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N2135ARGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 400 v 1.1 v @ 60 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
SS15 onsemi SS15 0.4600
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA SS15 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 700 mv @ 1 a 200 µa @ 50 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
DF10S Good-Ark Semiconductor DF10 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.1 v @ 500 ma 5 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
CDSV6-4448SD-G Comchip Technology CDSV6-4448SD-G 0.1062
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 CDSV6-4448 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 연결 연결 시리즈 80 v 500MA (DC) 1 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 75 v 150 ° C (°)
BZX384B3V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V3-G3-08 0.0445
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZX384-G 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384B3V3 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
FR205G Taiwan Semiconductor Corporation FR205G 0.0981
RFQ
 ECAD 5834 0.00000000 대만 대만 회사 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 FR205 기준 DO-204AC (DO-15) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 V @ 2 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 10pf @ 4V, 1MHz
CMZ24(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ24 (TE12L, Q, M) 0.5400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Toshiba 반도체 a 저장 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-128 CMZ24 2 w M-FLAT (2.4x3.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 17 v 24 v 30 옴
MBRF860CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRF860CT 0.4762
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF860 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1801-MBRF860CT 귀 99 8541.10.0080 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 8a 950 MV @ 4 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX384-C16-QF Nexperia USA Inc. BZX384-C16-QF 0.2200
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 BZX384 300MW SOD-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.1 v @ 100 ma 50 NA @ 11.2 v 16.2 v 40
SET040304 Semtech Corporation SET040304 -
RFQ
 ECAD 8401 0.00000000 Semtech Corporation - 대부분 sic에서 중단되었습니다 섀시 섀시 기준 기준 set04 - - 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) - 400 v 15a 1.5 v @ 18 a 150 ns 2 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C
GDZ2V4B-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V4B-E3-08 0.4000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division GDZ 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 GDZ2V4 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 120 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
BZB84-C5V1,215 Nexperia USA Inc. BZB84-C5V1,215 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q100 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZB84-C5V1 300MW TO-236AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
BZX584B8V2-TP Micro Commercial Co BZX584B8V2-TP 0.0381
RFQ
 ECAD 6920 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.95% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
BZV55C15-TP Micro Commercial Co BZV55C15-TP -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 BZV55C15 500MW 미니 미니 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
CMUD7000 BK Central Semiconductor Corp CMUD7000 BK -
RFQ
 ECAD 5982 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 조각 쓸모없는 표면 표면 SC-89, SOT-490 기준 SOT-523 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1514-CMUD7000BK 쓸모없는 100 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 100 v 200ma 1.1 v @ 100 ma 4 ns 500 NA @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBRS1050CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1050CTHMNG -
RFQ
 ECAD 5293 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MBRS1050 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 10A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
VS-30CTQ045STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ045STRLPBF -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 30CTQ045 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 760 mV @ 30 a 2 ma @ 45 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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