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다이오드 (168966)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
1N822 Microchip Technology 1N822 4.7550
RFQ
 ECAD 1212 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N822 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.2 v 15 옴
1N5952BP-TP Micro Commercial Co 1N5952bp-tp 0.0963
RFQ
 ECAD 3631 0.00000000 마이크로 마이크로 공동 - 대부분 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5952 1.5 w DO-41 다운로드 353-1n5952bp-tp 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 98.8 v 130 v 450 옴
KBJ406G GeneSiC Semiconductor KBJ406G 0.5160
RFQ
 ECAD 4282 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ406 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ406GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
PDZ5.6B145 NXP USA Inc. PDZ5.6B145 0.0200
RFQ
 ECAD 5046 0.00000000 NXP USA Inc. * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 12,807
MMSZ4717-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4717-HE3_A-18 0.0533
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 112-MMSZ4717-HE3_A-18TR 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 32.6 v 43 v
RHRG75120 onsemi RHRG75120 -
RFQ
 ECAD 5252 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 RHRG75 기준 TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 3.2 v @ 75 a 100 ns 250 µa @ 1200 v -65 ° C ~ 175 ° C 75a -
BZX84J-C2V7,115 Nexperia USA Inc. BZX84J-C2V7,115 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F BZX84J-C2V7 550 MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.1 v @ 100 ma 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
JAN1N5622 Microchip Technology Jan1n5622 6.0000
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/427 대부분 활동적인 구멍을 구멍을 a, 축 방향 1N5622 기준 a, 축 방향 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1000 v 1.3 v @ 3 a 2 µs 500 NA @ 1000 v -65 ° C ~ 200 ° C 1A -
JANTX1N4990DUS/TR Microchip Technology jantx1n4990dus/tr 30.9000
RFQ
 ECAD 5238 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MIL-PRF-19500/356 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SQ-Melf, b 5 w e-melf - 150-jantx1n4990dus/tr 귀 99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µa @ 167 v 220 v 550 옴
1N5934BP/TR12 Microchip Technology 1N5934bp/tr12 1.8900
RFQ
 ECAD 3501 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5934 1.5 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 18.2 v 24 v 19 옴
1N4594 GeneSiC Semiconductor 1N4594 35.5695
RFQ
 ECAD 1960 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4594 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4594GN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1000 v 1.5 V @ 150 a 4.5 ma @ 1000 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
VS-6EWL06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6ewl06fn-m3 0.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division pt® 튜브 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 6ewl06 기준 D-PAK (TO-252AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 vs-6ewl06fn-m3gi 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.25 V @ 6 a 154 ns 5 µa @ 600 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
BZW03C18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C18-TAP -
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 13 v 18 v 2.5 옴
SBG1040CT-T-F Diodes Incorporated SBG1040CT-TF -
RFQ
 ECAD 6942 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SBG1040CT Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 10A 550 mV @ 5 a 1 ma @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C
ESH1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH1D-E3/61T 0.4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ESH1 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 1 a 25 ns 1 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C 1A -
SMBZ1483LT1G onsemi SMBZ1483LT1G 0.0200
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 - 2156-SMBZ1483LT1G 6,000
GBU401 Diodes Incorporated GBU401 1.0400
RFQ
 ECAD 495 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU401 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 GBU401DI 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
MBRT60040R GeneSiC Semiconductor MBRT60040R 140.2020
RFQ
 ECAD 8187 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT60040 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT60040RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
SDM540P5-13 Diodes Incorporated SDM540P5-13 -
RFQ
 ECAD 9003 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - - SDM540 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SDM540P5-13TR 쓸모없는 10,000 - -
2EZ150D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ150D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 6565 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ150 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 500 NA @ 114 v 150 v 575 옴
SR3150 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd SR3150 0.4500
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad (DO-27) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 3 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1MHz
BZT52H-A36X Nexperia USA Inc. BZT52H-A36X 0.1463
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 Nexperia USA Inc. BZT52H-A 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 1727-BZT52H-A36XTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 na @ 25.2 v 36 v 60 옴
1N4736A TR TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 1N4736A tr 틴/리드 0.0494
RFQ
 ECAD 9689 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 영향을받지 영향을받지 1514-1N4736ATRTIN/LEADTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
BZT52B11S Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd BZT52B11 0.1600
RFQ
 ECAD 1581 0.00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 300MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.5 v 11 v 20 옴
CLL4707 BK Central Semiconductor Corp CLL4707 BK -
RFQ
 ECAD 6017 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 다운로드 1514-CLL4707BK 귀 99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 100 ma 10 na @ 15.2 v 20 v
JANHCA1N4582A Microchip Technology JANHCA1N4582A 15.0750
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/452 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 100 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N4582A 귀 99 8541.10.0050 1 2 µa @ 3 v 6.4 v 25 옴
BAV21 onsemi BAV21 -
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BAV21 기준 DO-35 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 5,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 250 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 175 ° C (°) 200ma 5pf @ 0V, 1MHz
BZG05B9V1-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B9V1-HE3-TR -
RFQ
 ECAD 2313 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZG05B 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 1.98% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA BZG05 1.25 w DO-214AC - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 6,000 1.2 v @ 200 ma 1 µa @ 6.8 v 9.1 v 5 옴
JANTXV1N6311US Microchip Technology jantxv1n6311us 21.4200
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SQ-Melf, b 1N6311 500MW B, SQ-Mell - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 30 µa @ 1 v 3 v 29 옴
VLZ10B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ10B-GS08 -
RFQ
 ECAD 4262 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, VLZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 SOD-80 변형 VLZ10 500MW SOD-80 Quadromelf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 40 µa @ 8.94 v 9.66 v 8 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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