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다이오드 (166326)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 전압- v (vf) (max) @ if 전류- 누출 리버스 @ vr 현재- 정류 평균 (IO) 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
3N255-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N255-E4/72 -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N255 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
3N258-E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N258-E4/72 -
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 3N258 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 3.14 a 5 µa @ 800 v 2 a 단일 단일 800 v
KBP02M-61E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02M-61E4/51 -
RFQ
 ECAD 7852 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP02 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 a 5 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
KBP02ML-6127E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02ML-6127E4/72 -
RFQ
 ECAD 3328 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP02 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 a 5 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
KBP04M-43E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP04M-43E4/51 -
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP04 기준 KBPM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 a 5 µa @ 400 v 1.5 a 단일 단일 400 v
KBP06ML-6161E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06ML-6161E4/72 -
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP06 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
KBP06ML-6424E4/72 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06ML-6424E4/72 -
RFQ
 ECAD 8293 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 상자 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP06 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 200 1.3 V @ 1.57 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
KBP08ML-6747E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08ML-6747E4/51 -
RFQ
 ECAD 7762 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM KBP08 기준 KBPM - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 a 5 µa @ 800 v 1.5 a 단일 단일 800 v
CBR1-010 Central Semiconductor Corp CBR1-010 -
RFQ
 ECAD 5602 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, 케이스 기준 사례 다운로드 적용 적용 수 할 CBR1-010 PBFREE 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 a 10 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
CBR1-040 Central Semiconductor Corp CBR1-040 -
RFQ
 ECAD 1663 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, 케이스 기준 사례 다운로드 적용 적용 수 할 CBR1-040 PBFREE 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 a 10 µa @ 400 v 1.5 a 단일 단일 400 v
CBR1-100 Central Semiconductor Corp CBR1-100 -
RFQ
 ECAD 3076 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, 케이스 기준 사례 다운로드 적용 적용 수 할 CBR1-100 PBFREE 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
CBR1-L020M Central Semiconductor Corp CBR1-L020M -
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip CBR1-L020 기준 BM 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 CBR1-L020M PBFREE 귀 99 8541.10.0080 35 1 V @ 1 a 10 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
CBR1-L040M Central Semiconductor Corp CBR1-L040M 0.5408
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip CBR1-L040 기준 BM 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 CBR1-L040M PBFREE 귀 99 8541.10.0080 35 1 V @ 1 a 10 µa @ 400 v 1.5 a 단일 단일 400 v
CBR1-L100M Central Semiconductor Corp CBR1-L100M -
RFQ
 ECAD 7195 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-sip CBR1-L100 기준 BM 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 CBR1-L100M PBFREE 귀 99 8541.10.0080 35 1 V @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
1N4714 BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4714 BK PBFREE 0.2190
RFQ
 ECAD 5019 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 100 ma 10 na @ 25 v 33 v
1N4736A BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4736A BK PBFREE 0.0522
RFQ
 ECAD 6795 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 상자 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 10 µa @ 4 v 6.8 v 3.5 옴
1N4756A BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N4756A BK PBFREE 0.0522
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
1N5222B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5222B BK PBFREE 0.0353
RFQ
 ECAD 1253 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 µa @ 1 v 2.5 v 30 옴
1N5246B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5246B BK PBFREE 0.0353
RFQ
 ECAD 9602 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 12 v 16 v 17 옴
1N5919B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5919B BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 5435 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 3 v 5.6 v 2 옴
1N5920B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5920B BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 1929 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 4 v 6.2 v 2 옴
1N5921B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5921B TR PBFREE -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 5.2 v 6.8 v 3 옴
1N5923B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5923B BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 6.5 v 8.2 v 4 옴
1N5926B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5926B tr pbfree -
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 8.4 v 11 v 6 옴
1N5927B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5927B BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 1913 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 9.1 v 12 v 7 옴
1N5931B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5931B BK PBFREE -
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 2,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 13.7 v 18 v 12 옴
1N5956B TR Central Semiconductor Corp 1N5956B tr -
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1.5 w DO-41 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 1 µa @ 152 v 200 v 1200 옴
1N5997B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N5997B TR PBFREE 0.0494
RFQ
 ECAD 8633 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 100 ma 500 na @ 6 v 7.5 v 7 옴
1N6012B BK PBFREE Central Semiconductor Corp 1N6012B BK PBFREE 0.0494
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 100 ma 100 µa @ 25 v 33 v 88 옴
1N958B TR PBFREE Central Semiconductor Corp 1N958B TR PBFREE 0.0734
RFQ
 ECAD 4894 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 75 µa @ 5.7 v 7.5 v 5.5 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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