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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBZ5257B-HE3-08 | - | ![]() | 1159 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5257 | 225 MW | SOT-23-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 15,000 | 100 na @ 25 v | 33 v | 58 옴 | |||||||||||||||
![]() | ss5p10hm3_a/h | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101, ESMP® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-277, 3-powerdfn | SS5P10 | Schottky | TO-277A (SMPC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 880 mV @ 5 a | 15 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
BZD27C100P MQG | - | ![]() | 1501 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | do-219ab | BZD27 | 1 W. | SMA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 75 v | 100 v | 200 옴 | ||||||||||||||
![]() | fepb6ct-e3/81 | - | ![]() | 1895 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | fepb6 | 기준 | to-263ab (d²pak) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 6A | 975 MV @ 3 a | 35 ns | 5 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
CDLL5537B | 6.4800 | ![]() | 8274 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AB, MELF | CDLL5537 | 500MW | do-213ab | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 10 na @ 15.3 v | 17 v | 100 옴 | ||||||||||||||
![]() | CDLL5229D | 8.4150 | ![]() | 6294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-CDLL5229D | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 v @ 200 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 22 옴 | |||||||||||||||
![]() | v10pw60chm3/i | 0.4072 | ![]() | 7820 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | Schottky | Slimdpak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 112-v10pw60chm3/itr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 5a | 610 mV @ 5 a | 600 µa @ 60 v | -40 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | GSTP0140S | 0.2700 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Schottky | SOD-323HS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 20 µa @ 40 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | jantx1n3047bur-1/tr | - | ![]() | 4440 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MIL-PRF-19500/115 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | do-213ab, melf (유리) | 1.5 w | do-213ab (Melf, LL41) | - | 150-jantx1n3047bur-1/tr | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 NA @ 98.8 v | 130 v | 700 옴 | ||||||||||||||||
![]() | VS-40MT160KPBF | 61.7593 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 쟁반 | 활동적인 | - | 섀시 섀시 | MT-K 모듈 | 40MT160 | 기준 | MT-K | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | VS40MT160KPBF | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.51 V @ 100 a | 40 a | 3 단계 | 1.6kV | |||||||||||||
![]() | es1jwg_r1_00001 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | ES1J | 기준 | SMA (DO-214AC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 3757-ES1JWG_R1_00001CT | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,800 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 1 a | 35 ns | 1 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | TS8P01GHD2G | - | ![]() | 8676 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, TS-6p | TS8P01 | 기준 | TS-6P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 8 a | 10 µa @ 50 v | 8 a | 단일 단일 | 50 v | |||||||||||||
![]() | MBR8150D_R2_00001 | 0.3861 | ![]() | 8240 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MBR8150 | Schottky | TO-263 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 75,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 900 mV @ 8 a | 50 µa @ 150 v | -65 ° C ~ 175 ° C | 8a | - | ||||||||||||
![]() | 1N972B_T50R | - | ![]() | 7455 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 1N972 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 5 µa @ 22.8 v | 30 v | 49 옴 | |||||||||||||||
![]() | HERF1603G C0G | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 | HERF1603 | 기준 | ITO-220AB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 200 v | 16A | 1 V @ 8 a | 50 ns | 10 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | MMSZ5242BT1 | - | ![]() | 3735 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ524 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 30 옴 | |||||||||||||
![]() | TS35P06GHC2G | - | ![]() | 8992 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, TS-6p | TS35P06 | 기준 | TS-6P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 800 v | 35 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||
![]() | CBR6F-010 | - | ![]() | 4395 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, cm | cm | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | DLE30C | - | ![]() | 7615 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-201ad, 1 방향 | DLE30 | 기준 | 축 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 980 MV @ 3 a | 35 ns | 10 µa @ 400 v | 150 ° C (°) | 3A | - | ||||||||||||
![]() | TS50P07G C2G | - | ![]() | 5015 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 튜브 | sic에서 중단되었습니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, TS-6p | TS50P07 | 기준 | TS-6P | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1.1 v @ 25 a | 10 µa @ 1000 v | 50 a | 단일 단일 | 1kv | |||||||||||||
![]() | SBRT10U60D1-13 | 0.8800 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | SBRT10 | 슈퍼 슈퍼 | TO-252-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 520 MV @ 10 a | 400 µa @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | mmb10g-g | - | ![]() | 9506 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | 기준 | MMB | - | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 800 ma | 5 µa @ 1000 v | 800 MA | 단일 단일 | 1kv | ||||||||||||||||
![]() | MMSZ16ET1 | - | ![]() | 7271 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ16 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 50 NA @ 11.2 v | 16 v | 40 | |||||||||||||
![]() | KBPC2508-G | 9.9600 | ![]() | 482 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | QC 터미널 | 4- 스퀘어, KBPC | KBPC2508 | 기준 | KBPC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 v @ 12.5 a | 10 µa @ 800 v | 25 a | 단일 단일 | 800 v | |||||||||||||
![]() | es2jfl | 0.0954 | ![]() | 1634 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 1801-es2jfltr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 10,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.7 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 9pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52C4V3SQ | 0.0270 | ![]() | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-BZT52C4V3SQTR | 귀 99 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HPZR-C28X | 0.3900 | ![]() | 6380 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | HPZR | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123W | 962 MW | SOD-123W | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 v @ 100 ma | 100 na @ 24 v | 28 v | 37.1 옴 | ||||||||||||||
![]() | 3EZ10D5-TP | 0.1020 | ![]() | 1890 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | DO-204AC, DO-15, 축 방향 | 3EZ10 | 3 w | DO-15 | 다운로드 | 353-3EZ10D5-TP | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µa @ 7.6 v | 10 v | 3.5 옴 | |||||||||||||||
![]() | BZV85-C12,113 | 0.0400 | ![]() | 19 | 0.00000000 | nxp 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1 W. | DO-41 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 2156-BZV85-C12,113-954 | 1 | 1 V @ 50 ma | 200 na @ 8.4 v | 12 v | 10 옴 | ||||||||||||||||
![]() | PCDD08120G1_L2_00001 | 6.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | PCDD08120 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1200 v | 1.7 V @ 8 a | 0 ns | 60 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 8a | 418pf @ 1v, 1MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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