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다이오드 (166326)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CDBA3150LR-HF Comchip Technology CDBA3150LR-HF 0.1608
RFQ
 ECAD 7851 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA3150 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 820 MV @ 3 a 500 µa @ 150 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
BZX58550-C6V8X Nexperia USA Inc. BZX58550-C6V8X 0.3500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5.1 v 6.8 v 15 옴
2EZ4.3D5/TR12 Microsemi Corporation 2EZ4.3D5/TR12 -
RFQ
 ECAD 6451 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 2EZ4.3 2 w DO-204AL (DO-41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 1.2 v @ 200 ma 20 µa @ 1 v 4.3 v 4.5 옴
MBRD1035CTL onsemi MBRD1035CTL -
RFQ
 ECAD 3147 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBRD1035 Schottky DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 75 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 5a 470 mV @ 5 a 2 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
VBT1080C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-M3/8W 0.6791
RFQ
 ECAD 7941 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division TMBS® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB vbt1080 Schottky to-263ab (d²pak) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 5a 720 MV @ 5 a 400 µa @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
UH4PCC-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PCC-M3/87A -
RFQ
 ECAD 6119 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division ESMP® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn uh4 기준 TO-277A (SMPC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 2A 1.05 V @ 2 a 25 ns 5 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
BAT54A/6215 NXP USA Inc. BAT54A/6215 0.0300
RFQ
 ECAD 207 0.00000000 NXP USA Inc. 자동차, AEC-Q101, BAT54 대부분 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bat54 Schottky SOT-23-3 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 30 v 200MA (DC) 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 150 ° C (°)
CDLL5253C/TR Microchip Technology CDLL5253C/TR 6.9150
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 DO-213AA 10 MW DO-213AA - 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5253C/TR 귀 99 8541.10.0050 137 1.1 v @ 200 ma 100 na @ 19 v 25 v 35 옴
BAT54W SMC Diode Solutions BAT54W 0.0289
RFQ
 ECAD 1965 0.00000000 smc 다이오드 솔루션 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C (°) 200ma 10pf @ 1v, 1MHz
JANTXV1N4126D-1 Microchip Technology jantxv1n4126d-1 28.9500
RFQ
 ECAD 5558 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4126 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 10 na @ 38.8 v 51 v 300 옴
TST40L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST40L200CW 2.8500
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 대만 대만 회사 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 TST40 Schottky TO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 880 mV @ 20 a 100 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 20A -
BZW03D68-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D68-TR -
RFQ
 ECAD 1709 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division BZW03 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 SOD-64,, 방향 BZW03 1.85 w SOD-64 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 12,500 1.2 v @ 1 a 2 µa @ 49 v 68 v 44 옴
S1BA-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BA-E3/61T -
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA S1B 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,800 짐 100 v 1.1 v @ 1 a 1 µs 3 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 8pf @ 4V, 1MHz
JANTX1N6941UTK3CS/TR Microchip Technology jantx1n6941utk3cs/tr 438.9902
RFQ
 ECAD 6498 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/726 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n6941utk3cs/tr 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 500 mV @ 50 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 175 ° C 150a 7500pf @ 5V, 1MHz
JANS1N4108UR-1 Microchip Technology JANS1N4108UR-1 48.9900
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/435 대부분 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TA) 표면 표면 DO-213AA (유리) 500MW DO-213AA - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1 1.1 v @ 200 ma 50 na @ 10.7 v 14 v 200 옴
BZX84C5V1 TR PBFREE Central Semiconductor Corp BZX84C5V1 TR PBFREE 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Central Semiconductor Corp - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
NRVHP8H200MFDT1G onsemi NRVHP8H200MFDT1G -
RFQ
 ECAD 2480 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101, SwitchMode ™ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 8-powertdfn nrvhp8 기준 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 4a 910 MV @ 8 a 30 ns 500 na @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52-B16,118 Nexperia USA Inc. BZT52-B16,118 0.0200
RFQ
 ECAD 8821 0.00000000 Nexperia USA Inc. * 대부분 활동적인 BZT52 다운로드 0000.00.0000 10,000
HZU9.1B2TRF-E Renesas Electronics America Inc hzu9.1b2trf-e 0.1100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZX55B11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B11-TAP 0.2200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101, BZX55 컷 컷 (CT) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 BZX55B11 500MW DO-35 (DO-204AH) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 8.2 v 11 v 20 옴
MBR860_T0_00001 Panjit International Inc. MBR860_T0_00001 0.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Panjit International Inc. - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR860 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 3757-MBR860_T0_00001 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 750 MV @ 8 a 50 µa @ 60 v -65 ° C ~ 175 ° C 8a -
JANS1N6350C Microchip Technology JANS1N6350C 358.7400
RFQ
 ECAD 9840 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/533 대부분 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N6350C 귀 99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 a 50 na @ 91 v 120 v 600 옴
V10PM63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pm63hm3/h 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Vishay General Semiconductor -Diodes Division 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-277, 3-powerdfn Schottky TO-277A (SMPC) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 10 a 25 µa @ 60 v -40 ° C ~ 175 ° C 4.5A 2190pf @ 4V, 1MHz
BZX584C12-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX584C12-AU_R1_000A1 0.2400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Panjit International Inc. 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZX584 200 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 100 na @ 8 v 12 v 25 옴
1N1612R Solid State Inc. 1N1612R 1.9500
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - 상자 활동적인 스터드 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 2383-1N1612R 귀 99 8541.10.0080 10 짐 50 v 1.3 V @ 30 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 16A -
KDZTR24B Rohm Semiconductor KDZTR24B 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 KDZ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 7% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZTR24 1 W. PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 19 v 25.3 v
SMBJ4744C/TR13 Microsemi Corporation SMBJ4744C/TR13 -
RFQ
 ECAD 2774 0.00000000 Microsemi Corporation - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 DO-214AA, SMB SMBJ4744 2 w SMBJ (DO-214AA) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 11.4 v 15 v 14 옴
PZS5110BCH_R1_00001 Panjit International Inc. PZS5110BCH_R1_00001 0.0324
RFQ
 ECAD 5748 0.00000000 Panjit International Inc. - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F PZS5110 500MW SOD-323HE 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,250,000 1 µa @ 7.6 v 10 v
DBLS106GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation DBLS106GHC1G -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 대만 대만 회사 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DBLS106 기준 DBLS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 1 a 2 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
PZU3.9B2L,315 NXP Semiconductors PZU3.9B2L, 315 -
RFQ
 ECAD 3873 0.00000000 nxp 반도체 - 대부분 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-882 PZU3.9 250 MW DFN1006-2 다운로드 0000.00.0000 1 1.1 v @ 100 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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