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다이오드 (166326)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MCL4154-TR	0.0281	RFQ	8066	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	MCL4154	기준		마이크로 마이크로	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	12,500	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		35 v		1 V @ 30 ma	4 ns	100 na @ 25 v	175 ° C (°)	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
vs-hfa16pa60cpbf	-	RFQ	7690	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	Hexfred®	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	HFA16	기준		TO-247AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	25	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	8A (DC)	1.7 V @ 8 a	55 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C
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BZS55C22 RXG	0.0340	RFQ	5947	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	1206 (3216 메트릭)	BZS55		500MW	1206	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 10 ma		100 na @ 16 v				22 v	55 옴
CDLL4111	4.6350	RFQ	9360	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF	CDLL4111		500MW	do-213ab	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		50 na @ 13 v				17 v	100 옴
1N5811urs	34.1700	RFQ	5631	마이크로 마이크로 기술	-	대부분	활동적인			표면 표면	SQ-Melf, b		기준		B, SQ-Mell	-			영향을받지 영향을받지	150-1n5811urs	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		875 mv @ 4 a	30 ns	5 µa @ 150 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1MHz
SURS8205T3G-VF01	-	RFQ	4408	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	SURS8205	기준		SMB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		940 MV @ 2 a	30 ns	2 µa @ 50 v	-60 ° C ~ 175 ° C	2A	-
rbr10ns30afhtl	0.5979	RFQ	1	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	RBR10	Schottky		LPD	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	10A	550 mV @ 5 a		100 µa @ 30 v	150 ° C (°)
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MBRB10H60HE3/81	-	RFQ	1840	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBRB10	Schottky		to-263ab (d²pak)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		710 MV @ 10 a		100 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 175 ° C	10A	-
JANS1N4565AUR-1	85.8150	RFQ	5436	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	표면 표면	DO-213AA			500MW	DO-213AA	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 v				6.4 v	200 옴
S56F	0.0690	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	4617-S56ftr	귀 99		3,000
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SF17GHA0G	-	RFQ	4281	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF17	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.7 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
BZT52B22-HF	0.0418	RFQ	2870	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B22-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 15.4 v				22 v	51 옴
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SB240-T	-	RFQ	4836	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-			영향을받지 영향을받지	31-SB240-TTR	귀 99	8541.10.0080	1
BZX84C12VLYFHT116	0.3800	RFQ	1	Rohm 반도체	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.42%	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 MW	SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 8 v				12 v	25 옴
ES2K	0.0400	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									-	rohs 준수		영향을받지 영향을받지	4617-es2ktr	귀 99		3,000
jantxv1n5711ub/tr	66.3300	RFQ	7889	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/444	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	4-SMD,, 없음		Schottky		ub	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantxv1n5711ub/tr	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		50 v		1 V @ 15 ma		200 na @ 50 v	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1MHz
UF1AHB0G	-	RFQ	8274	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF1A	기준		DO-204AL (DO-41)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	17pf @ 4V, 1MHz
BZD27C16P	0.2753	RFQ	9232	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.56%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZD27		1 W.	SMA	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	1801-BZD27C16PTR	귀 99	8541.10.0050	10,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12 v				16.2 v	15 옴
jantx1n3821aur-1/tr	14.2310	RFQ	1557	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/115	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-213ab, melf (유리)			1 W.	do-213ab (Melf, LL41)	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n3821aur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v				3.3 v	10 옴
SK44BL-TP	0.4500	RFQ	60	마이크로 마이크로 공동	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SK44	Schottky		DO-214AA, HSMB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		450 mV @ 4 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	4a	-
MMSZ5253C-HE3_A-18	0.0566	RFQ	3574	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	다운로드				112-MMSZ5253C-HE3_A-18TR	귀 99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 19 v				25 v	35 옴
sf11g-bp	0.0486	RFQ	5363	마이크로 마이크로 공동	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	SF11	기준		DO-41	다운로드				353-SF11G-BP	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²