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다이오드 (166326)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | 속도 | 현재 - 최대 | 전력 전력 (소실) | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) | 저항 @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1 PMT5929A/TR13 | 2.2200 |  | 8788 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5929 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 11.4 v | 15 v | 8 옴 | |||||||||||||||||
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 | SK12B | - | | 1979 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 1801-sk12btr | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 1 a | 500 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | ||||||||||||||||
| 1 PMT5934CE3/TR7 | 0.7350 | | 9967 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-216AA | 1pmt5934 | 3 w | DO-216AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 18.2 v | 24 v | 19 옴 | |||||||||||||||||
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 | PBPC802 | - | | 6871 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 상자 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, PBPC-8 | 기준 | PBPC-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 150 | 1.1 v @ 4 a | 10 µa @ 100 v | 6 a | 단일 단일 | 100 v | ||||||||||||||||||
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| mur1010-bp | 0.4200 | | 1884 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 공동 | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | mur1010 | 기준 | TO-220AC | 다운로드 | 353-MUR1010-BP | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 V @ 10 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 160pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||||
 | GSXD080A020S1-D3 | 34.6525 | | 6448 | 0.00000000 | 세미크 | - | 튜브 | 활동적인 | 섀시 섀시 | SOT-227-4, 미니 블록 | GSXD080 | Schottky | SOT-227 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 13 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 200 v | 80a | 920 MV @ 80 a | 3 ma @ 200 v | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||
 | CMKZ5261B TR | - | | 7159 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 독립 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 36 v | 47 v | |||||||||||||||||||
| MSASC75W100FV | - | | 2500 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | Thinkey ™ 4 | Schottky | Thinkey ™ 4 | - | rohs 비준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 920 MV @ 75 a | 500 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 75a | - | ||||||||||||||||||
| DAP202CT116 | - | | 1944 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-DAP202CT116TR | 쓸모없는 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | RB508FM-40SFHT106 | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RB508 | Schottky | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 연결 연결 시리즈 | 40 v | 80ma | 590 mV @ 40 ma | 35 NA @ 30 v | 150 ° C | ||||||||||||||||
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 | MMBZ5240BV_R1_00001 | 0.0189 | | 8309 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | MMBZ5240 | 200 MW | SOD-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,250,000 | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | ||||||||||||||||||
 | BZT52C4V7 | 0.0170 | | 300 | 0.00000000 | 양지 양지 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | 200 MW | SOD-323 | - | rohs 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 4617-BZT52C4V7str | 귀 99 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 2 v | 4.7 v | 80 옴 | |||||||||||||||||||
 | s1galh | 0.4000 | | 6 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | do-221ac, sma 플랫 리드 | S1G | 기준 | SMA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,500 | 짐 | 400 v | 1.1 v @ 1 a | 1 µa @ 400 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 8pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||||||
 | HSMS-2810-blkg | - | | 1671 | 0.00000000 | Broadcom Limited | - | 조각 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | HSMS-2810 | SOT-23-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 a | 1.2pf @ 0v, 1MHz | Schottky- 싱글 | 20V | 15ohm @ 5ma, 1MHz | ||||||||||||||||||||
 | DF04S-E3/77 | 0.8000 | | 289 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 4-SMD,, 날개 | DF04 | 기준 | DFS | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 400 v | 1 a | 단일 단일 | 400 v | |||||||||||||||||
| SMBG5380B/TR13 | 2.2500 | | 1966 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5380 | 5 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 86.4 v | 120 v | 170 옴 | |||||||||||||||||
 | TZM5240C-GS08 | - | | 5615 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | 175 ° C | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | TZM5240 | 500MW | SOD-80 최소값 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 v @ 200 ma | 3 µa @ 8 v | 10 v | 17 옴 | |||||||||||||||||
 | CBR6F-100 | - | | 1671 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - | 대부분 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | 4- 스퀘어, cm | cm | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | HER103G R0G | - | | 3626 | 0.00000000 | 대만 대만 회사 | - | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | HER103 | 기준 | DO-204AL (DO-41) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
| Czrer5v1b-Hf | - | | 3409 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0503 (1308 메트릭) | 150 MW | 0503/SOD-723F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 2 µa @ 2 v | 5.1 v | 50 옴 | ||||||||||||||||||
| SMBG5927B/TR13 | - | | 3336 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-215AA, SMB GULL WING | SMBG5927 | 2 w | SMBG (DO-215AA) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µa @ 9.1 v | 12 v | 6.5 옴 | |||||||||||||||||
 | JAN1N4984US | 13.0200 | | 1915 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | 군사, MIL-PRF-19500/356 | 대부분 | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | SQ-Mell, e | 1N4984 | 5 w | D-5B | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µa @ 91.2 v | 120 v | 170 옴 | |||||||||||||||||
| VS-S1059 | - | | 8958 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 대부분 | 마지막으로 마지막으로 | S1059 | - | 112-VS-S1059 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMSZ4687-E3-18 | 0.2700 | | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor -Diodes Division | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | MMSZ4687 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 4 µa @ 2 v | 4.3 v |
2000+
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