RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (166326)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)	커패시턴스 커패시턴스	커패시턴스 커패시턴스 조건	Q @ vr, f
1N4728A	0.0300	RFQ	67	페어차일드 페어차일드	-	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 20 ° C	구멍을 구멍을	축			1 W.	축	다운로드					귀 99	8541.10.0050	9,779							100 µa @ 1 v						3.3 v	10 옴
MBRD660CTT4H	-	RFQ	6611	온세미	스위치 스위치 ™	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MBRD660	Schottky		DPAK	-	Rohs3 준수	공급 공급 정의되지 업체는	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	3A	700 mv @ 3 a		100 µa @ 60 v	-65 ° C ~ 175 ° C
A437pd	-	RFQ	9729	Powerex Inc.	-	대부분	활동적인			클램프 클램프	DO-200AB, B-PUK	A437	기준		-	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1	짐		1400 v			3.5 µs		-40 ° C ~ 125 ° C	600A	-
RB050LAM-40TR	0.4800	RFQ	26	Rohm 반도체	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-128	RB050	Schottky		pmdtm	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 3 a		100 µa @ 40 v	150 ° C (°)	3A	-
mur40005ctr	-	RFQ	3094	유전자 유전자	-	대부분	쓸모없는			섀시 섀시	트윈 트윈		기준		트윈 트윈	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		mur40005ctrgn	귀 99	8541.10.0080	25	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	50 v	200a	1.3 v @ 125 a	90 ns	25 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MSASC25W80K/TR	-	RFQ	8069	마이크로 마이크로 기술	*	테이프 & tr (TR)	활동적인									-			영향을받지 영향을받지	150-MSASC25W80K/TR			100
szmm3z8v2t1gx	0.2700	RFQ	26	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323			300MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.1 v @ 100 ma		500 na @ 5 v						8.2 v	10 옴
BZV55B2V4 L0G	0.0357	RFQ	7285	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	BZV55B		500MW	미니 미니	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					1 v @ 100 ma		50 µa @ 1 v						2.4 v	85 옴
FES16DT	-	RFQ	7731	페어차일드 페어차일드	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2		기준		TO-220-2	다운로드	Rohs3 준수				귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 8 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	170pf @ 4V, 1MHz
SBS822-TL-W	-	RFQ	8810	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	6-SMD (5 d), 플랫 리드	SBS822	Schottky		5mcph	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	2 독립	20 v	1A	460 mV @ 1 a	10 ns	110 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 125 ° C
MAVR-000409-0287AT	1.5300	RFQ	2	Macom 기술 솔루션	MAVR-000400	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MAVR-000409			SOT-23	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0060	3,000										51.7pf @ 4V, 1MHz	하나의	22 v			9.5	C2/C20	150 @ 4V, 50MHz
SMBJ5940A/TR13	1.5600	RFQ	6922	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	SMBJ5940		2 w	SMBJ (DO-214AA)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v						43 v	53
SS8P3C-M3/86A	0.6700	RFQ	1	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	ESMP®	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	SS8P3	Schottky		TO-277A (SMPC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	4a	580 mV @ 4 a		300 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BZX384C8V2-HG3-08	0.3900	RFQ	14	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							700 NA @ 700 MV						8.2 v	6 옴
MMBZ5232BT-7-G	-	RFQ	6482	다이오드가 다이오드가	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	MMBZ5232BT-7-GDI	귀 99	8541.10.0050	3,000
BZX384C3V9-E3-08	0.2400	RFQ	12	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX384	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	BZX384C3V9		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 1 v						3.9 v	90 옴
hzu3.0b1jtrf-e	0.1100	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	*	대부분	활동적인									-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0050	3,000
Jan1n985bur-1/tr	4.0831	RFQ	4971	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/117	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-JAN1N985BUR-1/TR	귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		500 NA @ 76 v						100 v	500 옴
jantxv1n4106-1	-	RFQ	8130	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	sic에서 중단되었습니다	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		50 na @ 9.2 v						12 v	200 옴
BZD27C3V6P-M-08	-	RFQ	2060	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZD27-M	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	do-219ab	BZD27C3V6		800MW	DO-219AB (SMF)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.6 v	8 옴
jantx1n5531cur-1/tr	33.6357	RFQ	7057	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/437	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AA (유리)			500MW	DO-213AA	-	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-jantx1n5531cur-1/tr	귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		50 na @ 9.9 v						11 v	80 옴
BZX84C27-E3-18	0.0306	RFQ	9471	Vishay General Semiconductor -Diodes Division	BZX84	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C27		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000							50 NA @ 18.9 v						27 v	80 옴
BAL99/DG/B2215	0.0200	RFQ	345	NXP USA Inc.	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 70 v	150 ° C (°)	250ma	1.5pf @ 0v, 1MHz
FR152G	-	RFQ	7457	대만 대만 회사	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-204AC (DO-15)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1801-FR152GTR	귀 99	8541.10.0080	3,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 1.5 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5A	20pf @ 4V, 1MHz
CDLL4105/TR	3.9900	RFQ	6633	마이크로 마이크로 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-213AB, MELF			500MW	do-213ab	다운로드	Rohs3 준수		영향을받지 영향을받지	150-CDLL4105/TR	귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		50 na @ 8.5 v						11 v	200 옴
JANS1N4578A-1	75.8700	RFQ	6853	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/452	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35 (DO-204AH)	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1							2 µa @ 3 v						6.4 v	50 옴
BZX884-B6V8,315	0.3200	RFQ	3	Nexperia USA Inc.	자동차, AEC-Q100	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-882	BZX884-B6V8		250 MW	DFN1006-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
jantx1n4551rb	-	RFQ	8390	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/358	대부분	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	스터드 스터드	do-203ab, do-5, 스터드			50 W.	DO-5	-	rohs 비준수		영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 a		100 µa @ 1 v						4.7 v	0.12 옴
UG54GHB0G	-	RFQ	6265	대만 대만 회사	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	UG54	기준		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.05 V @ 5 a	20 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C	5a	-
JAN1N4127C-1	10.5000	RFQ	8146	마이크로 마이크로 기술	군사, MIL-PRF-19500/435	대부분	활동적인	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향	1N4127			DO-35 (DO-204AH)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	1					1.1 v @ 200 ma		10 NA @ 42.6 v						56 v	300 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (166326)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²