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다이오드 (2340)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
S3D06065L	2.7900	RFQ	391	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	4-vSfn s 패드	S3D06065	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		5-DFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		650 v		1.7 V @ 6 a		3 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	24A	382pf @ 0V, 1MHz
50wq10fn	0.5100	RFQ	3	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	50wq	Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		770 mv @ 5 a		1 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	-	250pf @ 5V, 1MHz
182NQ030R-1	39.7000	RFQ	44	smc 다이오드 솔루션	-	상자	활동적인			섀시 섀시	반 반	182NQ	Schottky		PRM1-1 (Half Pak 모듈)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-182NQ030R-1	귀 99	8541.10.0080	27	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		510 mV @ 180 a		15 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	180a	7000pf @ 5V, 1MHz
ABF8U	-	RFQ	3966	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	ABF8	기준		ABF	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000					1 V @ 1 a		5 µa @ 800 v		1 a		단일 단일	800 v
sz2112.t	0.6925	RFQ	100	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	주사위	SZ2112		500MW	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-1794	귀 99	8541.10.0040	100					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	30 옴
10MQ150N	0.2600	RFQ	6107	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	10MQ150	Schottky		SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		860 mv @ 1 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	45pf @ 5V, 1MHz
1SMA4762-GT3	0.0710	RFQ	4531	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	SMA (DO-214AC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 62.2 v						82 v	200 옴
161cmq035	40.4838	RFQ	2432	smc 다이오드 솔루션	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	TO-249AA	161cmq	Schottky		TO-249AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	161CMQ035SMC	귀 99	8541.10.0080	24	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	35 v	80a	880 MV @ 80 a		5 ma @ 35 v	-55 ° C ~ 175 ° C
32ctq030	1.3900	RFQ	167	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	32CTQ	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	30 v	15a	490 mV @ 15 a		1.75 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
SDUR1020CT	0.8000	RFQ	1	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	SDUR1020	기준		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	-	975 MV @ 5 a	35 ns	10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20150CTR	0.8900	RFQ	83	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF20150	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	150 v	-	900 mV @ 10 a		1 ma @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MBRF1530CTR	0.7400	RFQ	858	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	MBRF1530	Schottky		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	30 v	-	500 MV @ 7.5 a		1 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C
1C5711AG.T1	0.3175	RFQ	3559	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	1C5711	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	400	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		50 v		410 mV @ 1 ma		200 na @ 50 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1MA	2pf @ 0V, 1MHz
SD125SA45B.T2	0.5334	RFQ	2880	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD125	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		560 mV @ 15 a		1.5 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	800pf @ 5V, 1MHz
SD125SC150A.T1	1.2164	RFQ	3687	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD125	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		890 mV @ 15 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 200 ° C	15a	500pf @ 5V, 1MHz
SD125SCU100A.T1	1.2164	RFQ	3741	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD125	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	100	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		840 mV @ 15 a		350 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 200 ° C	15a	600pf @ 5V, 1MHz
SD200SA30B.T1	3.1845	RFQ	3810	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인			표면 표면	주사위	SD200	Schottky		주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0040	49	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		530 MV @ 60 a		6 ma @ 30 v	-55 ° C ~ 150 ° C	60a	3300pf @ 5V, 1MHz
SZ3714.T1	0.3226	RFQ	4049	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-40 ° C ~ 165 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SZ3714		3 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	400					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 10.5 v						14 v	8 옴
SZ3724.T2	0.1287	RFQ	8297	smc 다이오드 솔루션	-	쟁반	활동적인	± 5%	-40 ° C ~ 165 ° C (TJ)	표면 표면	주사위	SZ3724		3 w	주사위	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0050	4,000					1.1 v @ 200 ma		1 µa @ 18.2 v						24 v	19 옴
18TQ045	1.3100	RFQ	688	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	18TQ	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		35 v		600 mV @ 18 a		2.5 ma @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	18a	1400pf @ 5V, 1MHz
31dq06	0.3700	RFQ	163	smc 다이오드 솔루션	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	31dq	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,250	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		620 MV @ 3 a		2 ma @ 60 v	-40 ° C ~ 150 ° C	3.3a	160pf @ 5V, 1MHz
10ctq150	0.7400	RFQ	284	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3	10ctq	Schottky		TO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-10CTQ150	귀 99	8541.10.0080	50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	5a	930 MV @ 5 a		50 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 175 ° C
GBU2510	1.2200	RFQ	712	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBU2510	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000					1 V @ 12.5 a		5 µa @ 1000 v		25 a		단일 단일	1kv
GBU2010	1.1200	RFQ	990	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에미	GBU2010	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 10 a		5 µa @ 1000 v		20 a		단일 단일	1kv
HBS810	0.6900	RFQ	3	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		HBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500					1 V @ 8 a		5 µa @ 1000 v		8 a		단일 단일	1kv
406cmq200r	38.4400	RFQ	7	smc 다이오드 솔루션	-	상자	활동적인			섀시 섀시	prm4 분리	406cmq	Schottky		PRM4 (분리)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	1655-406CMQ200R	귀 99	8541.10.0080	9	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	200 v	200a	990 MV @ 200 a		10 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
STD860	-	RFQ	5052	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 8 a		1.12 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	-
S3D08065L	3.0300	RFQ	1	smc 다이오드 솔루션	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	4-vSfn s 패드	S3D08065	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		5-DFN (8x8)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.7 V @ 8 a	0 ns	20 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	24A	650pf @ 0V, 1MHz
DF04	0.4300	RFQ	1	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)		기준		DB-M	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.10.0080	2,500					1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v		1 a		단일 단일	400 v
DF07	0.4300	RFQ	2	smc 다이오드 솔루션	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)		기준		DB-M	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	-1765-DF07	귀 99	8541.10.0080	2,500					1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v		1 a		단일 단일	1kv

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (2340)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²