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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CSFB203-G	0.4700	RFQ	30	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CSFB203	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		920 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	2A	-
W04mg-g	-	RFQ	6891	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4., wobm		기준		WOBM	-				641-W04mg-g	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 400 v		1.5 a		단일 단일	400 v
CDBA560-HF	0.1610	RFQ	8875	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA560	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mV @ 5 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	5a	380pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C15	0.0805	RFQ	6584	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v						15 v	30 옴
Czrer10VB-HF	-	RFQ	8207	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						10 v	15 옴
acgras1w-hf	0.4100	RFQ	576	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	acgras1	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		1600 v		1.2 v @ 1 a		5 µa @ 1600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ACGRC301-HF	0.1736	RFQ	5746	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ACGRC301	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1.15 V @ 3 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	20pf @ 4V, 1MHz
CDBD660-G	-	RFQ	2511	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		DPAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		750 mv @ 6 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	6A	-
CZRFR7V5B-HF	-	RFQ	2355	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR7		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v						7.5 v	7 옴
CDBA1100-G	0.0850	RFQ	9996	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1100	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
ACGRBT305-HF	0.5500	RFQ	6032	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACGRBT305	기준		2114/do-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	23pf @ 4V, 1MHz
Czrur52c30	0.0667	RFQ	8424	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	80 옴
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BAS21C-HF	0.2500	RFQ	25	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS21	기준		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAS21C-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	250 v	400MA (DC)	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C (°)
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CDBC2100LR-HF	0.2248	RFQ	7232	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC2100	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		750 mv @ 2 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5256A-HF	0.0725	RFQ	3923	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5256		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5256A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	49 옴
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ACFRA107-HF	0.0958	RFQ	3980	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACFRA107	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ACFRA107-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12pf @ 4V, 1MHz
ES2B-HF	0.4200	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2B	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
CZRQR52C7V5-HF	-	RFQ	2423	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 5 v						7.5 v	7 옴
S10DC-HF	0.1961	RFQ	4538	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10D	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S10DC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1 V @ 10 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	100pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4750-HF	0.4800	RFQ	2678	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	ACZRA4750		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 20.6 v						27 v	35 옴
CZRA5924B-G	0.1352	RFQ	6088	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5924		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 7 v						9.1 v	4 옴
CDBHM220L-HF	-	RFQ	9027	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM220	Schottky		MBS-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000					550 mV @ 2 a		1 ma @ 20 v		2 a		단일 단일	20 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²