RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
1N5400T-G	0.1260	RFQ	2502	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	1N5400	기준		DO-27 (DO-201AD)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	짐		50 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 50 v	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
CDBU40-HF	0.0600	RFQ	5783	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu40	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CDSH6-16-G	-	RFQ	6022	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-563, SOT-666		기준		SOT-563	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSH6-16-GTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 독립	75 v	200ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	150 ° C
ACDBUC0230-HF	0.4200	RFQ	10	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACDBUC0230	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 30 v	-40 ° C ~ 125 ° C	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CZRU52C2	0.3300	RFQ	50	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2 v	100 옴
cdbu43	0.0600	RFQ	3783	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
CGRMT4004-HF	0.4400	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CGRMT4004	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
US2DWF-HF	0.0828	RFQ	8737	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	US2D	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2DWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
BZX84C43CC-HF	0.0492	RFQ	4097	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.98%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C43		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C43CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		50 NA @ 30.1 v						43 v	150 옴
CZRT5237B-G	0.0476	RFQ	4156	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5237		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v						8.2 v	8 옴
CDBUR0145	0.0700	RFQ	4078	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		45 v		550 mV @ 100 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	9pf @ 10V, 1MHz
CGRC302-HF	0.1488	RFQ	1073	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC302	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRC302-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 100 v	150 ° C	3A	-
CDBD650-G	-	RFQ	8870	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		DPAK	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		750 mv @ 6 a		500 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	-
CZRW4687-G	-	RFQ	2319	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4687-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		4 µa @ 2 v						4.3 v
ACGRA4003-HF	0.0500	RFQ	9719	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACGRA4003	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CDSUR400B-HF	0.0575	RFQ	3911	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDSUR400	기준		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
MMSZ5255B-HF	0.0487	RFQ	1663	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5255		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5255B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v						28 v	44 옴
ABZT52B3V6-HF	0.0690	RFQ	6376	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.94%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABZT52B3V6-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		4.5 µa @ 1 v						3.6 v	95 옴
CDSER400B	0.0661	RFQ	4481	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDSER400	기준		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
CGRM4007-HF	0.0690	RFQ	8529	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CGRM4007	기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q9092165	귀 99	8541.10.0080	2,500	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRT5239B-G	0.0476	RFQ	3465	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5239		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 7 v						9.1 v	10 옴
AS1M-HF	0.3000	RFQ	4	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	AS1M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDBZ0130L-HF	0.4300	RFQ	7	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0201 (0603 메트릭)	CDBZ0130	Schottky		0201 (0603 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		370 mV @ 10 ma		7 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	-
CZRA4735-HF	0.1550	RFQ	1127	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4735		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 3 v						6.2 v	2 옴
ABZT52C7V5-HF	0.0690	RFQ	1121	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C7V5-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v						7.5 v	15 옴
AMMSZ5228B-HF	0.0725	RFQ	8198	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5228		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5228B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	23 옴
B4S-HF	0.1101	RFQ	5730	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	B4S	기준		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000					1.1 v @ 800 ma		5 µa @ 400 v		800 MA		단일 단일	400 v
CZRFR52C2	0.0805	RFQ	4251	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2 v	100 옴
BZT52B5V1-HF	0.0418	RFQ	1927	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B5V1-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1.8 µa @ 2 v						5.1 v	56 옴
CDBV3-70A-G	-	RFQ	2016	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SC-70, SOT-323		Schottky		SOT-323	-				641-CDBV3-70A-GTR	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	70 v	70MA (DC)	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-40 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²