RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBFR0230L	0.0700	RFQ	6317	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0230	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
ACZRW5234B-HF	0.0511	RFQ	7150	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5234B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 4 v				6.2 v	7 옴
CDBP00340-HF	0.0919	RFQ	8914	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-723	CDBP00340	Schottky		SOD-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBP00340-HFTR	귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		370 mV @ 1 ma		500 NA @ 30 v	125 ° C	30ma	2pf @ 1v, 1MHz
CZRT5256B-G	0.0476	RFQ	5483	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5256		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v				30 v	49 옴
S10BC-HF	0.1961	RFQ	1625	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10B	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S10BC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1 V @ 10 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	100pf @ 4V, 1MHz
US5DB-HF	0.1783	RFQ	3524	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US5D	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US5DB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 5 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	-
Czrer52c2v2	-	RFQ	4215	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c2v2		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v				2.2 v	100 옴
Czrur52C16-HF	0.0667	RFQ	5646	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c16		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	40
FR204GA-G	0.0600	RFQ	2410	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR204GA-G	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CZRV5242B-G	0.0595	RFQ	9424	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5242		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	30 옴
CDBD10200-HF	-	RFQ	2651	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	-		1 (무제한)		641-CDBD10200-HF	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	10A	1 V @ 5 a		500 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
Czrer15VB-HF	-	RFQ	2897	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	32 옴
CUR805-G	-	RFQ	3650	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	cur80	기준		TO-220AC	-	Rohs3 준수			641-cur805-g	귀 99	8541.10.0080	1	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 8 a	60 ns	10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	8a	40pf @ 4V, 1MHz
CZRA5930B-G	0.1352	RFQ	9870	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5930		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12.2 v				16 v	10 옴
MMSZ5245B-HF	0.0487	RFQ	7184	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5245		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5245B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	16 옴
1N5255B-G	-	RFQ	9997	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5255B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 21 v				28 v	44 옴
US5MC-HF	0.1426	RFQ	1894	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US5m	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US5MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.65 V @ 5 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C16-HF	0.0621	RFQ	5655	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C16		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v				16 v	40
CZRC5373B-G	-	RFQ	6068	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRC5373B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 51.7 v				68 v	44 옴
CZRB3056-HF	-	RFQ	6258	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3056-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 42.6 v				56 v	50 옴
ACDSW21-G	0.0496	RFQ	1684	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	ACDSW21	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	-	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
AES1B-HF	0.0980	RFQ	8173	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	AES1	기준		DO-214AC (SMA)	-	rohs 준수			641-AES1B-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		980 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZX84C7V5CC-HF	0.0492	RFQ	9449	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C7		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C7V5CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
SS26BF-HF	0.0850	RFQ	5369	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	SS26	Schottky		SMBF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 2 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	220pf @ 4V, 1MHz
CZRA4728-HF	0.1550	RFQ	1775	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4728		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v				3.3 v	10 옴
MMSZ5231B-HF	0.0487	RFQ	8942	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5231		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5231B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v				5.1 v	17 옴
CDBD2080-G	-	RFQ	2682	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB		Schottky		D2PAK	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	80 v	20A (DC)	850 mv @ 10 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRL55C10-G	-	RFQ	6213	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C10-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 7.5 v				10 v	15 옴
CZRQR52C6V2-HF	-	RFQ	6424	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR52		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v				6.2 v	10 옴
CZRA4748-HF	0.1550	RFQ	8246	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4748		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 16.7 v				22 v	23 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²