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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBA340LL-G	-	RFQ	1250	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA340	Schottky		DO-214AC (SMA)	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q3036065A	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		400 mV @ 3 a		1.5 ma @ 40 v	125 ° C (°)	3A	-
CDBC240SLR-HF	-	RFQ	2147	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		400 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CSFC303-G	0.1961	RFQ	1299	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CSFC303	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 3 a	35 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	3A	-
CEFB103-G	-	RFQ	1763	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CEFB103	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		875 mv @ 1 a	25 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	1A	-
ACDBB560-HF	0.2201	RFQ	9887	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ACDBB560	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 5 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	210pf @ 4V, 1MHz
CGRB301-g	0.1403	RFQ	9234	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB301	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 50 v	150 ° C (°)	3A	-
CDBMH150-HF	-	RFQ	8166	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		700 mv @ 1 a		200 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBV6-54SD-G	0.1370	RFQ	6958	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDBV6-54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 연결 연결 시리즈	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
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CZRC5380B-HF	-	RFQ	8703	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5380B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 91.2 v						120 v	170 옴
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CDBJSC101700-G	-	RFQ	9323	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-2	CDBJSC101700	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-220-2	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	50	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		1700 v		1.7 V @ 10 a	0 ns	100 µa @ 1700 v	-55 ° C ~ 175 ° C	35a	1400pf @ 0V, 1MHz
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CZRA5924B-G	0.1352	RFQ	6088	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5924		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 7 v						9.1 v	4 옴
CZRF3V6B-HF	-	RFQ	4352	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF3V6		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
BAS21-HF	0.2300	RFQ	41	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS21	기준		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAS21-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		250 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 v	150 ° C	400ma	5pf @ 0V, 1MHz
CZRW55C6V8-G	-	RFQ	3357	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
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Czrer3v6b-Hf	-	RFQ	6159	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
CDBC3150-HF	0.5900	RFQ	13	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC3150	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mV @ 3 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CDBUR0520	0.4200	RFQ	29	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
ABZT52C4V7-HF	0.0690	RFQ	7737	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C4V7-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v						4.7 v	80 옴
CDBB1100-HF	0.3800	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB1100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		810 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
Czru30VB-HF	0.0680	RFQ	3478	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU30		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	78 옴
KBP204G-G	0.6900	RFQ	247	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP	KBP204	기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1735	귀 99	8541.10.0080	500					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 400 v		2 a		단일 단일	400 v

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²