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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRSC55C5V6-G	-	RFQ	9476	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 13.7 v				5.6 v	30 옴
CDBB2150-HF	0.4100	RFQ	103	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB2150	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		875 mv @ 2 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
CDBQC40-HF	0.0476	RFQ	5129	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-CDBQC40-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
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CZRF52C2V4-HF	0.0805	RFQ	9417	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v				2.4 v	85 옴
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CZRFR9V1B-HF	-	RFQ	2594	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR9		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v				9.1 v	10 옴
CZRV5235B-G	0.0595	RFQ	8664	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5235		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v				6.8 v	5 옴
czrqr6v2b-hf	-	RFQ	1873	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR6		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
ACZRC5352B-G	0.3480	RFQ	8557	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5352		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 11.5 v				15 v	2.5 옴
CDST-21A-G	-	RFQ	8171	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	250 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	1 µa @ 200 v	150 ° C (°)
CDBB3100-G	0.5000	RFQ	52	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	125 ° C (°)	3A	-
AES2HF-HF	0.1084	RFQ	9327	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	AES2HF	기준		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		500 v		1.7 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 500 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CEFB105-G	-	RFQ	5878	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CEFB105	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.25 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 600 v	150 ° C (°)	1A	-
ACZRW5245B-G	0.0556	RFQ	1818	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5245		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	16 옴
1N4007B-G	0.2100	RFQ	48	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4007	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²