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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | CDBB160-G | 0.3500 | ![]() | 8865 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CDBB160 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 700 mv @ 1 a | 500 µa @ 60 v | 125 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||
![]() | CDBB2100LR-HF | 0.1814 | ![]() | 1076 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CDBB2100 | Schottky | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 750 mv @ 2 a | 500 µa @ 100 v | -50 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Czrur52c11-Hf | 0.0667 | ![]() | 5817 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | Czrur52c11 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8.5 v | 11 v | 20 옴 | |||||||||||
![]() | AMMSZ5229B-HF | 0.0725 | ![]() | 2245 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | AMMSZ5229 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-AMMSZ5229B-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 5 µa @ 1 v | 4.3 v | 22 옴 | ||||||||||||
![]() | CZRF52C13-HF | 0.0805 | ![]() | 4912 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRF52 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 10 v | 13 v | 20 옴 | |||||||||||
![]() | CZRB3130-G | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | - | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CZRB3130 | 3 w | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.5 v @ 200 ma | 500 NA @ 98.8 v | 130 v | 375 옴 | |||||||||||
![]() | ACZRC5356B-G | 0.3480 | ![]() | 3241 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | ACZRC5356 | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 NA @ 14.4 v | 19 v | 3 옴 | |||||||||||
![]() | RS5BC-HF | 0.1783 | ![]() | 4913 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | RS5B | 기준 | DO-214AB (SMC) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-RS5BC-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 1.3 V @ 5 a | 150 ns | 5 µa @ 100 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 5a | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | CZRL55C16-G | - | ![]() | 1892 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5.63% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C16-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | ||||||||||||
![]() | 1N5244B-G | - | ![]() | 7912 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-1N5244B-GTB | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 v @ 200 ma | 100 na @ 10 v | 14 v | 15 옴 | ||||||||||||
![]() | Czrnc55c51-g | - | ![]() | 8098 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 500MW | 1206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 38.3 v | 51 v | 125 옴 | ||||||||||||||
![]() | CZRQR52C3V3-HF | - | ![]() | 1340 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | CZRQR52 | 125 MW | 0402 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 25 µa @ 1 v | 3.3 v | 95 옴 | |||||||||||
![]() | CZRA4729-HF | 0.1550 | ![]() | 9215 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | DO-214AC, SMA 플랫 리드 | CZRA4729 | 1 W. | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µa @ 1 v | 3.6 v | 10 옴 | |||||||||||
![]() | CZRW5238B-G | 0.0556 | ![]() | 5817 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CZRW5238 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 3 µa @ 6.5 v | 8.7 v | 8 옴 | |||||||||||
![]() | CDBF0230L-HF | - | ![]() | 1141 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CDBF0230 | Schottky | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µa @ 10 v | 125 ° C (°) | 200ma | - | ||||||||||
![]() | CZRW4716-G | - | ![]() | 8203 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | 350 MW | SOD-123 | 다운로드 | 641-CZRW4716-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mV @ 10 ma | 10 na @ 29.6 v | 39 v | |||||||||||||||
![]() | CDSV-21-G | 0.0561 | ![]() | 8112 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | CDSV-21 | 기준 | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 v | -65 ° C ~ 150 ° C | 200ma | 5pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | CZRW55C13-G | - | ![]() | 1928 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123 | CZRW55 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 옴 | |||||||||||
![]() | UF3004-G | 0.1615 | ![]() | 6737 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | DO-201AA, DO-27, 축 방향 | UF3004 | 기준 | DO-27 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,200 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 300 v | 1.3 v @ 3 a | 50 ns | 5 µa @ 300 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | CDBER00340-HF | - | ![]() | 7997 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 0503 (1308 메트릭) | CDBER00340 | Schottky | 0503/SOD-723F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 370 mV @ 1 ma | 1 µa @ 40 v | 125 ° C (°) | 30ma | 1.5pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | ES2A-HF | 0.4200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | ES2A | 기준 | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 1 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 40pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CDBQR70-HF | 0.3900 | ![]() | 371 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 마지막으로 마지막으로 | 표면 표면 | 0402 (1005 메트릭) | CDBQR70 | Schottky | 0402/SOD-923F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 70 v | 1 V @ 15 ma | 5 ns | 100 na @ 50 v | 125 ° C (°) | 70ma | 2pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | CZRF15VB | 0.0680 | ![]() | 7390 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRF15 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 11 v | 15 v | 32 옴 | |||||||||||
![]() | CDBM120L-HF | 0.1353 | ![]() | 1159 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123T | CDBM120 | Schottky | SMA/SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 380 mV @ 1 a | 1 ma @ 20 v | -55 ° C ~ 100 ° C | 1A | 130pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CZRU52C11-HF | 0.0621 | ![]() | 3942 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | CZRU52C11 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 8.5 v | 11 v | 20 옴 | |||||||||||
![]() | MBR1060CD-HF | 0.3398 | ![]() | 4533 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MBR1060 | Schottky | D-PAK (TO-252) | - | 1 (무제한) | 641-MBR1060CD-HFTR | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 60 v | 10A | 800 mV @ 5 a | 80 @ 60 v | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
![]() | CDBMT250-HF | - | ![]() | 9170 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123H | Schottky | SOD-123H | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 50 v | 700 mv @ 2 a | 500 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 160pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | Czrur52c16 | 0.0667 | ![]() | 7056 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 12 v | 16 v | 40 | ||||||||||||
![]() | CDBV220-HF | 0.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | Schottky | SOD-323 | 다운로드 | rohs 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 550 mV @ 2 a | 100 µa @ 20 v | -40 ° C ~ 125 ° C | 2A | 120pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CZRL55C3V3-G | - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.06% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C3V3-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 2 µa @ 1 v | 3.3 v | 90 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고