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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
AS1M-HF	0.3000	RFQ	4	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	AS1M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
DB103-G	-	RFQ	4801	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DB103	기준		DB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		10 µa @ 200 v		1 a		단일 단일	200 v
cura103-g	0.1170	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	cura103	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	1A	-
CDSU400B-HF	0.0552	RFQ	2212	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDSU400	기준		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q9122528	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
CDBA10CST0130L-HF	0.1370	RFQ	9264	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	10-xfdfn		Schottky		DFN2510-10	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-CDBA10CST0130L-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	4 독립	30 v	100MA (DC)	370 mV @ 10 ma		7 µa @ 10 v	-55 ° C ~ 150 ° C
S2GB-HF	0.0863	RFQ	9569	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2GB	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S2GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		400 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
ACZRT55C5V1-G	0.3700	RFQ	719	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ACZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v						5.1 v	60 옴
CEFB101-G	-	RFQ	8244	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		875 mv @ 1 a	25 ns	5 µa @ 50 v	150 ° C (°)	1A	-
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CZRW55C5V1-G	-	RFQ	9796	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v						5.1 v	60 옴
Czrer52c6v2	-	RFQ	6840	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v						6.2 v	10 옴
CZRT5226B-HF	0.0620	RFQ	8717	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5226		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5226B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	28 옴
CZRA4761-HF	0.1550	RFQ	2578	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4761		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4761-HFTR	귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 56 v						75 v	175 옴
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Czrur52c3v6-Hf	0.0667	RFQ	3028	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c3v6		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	95 옴
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CZRQR2V4B-HF	-	RFQ	4793	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	czrqr2		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.4 v	100 옴
FR206GT-G	0.0600	RFQ	4168	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR206GT-GTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
6A01B-G	0.2261	RFQ	2124	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200	짐		100 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
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CDBQR0240LR-HF	-	RFQ	7263	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드				641-CDBQR0240LR-HFTR	귀 99	8541.10.0080	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		580 mV @ 200 mA		5 µa @ 40 v	-40 ° C ~ 125 ° C	200ma	25pf @ 1v, 1MHz
Czrur3v3b-Hf	0.0680	RFQ	5445	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur3v3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	95 옴
Czrnc55c2v4-g	-	RFQ	6036	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 1 v						2.4 v	85 옴
CDBMT220L-G	-	RFQ	2241	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		380 mV @ 2 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 100 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CDBU0130-HF	0.0764	RFQ	5212	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu0130	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		440 mV @ 100 ma		30 µa @ 30 v	125 ° C (°)	100ma	9pf @ 10V, 1MHz
CZRT5226B-G	0.0476	RFQ	6579	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5226		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v						3.3 v	28 옴
CZRT5229B-HF	0.0620	RFQ	3896	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5229		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5229B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	22 옴
ACZRM5237B-HF	0.0610	RFQ	1960	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5237		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							3 µa @ 6.5 v						8.2 v	8 옴
MBR20100CGD-HF	0.7484	RFQ	4644	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	MBR20100	Schottky		To-263 (d²pak)	-		1 (무제한)		641-MBR20100CGD-HFTR			800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	850 mv @ 10 a		50 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²