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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	전압 -dc c (vr) (최대)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRT5251B-HF	0.0620	RFQ	6295	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5251		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5251B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	29 옴
GBL08-G	0.7662	RFQ	7857	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBL08	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20			1 V @ 2 a		10 µa @ 800 v		4 a		단일 단일	800 v
CZRT5248B-G	0.0476	RFQ	1732	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5248		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v						18 v	21 옴
CZRF52C3V9	0.0805	RFQ	6056	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	95 옴
CZRL55C3V6-G	-	RFQ	1119	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.56%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C3V6-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500			1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
RS2M-HF	0.3700	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	22pf @ 4V, 1MHz
GBU1510-G	1.5300	RFQ	96	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU1510	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20			1 V @ 7.5 a		10 µa @ 1000 v		15 a		단일 단일	1kv
CDSF4148	0.3500	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDSF4148	기준		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	75 v	1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
1N5249B-G	-	RFQ	2737	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5249B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000			1.1 v @ 200 ma		100 na @ 14 v						19 v	23 옴
ACURN103-HF	0.4100	RFQ	26	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACURN103	기준		1206/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	600 v	1.7 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
Czrur5v1b-Hf	0.0680	RFQ	5630	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur5v1		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		2 µa @ 2 v						5.1 v	50 옴
AMMSZ5241A-HF	0.0725	RFQ	6558	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5241		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5241A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		3 µa @ 8.4 v						11 v	22 옴
CDBQC140L-HF	0.0505	RFQ	7002	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CDBQC140	Schottky		0402C/SOD-923F	-		1 (무제한)		641-CDBQC140L-HFTR			5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	560 mV @ 1 a		40 V @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	125pf @ 0V, 1MHz
US2MWF-HF	0.0828	RFQ	1086	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	US2M	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2MWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1000 v	1.68 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
AMMSZ5260A-HF	0.0725	RFQ	6816	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5260		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5260A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 33 v						43 v	93 옴
CDBC5150-HF	0.7500	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC5150	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	150 v	870 mV @ 5 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	5a	380pf @ 4V, 1MHz
CDBM140L-HF	0.1320	RFQ	8153	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CDBM140	Schottky		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	40 v	400 mV @ 1 a		1 ma @ 40 v	-55 ° C ~ 100 ° C	1A	130pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C6V2-HF	0.0805	RFQ	7227	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v						6.2 v	10 옴
CZRT55C10-G	0.0620	RFQ	1293	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		200 na @ 7 v						10 v	20 옴
CZRW4692-G	-	RFQ	9379	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4692-GTR	귀 99	8541.10.0050	1			900 mV @ 10 ma		10 µa @ 5.1 v						6.8 v
Czrer22VB-HF	-	RFQ	2653	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	55 옴
CZRL55C62-G	-	RFQ	2755	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.45%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C62-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500			1.5 v @ 200 ma		100 na @ 47 v						62 v	150 옴
SS220B-HF	0.0990	RFQ	2447	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS220	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	200 v	950 MV @ 2 a		300 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	110pf @ 4V, 1MHz
CDBFR0230R-HF	0.0805	RFQ	7368	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0230	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	30 v	500 mV @ 200 mA		30 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CZRB3170-HF	-	RFQ	4657	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3170-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000			1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 130.4 v						170 v	650 옴
Czrer20VB-HF	-	RFQ	4369	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000			900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v						20 v	48 옴
CDBU0245	0.0775	RFQ	5184	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0245	Schottky		0603/SOD-523F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBU0245TR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	45 v	550 mV @ 200 mA		1 µa @ 10 v	125 ° C	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
ACZRW5228B-G	0.0556	RFQ	5786	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5228		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	23 옴
CDBUR0240	0.0805	RFQ	4876	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	40 v	550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
ACZRC5386B-G	0.3480	RFQ	1959	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5386		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000			1.2 v @ 1 a		500 NA @ 137 v						180 v	430 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²