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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRT55C16-G	0.0620	RFQ	4310	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11.2 v				16 v	40
CDBD540-HF	-	RFQ	9666	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		Schottky		DPAK	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBD540-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	5a	-
SR3150-HF	0.2210	RFQ	8224	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향		Schottky		DO-27	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-SR3150-HFTB	귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mV @ 3 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
Czrer6v2b-Hf	-	RFQ	1018	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 4 v				6.2 v	10 옴
CGRA4004-HF	0.0540	RFQ	3609	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CGRA4004	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRA4004-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.1 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4737-HF	0.1711	RFQ	4698	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4737		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 5 v				7.5 v	4 옴
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BAS416-HF	0.2100	RFQ	2872	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAS416	기준		SOD-323	-		1 (무제한)					3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 150 mA	3 µs	5 na @ 75 v	150 ° C	200ma	4pf @ 0V, 1MHz
CZRF52C2V2-HF	0.0805	RFQ	1995	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v				2.2 v	100 옴
ACZRC5344B-G	0.3480	RFQ	4740	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5344		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.2 v				8.2 v	1.5 옴
CDBF0530	0.4700	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0530	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		470 mV @ 500 mA		100 µa @ 20 v	125 ° C (°)	500ma	100pf @ 0V, 1MHz
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Czrer8v2b-Hf	-	RFQ	9444	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 6.5 v				8.2 v	7 옴
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CZRB5379B-HF	0.2401	RFQ	6151	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5379		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 83.6 v				110 v	125 옴
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BZT52B36-HF	0.0418	RFQ	4454	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B36-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 25.2 v				36 v	84 옴
CDBVRL240-HF	0.0397	RFQ	7286	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)	CDBVRL240	Schottky		WBFBP-02L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		580 mV @ 2 a		50 µa @ 40 v	125 ° C	2A	180pf @ 0V, 1MHz
ACGRAT101-HF	0.1076	RFQ	9362	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2-SMD,, 없음	acgrat101	기준		2010/DO-214AC	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8pf @ 4V, 1MHz
BZX84C22CC-HF	0.0492	RFQ	1850	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.68%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C22		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C22CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		50 NA @ 15.4 v				22 v	55 옴
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CDBV6-54SD-G	0.1370	RFQ	6958	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDBV6-54	Schottky		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	2 연결 연결 시리즈	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-65 ° C ~ 125 ° C
CEFB203-G	0.5100	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CEFB203	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		875 mv @ 2 a	25 ns	5 µa @ 200 v	150 ° C (°)	2A	-
S2K-HF	0.0621	RFQ	2757	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S2K	기준		DO-214AC (SMA)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S2K-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		800 v		1.1 v @ 2 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	25pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C3V3	0.3400	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C3V3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		25 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
ACZRW5256B-G	0.0556	RFQ	6871	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5256		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v				30 v	49 옴
S1D-HF	0.2000	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CGRMT4003-HF	-	RFQ	4630	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
BZT52B2V7-HF	0.0418	RFQ	8507	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B2V7-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		18 µa @ 1 v				2.7 v	94 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²