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다이오드 (4456)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 전압 -dc c (vr) (최대) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BR1510-G Comchip Technology BR1510-G -
RFQ
 ECAD 7662 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, br 기준 Br - 641-BR1510-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBJ15005-G Comchip Technology GBJ15005-G -
RFQ
 ECAD 8107 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ - 641-GBJ15005-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 7.5 a 10 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
C50VB80-G Comchip Technology C50VB80-G -
RFQ
 ECAD 2174 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 4- 스퀘어, CVB 기준 CVB - 641-C50VB80-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.05 V @ 25 a 10 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
BR1501-G Comchip Technology BR1501-G -
RFQ
 ECAD 6039 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, br 기준 Br - 641-BR1501-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
BR1502-G Comchip Technology BR1502-G -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, br 기준 Br - 641-BR1502-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
KBU606-G Comchip Technology KBU606-G -
RFQ
 ECAD 9567 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - 641-KBU606-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
GBJ3510-G Comchip Technology GBJ3510-G -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ - 641-GBJ3510-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
W02MG-G Comchip Technology W02mg-g -
RFQ
 ECAD 8550 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4., wobm 기준 WOBM - 641-W02mg-g 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 1.5 a 10 µa @ 200 v 1.5 a 단일 단일 200 v
KBU804-G Comchip Technology KBU804-G -
RFQ
 ECAD 5117 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - 641-KBU804-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 4 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
KBU608-G Comchip Technology KBU608-G -
RFQ
 ECAD 1801 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU - 641-KBU608-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 3 a 10 µa @ 800 v 6 a 단일 단일 800 v
GBJ1510-G Comchip Technology GBJ1510-G -
RFQ
 ECAD 3663 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ - 641-GBJ1510-G 귀 99 8541.10.0080 1 1 V @ 7.5 a 10 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBJ3501-G Comchip Technology GBJ3501-G -
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ - 641-GBJ3501-G 귀 99 8541.10.0080 1 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 35 a 단일 단일 100 v
CZRL55C47-G Comchip Technology CZRL55C47-G -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.38% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C47-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 36 v 47 v 110 옴
CZRL55C7V5-G Comchip Technology Czrl55c7v5-g -
RFQ
 ECAD 6879 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6% 175 ° C (TJ) 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW SOD-80 최소값 - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRL55C7V5-GTR 귀 99 8541.10.0050 2,500 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
GBJ2508-HF Comchip Technology GBJ2508-HF 0.9522
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ2508 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-GBJ2508-HF 귀 99 8541.10.0080 15 1 V @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 3.5 a 단일 단일 800 v
GBU2508-HF Comchip Technology GBU2508-HF 1.0898
RFQ
 ECAD 7460 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU2508 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-GBU2508-HF 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
MMSZ4708-HF Comchip Technology MMSZ4708-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4708 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 16.7 v 22 v
MMSZ4710-HF Comchip Technology MMSZ4710-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 1655 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4710 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 19 v 25 v
MMSZ4713-HF Comchip Technology MMSZ4713-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4713 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 22.8 v 30 v
SS36F-HF Comchip Technology SS36F-HF 0.0837
RFQ
 ECAD 6203 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA SS36 Schottky smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 700 mv @ 3 a 500 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
ABS210-HF Comchip Technology ABS210-HF 0.1070
RFQ
 ECAD 1332 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 abs210 기준 ABS/LBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 1 V @ 2 a 5 µa @ 1000 v 2 a 단일 단일 1kv
AES2DF-HF Comchip Technology AES2DF-HF 0.1084
RFQ
 ECAD 2855 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA AES2DF 기준 smaf 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 950 MV @ 2 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MMSZ4707-HF Comchip Technology MMSZ4707-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 3897 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4707 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 na @ 15.2 v 20 v
MMSZ4687-HF Comchip Technology MMSZ4687-HF 0.2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4687 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 4 µa @ 2 v 4.3 v
SS510BF-HF Comchip Technology SS510BF-HF 0.1740
RFQ
 ECAD 3303 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SS510 Schottky SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 850 mV @ 5 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 500pf @ 4V, 1MHz
SS515BF-HF Comchip Technology SS515BF-HF 0.1813
RFQ
 ECAD 4409 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-221AA, SMB 플랫 리드 SS515 Schottky SMBF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mV @ 5 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 500pf @ 4V, 1MHz
CSPB30M-HF Comchip Technology CSPB30M-HF 0.2880
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 comchip 기술 Super Planar ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 리드 CSPB30 기준 4-SPB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,500 1.15 V @ 3 a 10 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
MMSZ4711-HF Comchip Technology MMSZ4711-HF 0.0476
RFQ
 ECAD 6502 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 MMSZ4711 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 NA @ 20.4 v 27 v
CDSF355-B01 Comchip Technology CDSF355-B01 -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 1005 (2512 25) 1005 (2512 25) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDSF355-B01TR 귀 99 8541.10.0070 4,000
S3GC-HF Comchip Technology S3GC-HF 0.1091
RFQ
 ECAD 4458 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC S3GC 기준 DO-214AB (SMC) - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-S3GC-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 짐 400 v 1 V @ 3 a 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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