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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5256B-HF	0.0487	RFQ	9120	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5256		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5256B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	49 옴
ABZT52C11-HF	0.0690	RFQ	7313	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.45%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C11-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						11 v	20 옴
US2BWF-HF	0.0828	RFQ	4879	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	US2B	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2BWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CDBB3100-HF	0.5000	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3100	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		810 mV @ 3 a		500 µa @ 100 v	-40 ° C ~ 70 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CDBHM160L-HF	0.7800	RFQ	428	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	TO-269AA, 4- 베스 외	CDBHM160	Schottky		MBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500					650 mV @ 1 a		500 µa @ 60 v		1 a		단일 단일	60 v
CZRFR52C22	0.0805	RFQ	4770	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	55 옴
US3DC-HF	0.1471	RFQ	4008	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US3D	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US3DC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 3 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
BZT52C12-HF	0.0476	RFQ	1564	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C12-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						12 v	25 옴
ACZRM5225B-HF	0.0610	RFQ	7530	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5225		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							50 µa @ 1 v						3 v	29 옴
CZRT5241B-HF	0.0620	RFQ	9727	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5241		300MW	SOT-23-3	다운로드	ROHS3 준수	1 (무제한)		641-CZRT5241B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 8.4 v						11 v	22 옴
CGRMT4007-HF	0.4400	RFQ	16	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CGRMT4007	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDBMH340-HF	-	RFQ	3260	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CDBMH340	Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
CZRFR33VB-HF	-	RFQ	7106	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR33		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v						33 v	88 옴
SS520-HF	0.1668	RFQ	8802	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS520	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CDSFR4448	0.0667	RFQ	6221	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)		기준		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	9 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	125MA	9pf @ 0.5V, 1MHz
CDBD20200-G	1.2600	RFQ	9455	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CDBD20200	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A (DC)	1 V @ 10 a		500 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CDBFR0130L-HF	-	RFQ	9776	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBFR0130L-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		350 mV @ 10 ma		10 µa @ 10 v	125 ° C	100ma	-
Czrnc55c51-g	-	RFQ	8098	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 38.3 v						51 v	125 옴
1N5244B-G	-	RFQ	7912	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5244B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
CZRW4716-G	-	RFQ	8203	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4716-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 na @ 29.6 v						39 v
S3DB-HF	0.0932	RFQ	2609	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S3DB	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S3DB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.1 v @ 3 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	35pf @ 4V, 1MHz
CZRA4729-HF	0.1550	RFQ	9215	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4729		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.6 v	10 옴
CZRW55C13-G	-	RFQ	1928	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v						13 v	30 옴
CZRF52C27	0.0805	RFQ	4322	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
CZRF27VB-HF	-	RFQ	6241	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF27		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v						27 v	70 옴
CDBUR0140R	0.4300	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBUR0140	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CZRF52C36-HF	0.0805	RFQ	5811	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v						36 v	90 옴
CDSZ01100-HF	0.4400	RFQ	89	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0201 (0603 메트릭)	CDSZ01100	기준		0201 (0603 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	500 NA @ 80 v	-40 ° C ~ 150 ° C	100ma	3pf @ 0V, 1MHz
SS56F-HF	0.1350	RFQ	4572	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS56	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 5 a		1 ma @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5232B-HF	0.0725	RFQ	8834	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5232		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5232B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 3 v						5.6 v	11 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²