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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
ACZRW5228B-G	0.0556	RFQ	5786	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5228		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	23 옴
CDBFR0230R-HF	0.0805	RFQ	7368	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0230	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
CSFA105-G	0.4300	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CSFA105	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.5 v @ 1 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
KBP2005G-G	0.2944	RFQ	8704	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBP	KBP2005	기준		KBP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 50 v		2 a		단일 단일	50 v
KBU2508-G	-	RFQ	5169	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU	KBU2508	기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400					1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 800 v		3.6 a		단일 단일	800 v
CDBM220-G	-	RFQ	1687	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		Schottky		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CZRW4713-G	-	RFQ	7292	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4713-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 na @ 22.8 v						30 v
ACZRW5243B-HF	0.0511	RFQ	1441	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5243B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 9.9 v						13 v	13 옴
CZRB5388B-HF	0.2401	RFQ	8911	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5388		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 152 v						200 v	480 옴
CZRQC4V7B-HF	0.0652	RFQ	7298	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.55%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC4		125 MW	0402C/SOD-923F	-	rohs 준수			641-CZRQC4V7B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v						4.7 v	70 옴
DF206-G	0.6000	RFQ	1	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm)	DF206	기준		4-DF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 2 a		10 µa @ 600 v		2 a		단일 단일	600 v
Czrer52C2V7-HF	-	RFQ	1816	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c2v7		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v						2.7 v	83 옴
S2T-HF	0.1172	RFQ	4317	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	S2T	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1300 v		1.1 v @ 1.5 a		5 µa @ 1300 v	-65 ° C ~ 150 ° C	1.5A	-
CZRC5351B-HF	-	RFQ	7144	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5351B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 10.6 v						14 v	2.5 옴
CZRF52C9V1	0.0805	RFQ	8809	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v						9.1 v	10 옴
CDBWL0240L-HF	0.4000	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	01005 (0402 메트릭)		Schottky		1005	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	10,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		540 mV @ 200 mA		30 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	6pf @ 5V, 1MHz
CDBH3-54C-G	-	RFQ	4192	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-523		Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
CZRQR12VB-HF	-	RFQ	1970	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR12		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.1 v						12 v	12 옴
CZRFR4V7B-HF	-	RFQ	6435	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR4		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v						4.7 v	70 옴
Czrer4v7b-Hf	-	RFQ	3647	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v						4.7 v	70 옴
CDBB5200-HF	0.2828	RFQ	8035	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB5200	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 5 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	5a	380pf @ 4V, 1MHz
CZRL5242B-G	-	RFQ	2657	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5242		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		1 µa @ 9.1 v						12 v	30 옴
Czrer52C20-HF	-	RFQ	3571	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v						20 v	50 옴
CZRA4741-HF	0.1550	RFQ	7439	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4741		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
SS510-HF	0.1508	RFQ	2890	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS510	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	300pf @ 4V, 1MHz
CDBVF240-HF	0.4400	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBVF240	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		480 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 100 ° C	2A	-
BZX84C6V8CC-HF	0.0492	RFQ	6818	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.88%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C6		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C6V8CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		2 µa @ 4 v						6.8 v	15 옴
KBPC2506W-G	6.4852	RFQ	2983	comchip 기술	-	쟁반	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, KBPC-W	KBPC2506	기준		KBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 600 v		25 a		단일 단일	600 v
CZRL5250B-G	-	RFQ	8003	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5250		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		100 na @ 15 v						20 v	25 옴
CGRC505-G	0.2232	RFQ	3204	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC505	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 600 v	150 ° C (°)	5a	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²