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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
RS5MC-HF	0.1783	RFQ	3484	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	Rs5m	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS5MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 5 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CDBC260LR-HF	0.2170	RFQ	7248	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC260	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		550 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
Czrer2v7b-Hf	-	RFQ	7688	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v				2.7 v	100 옴
CZRU52C2V7	0.3300	RFQ	10	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C2V7		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		75 µa @ 1 v				2.7 v	83 옴
BAS40-04-HF	0.0460	RFQ	1404	comchip 기술	BAS40-XX-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAS40-04-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	40 v	200MA (DC)	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C
ACDBCT340-HF	0.2610	RFQ	3024	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACDBCT340	Schottky		3220/do-214ab	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C6V2	0.0805	RFQ	3903	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v				6.2 v	10 옴
CZRB5358B-HF	0.6200	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5358		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 16.7 v				22 v	3.5 옴
CGRB303-G	0.1403	RFQ	8863	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CGRB303	기준		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CGRB303-GTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		200 v		1.15 V @ 3 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDSF4148	0.3500	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDSF4148	기준		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
CZRC5367B-G	-	RFQ	2262	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5367B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 32.7 v				43 v	20 옴
CDBZ5T1045-HF	1.8300	RFQ	263	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	Z5-T	CDBZ5T1045	Schottky		SMC (Z5-T)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		550 mV @ 10 a		100 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
ACGRMS4007-HF	0.4100	RFQ	5960	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	ACGRMS4007	기준		SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
CDBU70-HF	0.0600	RFQ	5951	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu70	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	125 ° C (°)	70ma	2pf @ 0V, 1MHz
ABZT52C3V3-HF	0.0690	RFQ	8350	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.06%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C3V3-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				3.3 v	95 옴
AMMSZ5260A-HF	0.0725	RFQ	6816	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5260		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5260A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 33 v				43 v	93 옴
ACURN103-HF	0.4100	RFQ	26	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACURN103	기준		1206/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.7 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 600 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ACZRM5263B-HF	0.0610	RFQ	1127	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5263		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 43 v				56 v	150 옴
UF3008-HF	0.1615	RFQ	7623	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	UF3008	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
CZRF30VB-HF	-	RFQ	7989	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF30		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v				30 v	78 옴
ACDSV6-4448TI-G	0.4400	RFQ	41	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ACDSV6	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	3 독립	80 v	100ma	1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 75 v	150 ° C (°)
CZRB3160-HF	-	RFQ	9090	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3160-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 121.6 v				160 v	625 옴
1N5232B-G	-	RFQ	2109	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5232B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 3 v				5.6 v	11 옴
CZRNC55C20-G	-	RFQ	1808	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 15 v				20 v	55 옴
S3W-HF	0.1752	RFQ	5007	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3W	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1600 v		1.1 v @ 3 a		10 µa @ 1600 v	-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRFR52C2V4-HF	0.0805	RFQ	5949	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v				2.4 v	85 옴
ACGRA4006-HF	0.0500	RFQ	2677	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ACGRA4006	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ACZRC5381B-G	0.3480	RFQ	5992	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5381		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 98.8 v				130 v	190 옴
CZRF24VB-HF	-	RFQ	4063	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF24		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v				24 v	62 옴
ACDBT-54-HF	0.0621	RFQ	9764	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ACDBT-54-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	10pf @ 1v, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²