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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBT-70A-HF	0.0600	RFQ	3147	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDBT-70	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBT-70A-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	70 v	70ma	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-40 ° C ~ 125 ° C
SB540E-G	0.7500	RFQ	35	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	Do-201ad, 1 방향	SB540	Schottky		Do-201ad	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		550 mV @ 5 a		500 µa @ 40 v	-65 ° C ~ 125 ° C	5a	500pf @ 4V, 1MHz
CZRA5955B-G	0.1352	RFQ	9613	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5955		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 136.8 v						180 v	900 옴
CZRC5348B-G	-	RFQ	2887	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5348B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		5 µa @ 8.4 v						11 v	2.5 옴
GBU15005-G	1.1023	RFQ	3417	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU15005	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	641-1369-5	귀 99	8541.10.0080	20					1 V @ 7.5 a		10 µa @ 50 v		15 a		단일 단일	50 v
MMSZ4699-HF	0.0476	RFQ	3440	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4699		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		50 na @ 9.1 v						12 v
CZRF52C20	0.0805	RFQ	8836	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15 v						20 v	50 옴
CZRF52C3V9	0.0805	RFQ	6056	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	95 옴
CZRA4751-HF	0.1550	RFQ	1356	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4751		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 22.8 v						30 v	40
BAS40-HF	0.0460	RFQ	7539	comchip 기술	BAS40-XX-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAS40-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CZRT5245B-G	0.0476	RFQ	7812	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT5245		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
CEFB201-G	-	RFQ	4993	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB		기준		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		875 mv @ 2 a	25 ns	5 µa @ 50 v	150 ° C (°)	2A	-
CDSFR355	-	RFQ	7384	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)		기준		1005/SOD-323F	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
1N4002-G	0.2100	RFQ	13	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
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CZRA4733-G	0.1550	RFQ	7665	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4733		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		10 µa @ 1 v						5.1 v	7 옴
Czrnc55c4v7-g	-	RFQ	6433	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		500 na @ 1 v						4.7 v	70 옴
CZRA4752-G	0.1550	RFQ	8270	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4752		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 25.4 v						33 v	45 옴
ACZRC5347B-G	0.3480	RFQ	1782	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5347		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		5 µa @ 7.6 v						10 v	2 옴
S10KC-HF	0.1961	RFQ	4452	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10K	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S10KC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1 V @ 10 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	100pf @ 4V, 1MHz
TB2S-G	-	RFQ	4857	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		TBS	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,500					950 mV @ 400 mA		10 µa @ 200 v		800 MA		단일 단일	200 v
CDBQR0140L-HF	0.0559	RFQ	2446	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR0140	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CDBB360-G	0.5000	RFQ	77	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB360	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 3 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CZRW4709-G	-	RFQ	1018	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4709-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 na @ 18.2 v						24 v
ES2D-HF	0.4200	RFQ	600	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2D	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
CDBF0240-HF	0.0864	RFQ	5442	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0240	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 200 mA		10 µa @ 30 v	125 ° C (°)	200ma	9pf @ 10V, 1MHz
1N5245B-G	-	RFQ	7185	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5245B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 11 v						15 v	16 옴
RS1DWF-HF	0.0595	RFQ	4731	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS1D	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS1DWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 1 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBMTS230-HF	-	RFQ	7937	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CZRC5379B-HF	-	RFQ	4484	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5379B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 83.6 v						110 v	125 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²