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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDSV6-4148-G	0.1062	RFQ	6647	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	CDSV6-4148	기준		SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	3 독립	75 v	150ma	1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
1N5262B-G	-	RFQ	9132	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5262B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 39 v						51 v	125 옴
Cgrat105L-HF	-	RFQ	9586	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		2010/DO-214AC	다운로드		1 (무제한)		641-CGRAT105L-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		1000 v		930 MV @ 1 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8.2pf @ 4V, 1MHz
CDST-21C-G	-	RFQ	9672	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	250 v	200ma	1.25 V @ 200 ma	50 ns	1 µa @ 200 v	150 ° C (°)
CZRQR13VB-HF	-	RFQ	4049	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR13		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.9 v						13 v	25 옴
BZX84C8V2CC-HF	0.0492	RFQ	7369	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.1%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C8		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C8V2CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		700 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
SB280E-G	0.1550	RFQ	2734	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향	SB280	Schottky		DO-15	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 2 a		500 µa @ 80 v	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	170pf @ 4V, 1MHz
CZRUR12VB-HF	0.0680	RFQ	7696	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur12		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.1 v						12 v	22 옴
CDBA1100-HF	0.4000	RFQ	10	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1100	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		810 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRW4680-G	-	RFQ	9246	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4680-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		4 µa @ 1 v						2.2 v
CZRA4728-G	0.1550	RFQ	4124	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4728		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.3 v	10 옴
CDBQR0230L	0.3900	RFQ	143	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR0230	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CDBMTS280-HF	-	RFQ	2357	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 2 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
SS520BF-HF	0.1813	RFQ	9408	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	SS520	Schottky		SMBF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 5 a		1 ma @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	500pf @ 4V, 1MHz
Acurn105-HF	0.4200	RFQ	1	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SMD	ACURN105	기준		1206/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
FR201GT-G	0.0600	RFQ	1909	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	DO-204AC, DO-15, 축 방향		기준		DO-15	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR201GT-GTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MMSZ4717-HF	0.0476	RFQ	3227	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4717		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 na @ 32.6 v						43 v
MBRF10150CT-HF	-	RFQ	7110	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRF1015	Schottky		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBRF10150CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	10A	870 mV @ 5 a		100 µa @ 150 v	175 ° C
GBU10005-G	1.4400	RFQ	138	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBU	GBU10005	기준		GBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	20					1 V @ 5 a		10 µa @ 50 v		10 a		단일 단일	50 v
CZRB3019-G	-	RFQ	9057	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3019		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 14.4 v						19 v	7 옴
CZRA4747-G	0.1550	RFQ	6906	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4747		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 15.2 v						20 v	22 옴
1N4002B-G	0.2100	RFQ	8	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4002	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5238B-HF	0.0725	RFQ	9768	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5238		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5238B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v						8.7 v	8 옴
CURM102-G	-	RFQ	9046	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		기준		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5235B-HF	0.0511	RFQ	5724	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5235B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 5 v						6.8 v	5 옴
CZRB3068-G	-	RFQ	3642	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3068		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 51.7 v						68 v	70 옴
ABZT52C2V7-HF	0.0690	RFQ	5567	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7.41%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABZT52C2V7-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		20 µa @ 1 v						2.7 v	100 옴
AMMSZ5251B-HF	0.0725	RFQ	9747	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5251		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5251B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	29 옴
CEFM103-G	-	RFQ	7596	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		875 mv @ 1 a	25 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRFR52C3V6	0.0805	RFQ	6357	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	95 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²