RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDSQR4148-HF	0.4000	RFQ	144	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDSQR4148	기준		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	125 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
CZRZ6V8B-HF	0.3500	RFQ	16	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 4.93%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0201 (0603 메트릭)	Czrz6v8		100MW	0201/DFN0603	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	10,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 3.5 v						6.8 v	40
CZRFR52C7V5-HF	0.0805	RFQ	4170	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 5 v						7.5 v	7 옴
BAT54S-HF	0.2100	RFQ	468	comchip 기술	BAT54-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	30 v	200ma	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
CZRQC8V2B-HF	0.0652	RFQ	1917	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC8		125 MW	0402C/SOD-923F	-	rohs 준수			641-CZRQC8V2B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		500 NA @ 6.5 v						8.2 v	7 옴
CZRW55C22-G	-	RFQ	3898	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 15.4 v						22 v	55 옴
Czrur52c2	0.0667	RFQ	3388	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2 v	100 옴
cdbu42	0.0600	RFQ	4777	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
KBU2504-G	2.5400	RFQ	69	comchip 기술	-	쟁반	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, KBU	KBU2504	기준		KBU	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	400					1.1 v @ 12.5 a		10 µa @ 400 v		3.6 a		단일 단일	400 v
CZRB3008-G	-	RFQ	6359	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3008		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		50 µa @ 6 v						8.2 v	2.3
CZRFR52C2V2-HF	0.0805	RFQ	8001	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.2 v	100 옴
CZRB3062-HF	-	RFQ	8872	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3062-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 47.1 v						62 v	55 옴
CZRFR52C10	0.0805	RFQ	8649	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.5 v						10 v	15 옴
CDBHA1545-HF	0.4025	RFQ	9747	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	CDBHA1545	Schottky		TO-277B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBHA1545-HFTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		45 v		470 mV @ 15 a		500 µa @ 45 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
1N5258B-G	-	RFQ	9080	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5258B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 27 v						36 v	70 옴
Czrur52C30-HF	0.0667	RFQ	8095	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c30		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 23 v						30 v	80 옴
CZRSC55C3V6-G	-	RFQ	9237	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	0805 (2012 5)			500MW	0805	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		2 µa @ 8.4 v						3.6 v	85 옴
ACZRM5229B-HF	0.0610	RFQ	6608	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5229		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							5 µa @ 1 v						4.3 v	22 옴
CDBM240-G	0.1889	RFQ	8685	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CDBM240	Schottky		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	Q5880300	귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
BZT52B33-HF	0.0418	RFQ	1568	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B33-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 23 v						33 v	75 옴
MMBZ5262A-HF	0.0556	RFQ	3211	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5262		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5262A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		100 na @ 39 v						51 v	125 옴
CZRB5355B-HF	0.6200	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5355		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		500 NA @ 13.7 v						18 v	2.5 옴
CZRU52C6V2-HF	0.3300	RFQ	8	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C6V2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 2 v						6.2 v	10 옴
CZRC5347B-HF	-	RFQ	9865	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5347B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		5 µa @ 7.6 v						10 v	2 옴
CZRW55C8V2-G	-	RFQ	2217	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		700 na @ 5 v						8.2 v	15 옴
CDBH3-54C-HF	-	RFQ	2751	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-523	CDBH3-54	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBH3-54C-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
CDBUR0330	0.0700	RFQ	9990	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음		Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		600 mv @ 200 ma	6.4 ns	5 µa @ 20 v	125 ° C (°)	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
CDSSC4148N-G	-	RFQ	8060	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0805 (2012 5)		기준		0805	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 100 ma	4 ns	5 µa @ 75 v	150 ° C (°)	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
US2G-HF	0.4000	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CZRF4V7B-HF	-	RFQ	7727	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF4V7		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v						4.7 v	70 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²