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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBDSC5650-G	2.3400	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CDBDSC5650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.7 V @ 5 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	21.5A	424pf @ 0V, 1MHz
CDBC3200-HF	0.6000	RFQ	616	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC3200	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 3 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CZRB3068-HF	-	RFQ	5399	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3068-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 51.7 v				68 v	70 옴
ACGRC502-HF	-	RFQ	2033	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC		기준		DO-214AB (SMC)	다운로드				641-ACGRC502-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1.15 V @ 5 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	25pf @ 4V, 1MHz
CZRA5935B-G	0.1352	RFQ	1511	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5935		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 20.6 v				27 v	23 옴
CDBUR0330-HF	-	RFQ	8599	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음				0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBUR0330-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000
CDBA3200-HF	0.4700	RFQ	102	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA3200	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 3 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
6A04-G	0.6000	RFQ	41	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	활동적인			구멍을 구멍을	p600, 축,	6A04	기준		P600	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	500	짐		400 v		1.1 v @ 6 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
AES2CF-HF	0.1084	RFQ	6622	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	AES2CF	기준		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
CDBV130-HF	0.0846	RFQ	7667	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDBV130	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBV130-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550 mV @ 1 a		1 ma @ 200 v	-40 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
Czrur4v7b-Hf	0.0680	RFQ	5526	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur4v7		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1.5 v				4.7 v	70 옴
CDBA3150LR-HF	0.1608	RFQ	7851	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA3150	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		820 MV @ 3 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CDBA360LR-HF	0.5000	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA360	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		550 mV @ 3 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
RS2M-HF	0.3700	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2M	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 V @ 2 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	22pf @ 4V, 1MHz
BZT52C7V5-HF	0.0476	RFQ	6859	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C7V5-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v				7.5 v	15 옴
CDBA1150LR-HF	0.1450	RFQ	6906	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA1150	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		820 MV @ 1 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRF52C3	0.0805	RFQ	5449	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		50 µa @ 1 v				3 v	95 옴
CDBM120L-G	0.1353	RFQ	8415	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CDBM120	Schottky		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		380 mV @ 1 a		1 ma @ 20 v	-55 ° C ~ 100 ° C	1A	-
CDBC320-G	0.1767	RFQ	8429	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AB, SMC	CDBC320	Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	125 ° C (°)	3A	-
CZRFR52C10-HF	0.0805	RFQ	2993	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7.5 v				10 v	15 옴
CDBT-70C-HF	0.0600	RFQ	1172	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDBT-70	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBT-70C-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	70 v	70ma	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-40 ° C ~ 125 ° C
ACZRC5345B-G	0.3480	RFQ	4185	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5345		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		10 µa @ 6.6 v				8.7 v	2 옴
S5KC-HF	0.1186	RFQ	5753	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5KC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S5KC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1 V @ 5 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
CDBU42-HF	0.0600	RFQ	4888	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu42	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
ACZRC5380B-G	0.3480	RFQ	5187	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5380		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 91.2 v				120 v	170 옴
CDBQC0140R-HF	-	RFQ	3264	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드				641-CDBQC0140R-HFTR	귀 99	8541.10.0070	1	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		450 mV @ 10 ma		1 µa @ 10 v	-40 ° C ~ 125 ° C	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
6A04B-G	0.2261	RFQ	9998	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,	6A04	기준		R-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	200	짐		400 v		1 V @ 6 a		10 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 125 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
ES2G-HF	0.4200	RFQ	6	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2G	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
CGRMT4002-HF	-	RFQ	2369	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBZ5T30100-HF	-	RFQ	5527	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	Z5-T	CDBZ5T30100	Schottky		SMC (Z5-T)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 30 a		50 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²