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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BZX84C4V7CC-HF	0.0492	RFQ	7378	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.38%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C4		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C4V7CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		3 µa @ 2 v						4.7 v	80 옴
1N5227B-G	-	RFQ	2087	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1n5227B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	24 옴
1N4003-G	0.0317	RFQ	2080	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	1N4003	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C2V2-HF	0.0621	RFQ	6231	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C2V2		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2.2 v	100 옴
CDBA380-G	-	RFQ	8740	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA380	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mV @ 3 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CGRC502-G	0.2232	RFQ	8949	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC502	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		100 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 100 v	150 ° C (°)	5a	-
CZRA4754-HF	0.1550	RFQ	9800	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4754		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v						39 v	60 옴
S3AC-HF	0.1091	RFQ	6418	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3AC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S3AC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
Czrer52C2-HF	-	RFQ	3223	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	Czrer52c2		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 µa @ 1 v						2 v	100 옴
CDSFR4448-HF	0.0667	RFQ	3470	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDSFR4448	기준		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSFR4448-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	9 ns	100 na @ 80 v	-40 ° C ~ 125 ° C	125MA	9pf @ 500MV, 1MHz
DB105S-G	0.6100	RFQ	3	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DB105	기준		DBS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1 a		10 µa @ 600 v		1 a		단일 단일	600 v
CDBVF240-HF	0.4400	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-90, SOD-323F	CDBVF240	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		480 mV @ 2 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 100 ° C	2A	-
US3GC-HF	0.1471	RFQ	4991	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US3G	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US3GC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
CDSH3-70-G	0.0608	RFQ	6723	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	CDSH3-70	기준		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	85 v	155ma	1.25 V @ 100 ma	4 ns	2 µa @ 75 v	150 ° C (°)
ACZRC5362B-G	0.3480	RFQ	6326	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5362		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v						28 v	6 옴
CDBUR0330-HF	-	RFQ	8599	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음				0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBUR0330-HFTR	귀 99	8541.10.0070	4,000
CDBU70-HF	0.0600	RFQ	5951	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu70	Schottky		0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	125 ° C (°)	70ma	2pf @ 0V, 1MHz
MBRF20200CT-HF	-	RFQ	2216	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBRF20200CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	200 v	20A	900 mV @ 10 a		100 µa @ 200 v	175 ° C
ACZRW5252B-HF	0.0511	RFQ	1289	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-Aczrw5252B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v						24 v	33 옴
MMSZ5238B-HF	0.0487	RFQ	6905	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5238		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5238B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v						8.7 v	8 옴
CDBH0230-G	0.3700	RFQ	69	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-79, SOD-523		Schottky		SOD-523	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C	100ma	10pf @ 1v, 1MHz
CDBC260SLR-HF	-	RFQ	2160	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AB, SMC		Schottky		DO-214AB (SMC)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 60 v	-50 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
BAT54ST-HF	-	RFQ	8268	comchip 기술	BAT54XT-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOT-523	Bat54	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAT54ST-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C
CZRC5351B-HF	-	RFQ	7144	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5351B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 10.6 v						14 v	2.5 옴
CZRW4714-G	-	RFQ	6964	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			350 MW	SOD-123	다운로드				641-CZRW4714-GTR	귀 99	8541.10.0050	1					900 mV @ 10 ma		10 na @ 25 v						33 v
CZRL5250B-G	-	RFQ	8003	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5250		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		100 na @ 15 v						20 v	25 옴
SS16-HF	0.0500	RFQ	1883	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS16	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		300 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 4V, 1MHz
CDBDSC5650-G	2.3400	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	CDBDSC5650	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)		650 v		1.7 V @ 5 a	0 ns	100 µa @ 650 v	-55 ° C ~ 175 ° C	21.5A	424pf @ 0V, 1MHz
CZRA4741-G	0.1550	RFQ	2417	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4741		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 8.4 v						11 v	8 옴
BZT52C9V1-HF	0.0476	RFQ	7868	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C9V1-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v						9.1 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²