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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SC50VB80-G Comchip Technology SC50VB80-G 20.2000
RFQ
ECAD 100 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 5., SCVB SC50VB80 기준 SCVB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 50 a 3 단계 800 v
MMBZ5239A-HF Comchip Technology MMBZ5239A-HF 0.0556
RFQ
ECAD 9155 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.98% -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5239 350 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-MMBZ5239A-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 100 ma 3 µa @ 6.5 v 9.1 v 10 옴
KBL406-G Comchip Technology KBL406-G 1.2100
RFQ
ECAD 27 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL406 기준 KBL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
CDBHD2100-G Comchip Technology CDBHD2100-G 1.4000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 CDBHD2100 Schottky 미니 미니 (TO-269AA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 850 mv @ 1 a 500 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
KBPC2504-G Comchip Technology KBPC2504-G 9.9600
RFQ
ECAD 689 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC KBPC2504 기준 KBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
CZRC5340B-G Comchip Technology CZRC5340B-G -
RFQ
ECAD 3368 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5340B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 1 µa @ 3 v 6 v 1 옴
CZRUR52C2 Comchip Technology Czrur52c2 0.0667
RFQ
ECAD 3388 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2 v 100 옴
GBU10005-G Comchip Technology GBU10005-G 1.4400
RFQ
ECAD 138 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU10005 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 20 1 V @ 5 a 10 µa @ 50 v 10 a 단일 단일 50 v
CURN103-HF Comchip Technology Curn103-HF 0.5200
RFQ
ECAD 785 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 Curn103 기준 1206/SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 1 a 50 ns -65 ° C ~ 175 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
RS501-G Comchip Technology RS501-G -
RFQ
ECAD 8450 0.00000000 comchip 기술 - 쟁반 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, RS-5 기준 RS5 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 641-1354 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 5 a 10 µa @ 50 v 5 a 단일 단일 50 v
CZRC5362B-G Comchip Technology CZRC5362B-G -
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 rohs 준수 641-CZRC5362B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 21.2 v 28 v 6 옴
US3AB-HF Comchip Technology US3AB-HF 0.1063
RFQ
ECAD 7015 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB US3A 기준 SMB/DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 641-US3AB-HFTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
CZRUR52C24 Comchip Technology Czrur52c24 0.0667
RFQ
ECAD 3239 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
DF204S-G Comchip Technology DF204S-G 0.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-SMD,, 날개 DF204 기준 DFS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
CDBB3150LR-HF Comchip Technology CDBB3150LR-HF 0.2248
RFQ
ECAD 6767 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB CDBB3150 Schottky DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 820 MV @ 3 a 500 µa @ 150 v -50 ° C ~ 175 ° C 3A 250pf @ 4V, 1MHz
CZRT55C6V8-G Comchip Technology CZRT55C6V8-G 0.0620
RFQ
ECAD 7162 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BAS40-04-HF Comchip Technology BAS40-04-HF 0.0460
RFQ
ECAD 1404 0.00000000 comchip 기술 BAS40-XX-HF 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BAS40-04-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 200MA (DC) 1 v @ 40 ma 5 ns 200 na @ 30 v 125 ° C
CZRV5227B-G Comchip Technology CZRV5227B-G 0.0595
RFQ
ECAD 1880 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -60 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-76, SOD-323 CZRV5227 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
CZRU52C36-HF Comchip Technology CZRU52C36-HF 0.0621
RFQ
ECAD 7338 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C36 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27 v 36 v 90 옴
CZRUR52C24-HF Comchip Technology Czrur52C24-HF 0.0667
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c24 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
MBR10100CD-HF Comchip Technology MBR10100CD-HF 0.3398
RFQ
ECAD 5864 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MBR10100 Schottky D-PAK (TO-252) - 1 (무제한) 641-MBR10100CD-HFTR 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 10A 850 mV @ 5 a 50 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBU3501-G Comchip Technology KBU3501-G -
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 comchip 기술 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU3501 기준 KBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 400 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 100 v 4.2 a 단일 단일 100 v
CZRB3043-HF Comchip Technology CZRB3043-HF -
RFQ
ECAD 5839 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w SMB/DO-214AA 다운로드 641-CZRB3043-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.5 v @ 200 ma 500 NA @ 32.7 v 43 v 33 옴
CZRU52C13-HF Comchip Technology CZRU52C13-HF 0.0621
RFQ
ECAD 1541 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C13 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 25 옴
CDBT-54C-HF Comchip Technology CDBT-54C-HF 0.0621
RFQ
ECAD 1884 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CDBT-54 Schottky SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDBT-54C-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 30 v 200ma 1 v @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 25 v 125 ° C
ACZRM5263B-HF Comchip Technology ACZRM5263B-HF 0.0610
RFQ
ECAD 1127 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F ACZRM5263 500MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 43 v 56 v 150 옴
CDBA5150-HF Comchip Technology CDBA5150-HF 0.6200
RFQ
ECAD 46 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA CDBA5150 Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 870 mV @ 5 a 500 µa @ 150 v -50 ° C ~ 175 ° C 5a 380pf @ 4V, 1MHz
CDBGBSC101200-G Comchip Technology CDBGBSC101200-G -
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 comchip 기술 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 CDBGBSC101200 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 18A (DC) 1.7 V @ 5 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
CDBM220-G Comchip Technology CDBM220-G -
RFQ
ECAD 1687 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123T Schottky SMA/SOD-123 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 20 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 160pf @ 4V, 1MHz
BZT52C15-HF Comchip Technology BZT52C15-HF 0.0476
RFQ
ECAD 5021 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-BZT52C15-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고