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![]() | KBU3501-G | - | ![]() | 6558 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, KBU | KBU3501 | 기준 | KBU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 v @ 17.5 a | 10 µa @ 100 v | 4.2 a | 단일 단일 | 100 v | |||||||||||||
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![]() | ACZRM5263B-HF | 0.0610 | ![]() | 1127 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123F | ACZRM5263 | 500MW | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 43 v | 56 v | 150 옴 | ||||||||||||||
![]() | CDBA5150-HF | 0.6200 | ![]() | 46 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | CDBA5150 | Schottky | DO-214AC (SMA) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 870 mV @ 5 a | 500 µa @ 150 v | -50 ° C ~ 175 ° C | 5a | 380pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | CDBGBSC101200-G | - | ![]() | 9819 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | CDBGBSC101200 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 25 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 1200 v | 18A (DC) | 1.7 V @ 5 a | 0 ns | 100 µa @ 1200 v | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||||
![]() | CDBM220-G | - | ![]() | 1687 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | SOD-123T | Schottky | SMA/SOD-123 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 500 mV @ 2 a | 500 µa @ 20 v | -55 ° C ~ 125 ° C | 2A | 160pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||||
![]() | BZT52C15-HF | 0.0476 | ![]() | 5021 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | BZT52 | 500MW | SOD-123 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-BZT52C15-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 10.5 v | 15 v | 30 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고