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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
S5AC-HF	0.1186	RFQ	3715	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S5AC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S5AC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1 V @ 5 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
BZT52B8V2-HF	0.0418	RFQ	3686	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B8V2-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		630 na @ 5 v						8.2 v	14 옴
FR602A-G	0.2684	RFQ	2675	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR602A-G	귀 99	8541.10.0080	500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
ACZRW5244B-G	0.0556	RFQ	5469	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRW5244		350 MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10 v						14 v	15 옴
DF1508S-G	0.2210	RFQ	3442	comchip 기술	-	튜브	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF1508	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	50					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 800 v		1.5 a		단일 단일	800 v
ACZRM5228B-HF	0.0610	RFQ	1382	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5228		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							10 µa @ 1 v						3.9 v	23 옴
CDBB3200LR-HF	0.2096	RFQ	2893	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3200	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		850 mV @ 3 a		500 µa @ 200 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
BAS40-05-HF	0.0460	RFQ	4491	comchip 기술	BAS40-XX-HF	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BAS40	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAS40-05-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	40 v	200MA (DC)	1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	125 ° C
CDBW1100R-HF	0.0880	RFQ	4123	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	CDBW1100	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBW1100R-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		860 mv @ 1 a		100 @ 100 v	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBT-70A-HF	0.0600	RFQ	3147	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDBT-70	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBT-70A-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	70 v	70ma	1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	-40 ° C ~ 125 ° C
CDBHA15100-HF	0.4186	RFQ	5406	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn	CDBHA15100	Schottky		TO-277B	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBHA15100-HFTR	귀 99	8541.10.0080	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		700 mV @ 15 a		250 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	15a	-
A1N4148W-HF	0.0582	RFQ	6328	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	A1N4148	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-A1N4148W-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
CZRA4728B-HF	-	RFQ	8811	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA			1 W.	DO-214AC (SMA)	-				641-CZRA4728B-HF	쓸모없는		1					1.2 v @ 200 ma		100 µa @ 1 v						3.3 v	10 옴
cdbu0130	0.4100	RFQ	18	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu0130	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		440 mV @ 100 ma		30 µa @ 30 v	125 ° C (°)	100ma	9pf @ 10V, 1MHz
CFRMT104-HF	0.1426	RFQ	8030	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CFRMT104	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	250 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
RS3DC-HF	0.1426	RFQ	1834	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3D	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS3DC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1.3 v @ 3 a	150 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
Czrur52c3v9-Hf	0.0667	RFQ	7010	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c3v9		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v						3.9 v	95 옴
KBPC1502W-G	6.2806	RFQ	9895	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, KBPC-W	KBPC1502	기준		KBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 7.5 a		10 µa @ 200 v		15 a		단일 단일	200 v
CDBFR0140L	0.4600	RFQ	171	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBFR0140	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CGRMT4006-HF	-	RFQ	7220	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		800 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CGRTS4001-HF	0.3700	RFQ	7	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	CGRTS4001	기준		TS/SOD-123FL	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1 V @ 1 a		10 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	6pf @ 4V, 1MHz
CZRFR4V3B-HF	-	RFQ	4463	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR4		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	88 옴
US2KB-HF	0.1035	RFQ	8812	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US2K	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2KB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.65 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
CDBMTS230-HF	-	RFQ	7937	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123		Schottky		SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
CDBQR0140L-HF	0.0559	RFQ	2446	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR0140	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		550 mV @ 100 ma		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	6pf @ 10V, 1MHz
CZRA4754-G	0.1550	RFQ	6893	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4754		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 29.7 v						39 v	60 옴
CZRA4760-HF	0.1550	RFQ	4349	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4760		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4760-HFTR	귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 51.7 v						68 v	150 옴
4GBJ410-G	-	RFQ	6386	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ		기준		GBJ	-				641-4GBJ410-G	귀 99	8541.10.0080	1					1.1 v @ 4 a		10 µa @ 1000 v		4 a		단일 단일	1kv
CZRFR52C33-HF	0.0805	RFQ	5509	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v						33 v	80 옴
CDBMT140-HF	0.4300	RFQ	7	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CDBMT140	Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²