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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
AMMSZ5237B-HF	0.0725	RFQ	1382	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5237		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5237B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 6.5 v				8.2 v	8 옴
CGRC501-G	0.6300	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CGRC501	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		50 v		1.15 V @ 5 a		10 µa @ 50 v	150 ° C (°)	5a	-
ACZRT55C4V7-G	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ACZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 2 v				4.7 v	80 옴
CDST-99-G	0.0460	RFQ	8997	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDST-99	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 연결 연결 시리즈	70 v	200MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µa @ 70 v	150 ° C (°)
Czrer52C15-HF	-	RFQ	6508	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	30 옴
CZRW55C15-G	-	RFQ	6318	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 10.5 v				15 v	30 옴
B0540WS-HF	0.4700	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		510mV @ 500 mA	4 ns	20 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 150 ° C	500ma	170pf @ 0V, 1MHz
Czrur52c4v3-Hf	0.0667	RFQ	4665	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur52c4v3		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v				4.3 v	95 옴
CDBZ31060H-HF	-	RFQ	1119	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-277, 3-powerdfn		Schottky		TO-277 (Z3)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		650 mV @ 10 a		100 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	-
Czrnc55c9v1-g	-	RFQ	8838	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음			500MW	1206	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	5,000					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 6.8 v				9.1 v	10 옴
CZRB5351B-HF	0.2401	RFQ	5019	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5351		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 10.6 v				14 v	2.5 옴
AMMSZ5242A-HF	0.0725	RFQ	7148	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5242		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5242A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µA @ 9.1 v				12 v	30 옴
CZRL55C68-G	-	RFQ	9950	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5.88%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C68-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 51 v				68 v	200 옴
CDBAT3100-HF	-	RFQ	6513	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CDBAT3100-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
ACDSW4148-G	0.2400	RFQ	27	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	ACDSW4148	기준		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-55 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
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Cgrat103-HF	-	RFQ	6932	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CGRAT103-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
CDBMT1150-HF	0.4400	RFQ	292	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CDBMT1150	Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		920 MV @ 1 a		500 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBMH340-G	-	RFQ	7075	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T	CDBMH340	Schottky		SOD-123T	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 3 a		200 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
Czrer52c33	0.0810	RFQ	7289	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)	czrer52		150 MW	0503 (1308 메트릭)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 25 v				33 v	80 옴
CZRT55C30-G	0.0620	RFQ	5719	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CZRT55		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v				30 v	80 옴
CZRF18VB-HF	-	RFQ	4504	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF18		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 14 v				18 v	42 옴
CZRQR15VB-HF	-	RFQ	9580	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQR15		125 MW	0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 11 v				15 v	32 옴
CZRFR52C3V9-HF	0.0805	RFQ	3785	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3.9 v	95 옴
CSFC305-G	0.1961	RFQ	8958	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	CSFC305	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.3 v @ 3 a	50 ns	5 µa @ 600 v	150 ° C (°)	3A	-
ES2J-HF	0.4200	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2J	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.68 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
US2KWF-HF	0.0828	RFQ	7845	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	US2K	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2KWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.68 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
ACZRW5242B-G	0.3200	RFQ	2	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	ACZRW5242		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 9.1 v				12 v	30 옴
CSFMT105-HF	-	RFQ	1910	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		기준		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.25 V @ 1 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1MHz
ACZRC5353B-G	0.3480	RFQ	3857	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5353		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		1 µa @ 12.2 v				16 v	2.5 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²