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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CZRA5920B-G	0.1352	RFQ	4681	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5920		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 4 v						6.2 v	2 옴
BZT52B4V3-HF	0.0418	RFQ	8760	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B4V3-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2.7 µa @ 1 v						4.3 v	84 옴
BR508L-G	-	RFQ	6709	comchip 기술	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	방열판이있는 4-sip	BR508L	기준		BR-L	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	60					1.1 v @ 25 a		10 µa @ 800 v		50 a		단일 단일	800 v
CZRFR27VB-HF	-	RFQ	2197	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR27		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 21 v						27 v	70 옴
CGRM4004-HF	0.3700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CGRM4004	기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	짐		400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CDBQR70	0.4000	RFQ	4	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR70	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		70 v		1 V @ 15 ma	5 ns	100 na @ 50 v	125 ° C (°)	70ma	2pf @ 0V, 1MHz
US2K-HF	0.0662	RFQ	2717	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	US2K	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-US2K-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.65 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MBRF3040CT-HF	-	RFQ	2008	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3	MBRF3040	Schottky		ITO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBRF3040CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	40 v	30A	620 MV @ 15 a		100 µa @ 40 v	175 ° C
CDBA3150-HF	0.4600	RFQ	3	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA3150	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mv @ 2 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
ES5BB-HF	0.1783	RFQ	1455	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	ES5B	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES5BB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
AES2EF-HF	0.1084	RFQ	9810	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	aes2ef	기준		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.25 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
ACDBMT1100-HF	0.3900	RFQ	191	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	ACDBMT1100	Schottky		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRER3V0B-HF	-	RFQ	8370	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		50 µa @ 1 v						3 v	95 옴
CZRL55C18-G	-	RFQ	6672	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 6.39%	175 ° C (TJ)	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80			500MW	SOD-80 최소값	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRL55C18-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,500					1.5 v @ 200 ma		100 na @ 13 v						18 v	50 옴
CZRV5230B-G	0.0595	RFQ	7401	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5230		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v						4.7 v	19 옴
CDBU0145-HF	0.0680	RFQ	7317	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	CDBU0145	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		45 v		550 mV @ 100 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	9pf @ 10V, 1MHz
CZRC5381B-HF	-	RFQ	9853	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5381B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 98.8 v						130 v	190 옴
CSPB40M-HF	0.3104	RFQ	5114	comchip 기술	Super Planar ™	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 리드	CSPB40	기준		4-SPB	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	1,500					1.15 V @ 4 a		10 µa @ 1000 v		4 a		단일 단일	1kv
CZRFR52C27-HF	0.0805	RFQ	4312	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 20 v						27 v	80 옴
BZX84C4V3CC-HF	0.0492	RFQ	1030	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.98%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84C4		350 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZX84C4V3CC-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 a		3 µa @ 1 v						4.3 v	90 옴
CZRFR52C8V2	0.0805	RFQ	6546	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v						8.2 v	7 옴
CDSQR400BS-HF	-	RFQ	7122	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		기준		0402C/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSQR400BS-HFTR	귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	-40 ° C ~ 125 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
FR107B-G	0.0536	RFQ	6563	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향		기준		DO-41	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-fr107b-g	귀 99	8541.10.0080	1,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 1 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
1N5224B-G	-	RFQ	8472	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5224B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		75 µa @ 1 v						2.8 v	30 옴
CGRBT201-HF	-	RFQ	2182	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		2010/DO-214AC	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT201-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		200 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 200 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
CZRB5340B-HF	0.8100	RFQ	26	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5340		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 3 v						6 v	1 옴
ES3JC-HF	0.1783	RFQ	2725	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3J	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES3JC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		600 v		1.68 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
Czrur11VB-HF	0.0680	RFQ	2198	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	Czrur11		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8.4 v						11 v	18 옴
CURMT107-HF	0.4400	RFQ	33	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123H	CURMT107	기준		SOD-123H	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 1 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
SS215BF-HF	0.0930	RFQ	6810	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-221AA, SMB 플랫 리드	SS215	Schottky		SMBF	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a		300 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	110pf @ 4V, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²