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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BAS321-HF	0.2400	RFQ	2454	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	BAS321	기준		SOD-323	다운로드		1 (무제한)					3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		200 v		1.25 V @ 200 ma	50 µs	100 na @ 200 v	150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
ACGRBT202-HF	0.5200	RFQ	3	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACGRBT202	기준		2114/do-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
KBPC1004W-G	6.0791	RFQ	3284	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4- 스퀘어, KBPC-W	KBPC1004	기준		KBPC-W	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	100					1.1 v @ 5 a		10 µa @ 400 v		10 a		단일 단일	400 v
CDBB3150-G	0.1767	RFQ	7102	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB3150	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		870 mV @ 30 a		500 µa @ 150 v	-50 ° C ~ 175 ° C	3A	250pf @ 4V, 1MHz
CDBT-54-HF	0.0621	RFQ	9369	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CDBT-54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
CZRF52C8V2-HF	0.0805	RFQ	7823	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRF52		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 6 v						8.2 v	7 옴
CZRV5229B-G	0.0595	RFQ	5506	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-60 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SC-76, SOD-323	CZRV5229		200 MW	SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 1 v						4.3 v	22 옴
CDBV120-HF	0.0846	RFQ	8397	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDBV120	Schottky		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBV120-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		450 mV @ 1 a		1 ma @ 20 v	-40 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5246A-HF	0.0725	RFQ	2299	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5246		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-AMMSZ5246A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 12 v						16 v	17 옴
MBR20100CT-HF	-	RFQ	8955	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBR20100CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A	850 mv @ 10 a		100 @ 100 v	175 ° C
MMB6G-HF	-	RFQ	4572	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개		기준		MMB	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000					1.1 v @ 800 ma		5 µa @ 600 v		800 MA		단일 단일	600 v
CZRU52C39-HF	0.0621	RFQ	3980	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C39		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 29 v						39 v	90 옴
CZRB5353B-HF	0.6200	RFQ	21	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB5353		5 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 12.2 v						16 v	2.5 옴
CZRQR9V1B-HF	-	RFQ	1853	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	czrqr9		125 MW	0402	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 7 v						9.1 v	10 옴
ES2C-HF	0.4200	RFQ	9	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	ES2C	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1 V @ 2 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	40pf @ 4V, 1MHz
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ACGRBT302-HF	0.5000	RFQ	3	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACGRBT302	기준		2114/do-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 400 v	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	23pf @ 4V, 1MHz
CZRA5940B-G	0.1352	RFQ	8066	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA5940		1.5 w	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µa @ 32.7 v						43 v	53
SS310F-HF	0.0884	RFQ	2708	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	SS310	Schottky		smaf	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	10,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		850 mV @ 3 a		300 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	180pf @ 4V, 1MHz
ACZRA4743-HF	0.1711	RFQ	8570	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA	ACZRA4743		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 9.9 v						13 v	10 옴
GBJ2502-05-G	1.5677	RFQ	4076	comchip 기술	-	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	4-SIP, GBJ	GBJ2502	기준		GBJ	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	15					1 V @ 12.5 a		10 µa @ 200 v		25 a		단일 단일	200 v
MMSZ4682-HF	0.2700	RFQ	2	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4682		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		1 µa @ 1 v						2.7 v
CDSW4148-HF	0.0395	RFQ	1407	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	CDSW4148	기준		SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSW4148-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		100 v		1.25 V @ 150 mA	4 ns	1 µa @ 75 v	-40 ° C ~ 150 ° C	150ma	2pf @ 0V, 1MHz
CZRC5362B-HF	-	RFQ	4108	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드				641-CZRC5362B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 21.2 v						28 v	6 옴
ES5AC-HF	0.1604	RFQ	9751	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	es5a	기준		DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ES5AC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1 V @ 5 a	35 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	5a	50pf @ 4V, 1MHz
FR602B-G	0.3416	RFQ	9712	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	활동적인			구멍을 구멍을	R-6, 축,		기준		R-6	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-FR602B-GTB	귀 99	8541.10.0080	200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 6 a	150 ns	10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	6A	100pf @ 4V, 1MHz
CZRB3039-G	-	RFQ	6988	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-214AA, SMB	CZRB3039		3 w	DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 29.7 v						39 v	28 옴
US3KC-HF	0.1471	RFQ	3963	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	US3K	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US3KC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.68 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²