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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
CDBMTS140-HF	0.0864	RFQ	5399	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123	CDBMTS140	Schottky		SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		40 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 40 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
ACDBQC40-HF	0.3500	RFQ	4	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1006 메트릭)		Schottky		0402C/SOD-923F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		1 v @ 40 ma	5 ns	200 na @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
RS2A-HF	0.3700	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	RS2A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		50 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	22pf @ 4V, 1MHz
CDSP400-HF	0.0575	RFQ	4946	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-723	CDSP400	기준		SOD-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSP400-HFTR	귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	150 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz
CDBH3-54-HF	-	RFQ	3572	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-523	CDBH3-54	Schottky		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDBH3-54-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)
CZRW55C27-G	-	RFQ	9528	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 7%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW55		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18.9 v				27 v	80 옴
CURM103-G	0.4800	RFQ	7	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CURM103	기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CGRBT204-HF	-	RFQ	3421	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	2-SMD,, 없음		기준		3220/do-214ab	다운로드		1 (무제한)		641-CGRBT204-HFTR	귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		800 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 800 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
CDBGBSC201200-G	-	RFQ	3510	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-247-3	CDBGBSC201200	SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky		TO-247	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	25	복구 복구 복구 없음> 500ma (io)	1 음극 음극 공통	1200 v	25.9A (DC)	1.8 V @ 10 a	0 ns	100 µa @ 1200 v	-55 ° C ~ 175 ° C
CDBQR0130L	0.3900	RFQ	622	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR0130	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		350 mV @ 10 ma		10 µa @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	-
S1A-HF	0.0317	RFQ	9999	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	S1A	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	5,000	짐		50 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 50 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
ACZRC5388B-G	0.3480	RFQ	9189	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5388		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 152 v				200 v	480 옴
ES3CC-HF	0.1783	RFQ	9169	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	ES3C	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ES3CC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		1 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
CDBMT180-HF	-	RFQ	7387	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		80 v		850 mv @ 1 a		500 µa @ 80 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CZRC5349B-G	-	RFQ	7254	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5349B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 9.1 v				12 v	2.5 옴
CZRB3015-HF	-	RFQ	7085	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AA, SMB			3 w	SMB/DO-214AA	다운로드				641-CZRB3015-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.5 v @ 200 ma		500 NA @ 11.4 v				15 v	5.5 옴
CZRFR22VB-HF	-	RFQ	3838	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR22		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v				22 v	55 옴
ES3GB-HF	0.1177	RFQ	9674	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	es3g	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ES3GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
CDBA220L-G	-	RFQ	3353	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AC, SMA	CDBA220	Schottky		DO-214AC (SMA)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		380 mV @ 2 a		1 ma @ 20 v	125 ° C (°)	2A	-
ACZRM5247B-HF	0.0610	RFQ	8827	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123F	ACZRM5247		500MW	SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000							100 na @ 13 v				17 v	19 옴
CSFA103-G	0.4300	RFQ	19	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	CSFA103	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		950 MV @ 1 a	35 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BZT52B18-HF	0.0418	RFQ	9812	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B18-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 12.6 v				18 v	42 옴
CDBF43	0.0680	RFQ	4029	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
ACGRBT205-HF	0.4000	RFQ	2431	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	ACGRBT205	기준		2114/do-214AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1 V @ 2 a		5 µa @ 1000 v	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	14pf @ 4V, 1MHz
ACDST6-4448TI-G	-	RFQ	3235	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOT-23-6	ACDST6	기준		SOT-23-6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	3 독립	75 v	100ma	1 v @ 100 ma	4 ns	25 na @ 20 v	-55 ° C ~ 150 ° C
Czrer3v9b-Hf	-	RFQ	2833	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	0503 (1308 메트릭)			150 MW	0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
CZRC5375B-G	-	RFQ	1694	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AB, SMC			5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	rohs 준수			641-CZRC5375B-GTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 62.2 v				82 v	65 옴
Czrur3v9b-Hf	0.0680	RFQ	5005	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czrur3v9		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴
US2KWF-HF	0.0828	RFQ	7845	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	US2K	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2KWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		800 v		1.68 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
ABZT52C3V9-HF	0.0690	RFQ	5549	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5.13%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52C3V9-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		3 µa @ 1 v				3.9 v	90 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²