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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMSZ5262B-HF	0.0487	RFQ	6204	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ5262		500MW	SOD-123	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MMSZ5262B-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 39 v				51 v	125 옴
1N5230B-G	-	RFQ	8810	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5230B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		5 µa @ 2 v				4.7 v	19 옴
CZRFR13VB-HF	-	RFQ	1061	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	1005 (2512 25)	CZRFR13		200 MW	1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 9.9 v				13 v	25 옴
ABZT52B27-HF	0.0690	RFQ	5390	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	ABZT52		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-ABZT52B27-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 NA @ 18.9 v				27 v	80 옴
1N5264B-G	-	RFQ	3236	comchip 기술	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-	175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	Do-204Ah, do-35, 축 방향			500MW	DO-35	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-1N5264B-GTB	귀 99	8541.10.0050	5,000					1.1 v @ 200 ma		100 na @ 46 v				60 v	170 옴
CDBERT0230R	-	RFQ	7430	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBERT0230	Schottky		0503 (1308 메트릭)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
MMBZ5231A-HF	0.0556	RFQ	4395	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.96%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5231		350 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-MMBZ5231A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 100 ma		5 µa @ 2 v				5.1 v	17 옴
BZT52C13-HF	0.0476	RFQ	1943	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BZT52C13-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				13 v	30 옴
CDSUC4148-HF	0.3200	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0603 (1608 메트릭)		기준		0603C/SOD-523F	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		75 v		1 V @ 50 ma	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-40 ° C ~ 125 ° C	150ma	4pf @ 0V, 1MHz
CZRW5254B-G	0.0556	RFQ	7249	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123	CZRW5254		350 MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 18 v				27 v	41 옴
SS215B-HF	0.0990	RFQ	2260	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	SS215	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		150 v		950 MV @ 2 a		300 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	110pf @ 4V, 1MHz
CZRA4753-G	0.1550	RFQ	1016	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AC, SMA 플랫 리드	CZRA4753		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,000					1.2 v @ 200 ma		5 µa @ 27.4 v				36 v	50 옴
BAW56-G	0.2100	RFQ	80	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	baw56	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 양극 양극 공통	70 v	215MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µa @ 70 v	-55 ° C ~ 150 ° C
BAV99-HF	0.2300	RFQ	15	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	bav99	기준		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-BAV99-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	70 v	200MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	6 ns	2.5 µa @ 70 v	150 ° C (°)
CZRQC10VB-HF	0.0652	RFQ	3502	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2.5%	-55 ° C ~ 125 ° C (TJ)	표면 표면	0402 (1006 메트릭)	CZRQC10		125 MW	0402C/SOD-923F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRQC10VB-HFTR	귀 99	8541.10.0050	5,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 8 v				10 v	15 옴
CDBF0130R	0.3900	RFQ	1	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF0130	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		450 mV @ 10 ma		500 na @ 10 v	125 ° C (°)	100ma	-
S3JC-HF	0.1091	RFQ	9995	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S3JC	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S3JC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v		1 V @ 3 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
CDBB320-G	0.4900	RFQ	950	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	DO-214AA, SMB	CDBB320	Schottky		DO-214AA (SMB)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 3 a		500 µa @ 20 v	125 ° C (°)	3A	-
CURM103-G	0.4800	RFQ	7	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	CURM103	기준		SMA/SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
CDBMT130-HF	-	RFQ	6985	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123H		Schottky		SOD-123H	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		500 mV @ 1 a		500 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	120pf @ 4V, 1MHz
CDBU0230L-HF	0.0575	RFQ	4897	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	2-SMD,, 없음	cdbu0230	Schottky		0603C/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		500 mV @ 200 mA		30 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
BZT52B30-HF	0.0418	RFQ	7511	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B30-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		45 na @ 21 v				30 v	75 옴
CDSV-20-G	0.0621	RFQ	8527	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323	CDSV-20	기준		SOD-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		150 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 150 v	-65 ° C ~ 150 ° C	200ma	5pf @ 0V, 1MHz
CDBD20100-HF	-	RFQ	5305	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB	CDBD20100	Schottky		D2PAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	800	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	100 v	20A (DC)	850 mv @ 10 a		500 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C
CZRL5251B-G	-	RFQ	9852	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	± 5%	-	표면 표면	DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80	CZRL5251		500MW	SOD-80 최소값	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	2,500					1.25 V @ 200 ma		100 na @ 17 v				22 v	29 옴
CDBQR54-HF	0.3900	RFQ	14	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR54	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
BAT54C-G	0.2300	RFQ	232	comchip 기술	BAT54-G	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Bat54	Schottky		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	3,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 음극 음극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 ma @ 25 v	125 ° C (°)
ACZRC5372B-G	0.3480	RFQ	5279	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	DO-214AB, SMC	ACZRC5372		5 w	DO-214AB (SMC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	3,000					1.2 v @ 1 a		500 NA @ 47.1 v				62 v	42 옴
CDBQR43-HF	0.0598	RFQ	8807	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR43	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		1 v @ 200 ma	5 ns	500 na @ 25 v	125 ° C (°)	200ma	10pf @ 1v, 1MHz
BZT52B3V6-HF	0.0418	RFQ	6011	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	BZT52		500MW	SOD-123	-		1 (무제한)		641-BZT52B3V6-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		4.5 µa @ 1 v				3.6 v	84 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²