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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
CZRW4690-G Comchip Technology CZRW4690-G -
RFQ
ECAD 2064 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 350 MW SOD-123 다운로드 641-CZRW4690-GTR 귀 99 8541.10.0050 1 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 4 v 5.6 v
CZRER52C20 Comchip Technology Czrer52c20 0.0810
RFQ
ECAD 3940 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0503 (1308 메트릭) czrer52 150 MW 0503 (1308 메트릭) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 50 옴
CSFC305-G Comchip Technology CSFC305-G 0.1961
RFQ
ECAD 8958 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CSFC305 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 3 a 50 ns 5 µa @ 600 v 150 ° C (°) 3A -
ES5JB-HF Comchip Technology ES5JB-HF 0.1783
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB ES5J 기준 SMB/DO-214AA - Rohs3 준수 1 (무제한) 641-es5jb-hftr 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
CDBW0520L-HF Comchip Technology CDBW0520L-HF 0.0900
RFQ
ECAD 2007 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 CDBW0520 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 385 mV @ 500 mA 250 µa @ 20 v 125 ° C (°) 500ma -
SB240E-G Comchip Technology SB240E-G 0.3800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 SB240 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 500 µa @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A 170pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C12 Comchip Technology CZRU52C12 0.3300
RFQ
ECAD 41 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 CZRU52C12 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 9 v 12 v 20 옴
CDBD20100-HF Comchip Technology CDBD20100-HF -
RFQ
ECAD 5305 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB CDBD20100 Schottky D2PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 800 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A (DC) 850 mv @ 10 a 500 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
CZRQR3V9B-HF Comchip Technology CZRQR3V9B-HF -
RFQ
ECAD 9176 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR3 125 MW 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
CZRUR52C2V4-HF Comchip Technology Czrur52c2v4-Hf 0.0667
RFQ
ECAD 1011 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur52c2v4 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 85 옴
CZRNC55C7V5-G Comchip Technology Czrnc55c7v5-g -
RFQ
ECAD 4232 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 500MW 1206 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.5 v @ 200 ma 100 na @ 5 v 7.5 v 7 옴
CURMT106-HF Comchip Technology CURMT106-HF -
RFQ
ECAD 7997 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOD-123H 기준 SOD-123H 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 70pf @ 4V, 1MHz
CDSUR4448 Comchip Technology CDSUR4448 0.3300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 없음 기준 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 80 v 1 v @ 100 ma 9 ns 100 na @ 80 v 125 ° C (°) 125MA 9pf @ 0.5V, 1MHz
CZRT5227B-G Comchip Technology CZRT5227B-G 0.0476
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5227 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
CDSFR4148 Comchip Technology CDSFR4148 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 1005 (2512 25) CDSFR4148 기준 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 4,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 V @ 50 ma 4 ns 2.5 µa @ 75 v 125 ° C (°) 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
CURC302-G Comchip Technology CURC302-G 0.2175
RFQ
ECAD 5211 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC CURC302 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 100 v 150 ° C (°) 3A -
CDBA5817-G Comchip Technology CDBA5817-G -
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 500 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A -
CZRFR10VB-HF Comchip Technology CZRFR10VB-HF -
RFQ
ECAD 6176 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR10 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 10 v 15 옴
CZRQC2V4B-HF Comchip Technology CZRQC2V4B-HF 0.0652
RFQ
ECAD 7999 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQC2 125 MW 0402C/SOD-923F - rohs 준수 641-CZRQC2V4B-HFTR 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 100 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
CURN104-HF Comchip Technology Curn104-HF 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 2-SMD,, 없음 Curn104 기준 1206/SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns -65 ° C ~ 175 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
CDSH6-16-HF Comchip Technology CDSH6-16-HF -
RFQ
ECAD 7584 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 CDSH6-16 기준 SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CDSH6-16-HFTR 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 75 v 200ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C
CZRUR11VB-HF Comchip Technology Czrur11VB-HF 0.0680
RFQ
ECAD 2198 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 2-SMD,, 없음 Czrur11 150 MW 0603/SOD-523F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8.4 v 11 v 18 옴
ES1D-HF Comchip Technology ES1D-HF 0.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA ES1D 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 1 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
CZRQR52C3V6-HF Comchip Technology CZRQR52C3V6-HF -
RFQ
ECAD 9091 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) CZRQR52 125 MW 0402 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 5,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 95 옴
CZRT55C30-G Comchip Technology CZRT55C30-G 0.0620
RFQ
ECAD 5719 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT55 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 21 v 30 v 80 옴
CZRT5250B-G Comchip Technology CZRT5250B-G 0.0476
RFQ
ECAD 7091 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 CZRT5250 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
CZRFR52C18-HF Comchip Technology CZRFR52C18-HF 0.0805
RFQ
ECAD 3796 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRFR52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 14 v 18 v 50 옴
ABZT52B27-HF Comchip Technology ABZT52B27-HF 0.0690
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 comchip 기술 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 ABZT52 500MW SOD-123 - rohs 준수 641-ABZT52B27-HFTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 45 NA @ 18.9 v 27 v 80 옴
CZRF52C24 Comchip Technology CZRF52C24 0.0805
RFQ
ECAD 6917 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 1005 (2512 25) CZRF52 200 MW 1005/SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 4,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 80 옴
CZRC5385B-G Comchip Technology CZRC5385B-G -
RFQ
ECAD 3986 0.00000000 comchip 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AB, SMC 5 w DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 641-CZRC5385B-GTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 1 a 500 NA @ 129 v 170 v 380 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고