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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 다이오드 다이오드 | 전압- 리버스 피크 (최대) | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | CZRQR3V6B-HF | - | ![]() | 9698 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | CZRQR3 | 125 MW | 0402 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 15 µa @ 1 v | 3.6 v | 90 옴 | |||||||||||
![]() | CZRC5347B-G | - | ![]() | 2896 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | 5 w | DO-214AB (SMC) | 다운로드 | rohs 준수 | 641-CZRC5347B-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µa @ 7.6 v | 10 v | 2 옴 | |||||||||||||
![]() | CZRU52C27-HF | 0.0621 | ![]() | 7413 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | CZRU52C27 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 20 v | 27 v | 80 옴 | |||||||||||
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![]() | CZRL55C8V2-G | - | ![]() | 5435 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 6.1% | 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | SOD-80 최소값 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CZRL55C8V2-GTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 6.2 v | 8.2 v | 7 옴 | ||||||||||||
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1N4005-G | 0.0317 | ![]() | 6605 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4005 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 짐 | 600 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 600 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | CSFB202-G | 0.1328 | ![]() | 1312 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | CSFB202 | 기준 | DO-214AA (SMB) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 920 MV @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | 2A | - | |||||||||
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![]() | CZRFR3V9B-HF | - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 1005 (2512 25) | CZRFR3 | 200 MW | 1005/SOD-323F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 10 µa @ 1 v | 3.9 v | 90 옴 | |||||||||||
SC50VB160-G | - | ![]() | 4802 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 쟁반 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 섀시 섀시 | 5., SCVB | SC50VB160 | 기준 | SCVB | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 641-1393 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.1 v @ 12.5 a | 100 µa @ 1600 v | 50 a | 3 단계 | 1.6kV | |||||||||||
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![]() | ABAS16WS-HF | 0.0382 | ![]() | 8629 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-76, SOD-323 | ABAS16 | 기준 | SOD-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ABAS16WS-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 100 v | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µa @ 75 v | 150 ° C | 200ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | ES2CWF-HF | 0.0828 | ![]() | 1830 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | ES2C | 기준 | SOD-123F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-ES2CWF-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 150 v | 1 V @ 2 a | 35 ns | 5 µa @ 150 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | Czrur52c22 | 0.0667 | ![]() | 9305 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 5% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 150 MW | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 900 mV @ 10 ma | 100 na @ 17 v | 22 v | 55 옴 | ||||||||||||
![]() | Czrnc55c6v8-g | - | ![]() | 6180 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | 500MW | 1206 | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 v @ 200 ma | 100 na @ 3 v | 6.8 v | 8 옴 | ||||||||||||||
![]() | CZRQR7V5B-HF | - | ![]() | 2713 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | 0402 (1006 메트릭) | CZRQR7 | 125 MW | 0402 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mV @ 10 ma | 500 na @ 6 v | 7.5 v | 7 옴 | |||||||||||
1N4001B-G | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | do-204al, do-41, 축 방향 | 1N4001 | 기준 | DO-41 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 짐 | 50 v | 1.1 v @ 1 a | 5 µa @ 50 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5241B-G | - | ![]() | 7319 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | - | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | Do-204Ah, do-35, 축 방향 | 500MW | DO-35 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-1n5241B-GTB | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.1 v @ 200 ma | 2 µa @ 8.4 v | 11 v | 22 옴 | ||||||||||||
![]() | CDBER42-HF | - | ![]() | 1544 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | 0503 (1308 메트릭) | CDBER42 | Schottky | 0503/SOD-723F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 1 v @ 200 ma | 5 ns | 500 na @ 25 v | 125 ° C (°) | 200ma | 10pf @ 1v, 1MHz | |||||||||
![]() | RS1K-HF | 0.0621 | ![]() | 9390 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RS1K | 기준 | DO-214AC (SMA) | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-RS1K-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 800 v | 1.3 v @ 1 a | 500 ns | 5 µa @ 800 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
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CDBUR0230L-HF | 0.0690 | ![]() | 3539 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | CDBUR0230 | Schottky | 0603/SOD-523F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-CDBUR0230L-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0070 | 4,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 500 mV @ 200 mA | 30 µa @ 10 v | 125 ° C | 200ma | - | |||||||||||
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![]() | US2DB-HF | 0.1035 | ![]() | 3386 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | DO-214AA, SMB | US2D | 기준 | SMB/DO-214AA | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 641-US2DB-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 200 v | 1 V @ 2 a | 50 ns | 5 µa @ 200 v | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 20pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | GBJ2506-G | 1.1133 | ![]() | 8013 | 0.00000000 | comchip 기술 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | 4-SIP, GBJ | GBJ2506 | 기준 | GBJ | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 15 | 1 V @ 12.5 a | 10 µa @ 600 v | 25 a | 단일 단일 | 600 v | |||||||||||
![]() | ABZT52B11-HF | 0.0690 | ![]() | 6295 | 0.00000000 | comchip 기술 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-123 | ABZT52 | 500MW | SOD-123 | - | rohs 준수 | 641-ABZT52B11-HFTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mV @ 10 ma | 90 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고