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다이오드 (4456)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
MMSZ4681-HF	0.0476	RFQ	5719	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4681		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		2 µa @ 1 v						2.4 v
US2MB-HF	0.1035	RFQ	6858	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	US2M	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-US2MB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.65 V @ 2 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
CDBQR40-HF	0.3900	RFQ	257	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	마지막으로 마지막으로			표면 표면	0402 (1005 메트릭)	CDBQR40	Schottky		0402/SOD-923F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	5,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CZRU22VB-HF	0.0680	RFQ	6972	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 3%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czru22		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 17 v						22 v	55 옴
CDBFR0330	0.0805	RFQ	2743	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)		Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		600 mv @ 200 ma	6.4 ns	5 µa @ 20 v	125 ° C (°)	350ma	50pf @ 0V, 1MHz
CDBF00340-HF	-	RFQ	5399	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	1005 (2512 25)	CDBF00340	Schottky		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		40 v		370 mV @ 1 ma		1 µa @ 40 v	125 ° C (°)	30ma	1.5pf @ 1v, 1MHz
CZRA4761-g	0.1550	RFQ	3932	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	DO-214AC, SMA	CZRA4761		1 W.	DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CZRA4761-GTR	귀 99	8541.10.0050	2,000							5 µa @ 56 v						75 v	175 옴
MBR2060CT-HF	-	RFQ	7192	comchip 기술	-	튜브	쓸모없는			구멍을 구멍을	TO-220-3		Schottky		TO-220AB	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-MBR2060CT-HF	쓸모없는		50	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	60 v	20A	800 mV @ 10 a		100 µa @ 60 v	175 ° C
UF3008-G	0.1615	RFQ	2066	comchip 기술	-	대부분	활동적인			구멍을 구멍을	DO-201AA, DO-27, 축 방향	UF3008	기준		DO-27	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,200	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.7 V @ 3 a	75 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	30pf @ 4V, 1MHz
Czrur3v6b-Hf	0.0680	RFQ	8734	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 2%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	czrur3v6		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		15 µa @ 1 v						3.6 v	90 옴
CDSFR355B	0.0667	RFQ	7298	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	1005 (2512 25)	CDSFR355	기준		1005/SOD-323F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	125 ° C (°)	100ma	3pf @ 0.5V, 1MHz
RS2BB-HF	0.0828	RFQ	9051	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	RS2B	기준		SMB/DO-214AA	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2BB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		100 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	28pf @ 4V, 1MHz
CDBER0230R	0.0575	RFQ	8878	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	0503 (1308 메트릭)	CDBER0230	Schottky		0503/SOD-723F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0070	4,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		30 v		600 mv @ 200 ma		1 µa @ 10 v	125 ° C (°)	200ma	-
CDBM220-HF	-	RFQ	8730	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는			표면 표면	SOD-123T		Schottky		SMA/SOD-123	다운로드		1 (무제한)			귀 99	8541.10.0080	2,500	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		20 v		500 mV @ 2 a		500 µa @ 20 v	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	160pf @ 4V, 1MHz
MMSZ4693-HF	0.0476	RFQ	9767	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	MMSZ4693		500MW	SOD-123	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		10 µa @ 5.7 v						7.5 v
cura104-g	0.1170	RFQ	5	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA	cura104	기준		DO-214AC (SMA)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 v @ 1 a	50 ns	5 µa @ 400 v	150 ° C (°)	1A	-
DF1506ST-G	-	RFQ	6038	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	4-SMD,, 날개	DF1506	기준		DFS	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	1,000					1.1 v @ 1.5 a		10 µa @ 600 v		1.5 a		단일 단일	600 v
CDBAT120-HF	-	RFQ	5967	comchip 기술	*	테이프 & tr (TR)	쓸모없는									다운로드		1 (무제한)		641-CDBAT120-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000
UF4003-G	0.3900	RFQ	6	comchip 기술	-	컷 컷 (CT)	쓸모없는			구멍을 구멍을	do-204al, do-41, 축 방향	UF4003	기준		DO-41	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	5,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		1 V @ 1 a	50 ns	5 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	20pf @ 4V, 1MHz
CDBFN1200-HF	0.1436	RFQ	3886	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-CDBFN1200-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		200 v		900 mV @ 1 a		10 µa @ 200 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	25pf @ 4V, 1MHz
RS2GWF-HF	0.0863	RFQ	6298	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123F	RS2G	기준		SOD-123F	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS2GWF-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.3 V @ 2 a	150 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	30pf @ 4V, 1MHz
ACGRKM4004-HF	0.4300	RFQ	7	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-123T	ACGRKM4004	기준		KM/SOD-123F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0080	2,500	짐		400 v		1.1 v @ 1 a		5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
CZRU52C36	0.0621	RFQ	3309	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 125 ° C	표면 표면	2-SMD,, 없음	CZRU52C36		150 MW	0603/SOD-523F	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.10.0050	4,000					900 mV @ 10 ma		100 na @ 27 v						36 v	90 옴
es3ec-hf	0.1783	RFQ	7957	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	es3e	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-es3ec-hftr	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		300 v		1.25 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
AMMSZ5230A-HF	0.0725	RFQ	5162	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 1.91%	-50 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123	AMMSZ5230		500MW	SOD-123	-	rohs 준수			641-AMMSZ5230A-HFTR	귀 99	8541.10.0050	3,000					900 mV @ 10 ma		5 µa @ 2 v						4.7 v	19 옴
RS3MC-HF	0.1426	RFQ	1360	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	RS3M	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-RS3MC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1000 v		1.3 v @ 3 a	500 ns	5 µa @ 1000 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	40pf @ 4V, 1MHz
ABAV99-HF	0.0661	RFQ	5386	comchip 기술	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ABAV99	기준		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-ABAV99-HFTR	귀 99	8541.10.0070	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	75 v	215MA (DC)	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µa @ 75 v	-65 ° C ~ 150 ° C
S10JC-HF	0.1961	RFQ	7432	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AB, SMC	S10J	기준		DO-214AB (SMC)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-S10JC-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	짐		600 v		1 V @ 10 a		5 µa @ 600 v	-55 ° C ~ 150 ° C	10A	100pf @ 4V, 1MHz
ES3GB-HF	0.1177	RFQ	9674	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AA, SMB	es3g	기준		SMB/DO-214AA	다운로드	rohs 준수	1 (무제한)		641-ES3GB-HFTR	귀 99	8541.10.0080	3,000	빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		400 v		1.25 V @ 3 a	35 ns	5 µa @ 400 v	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
CDSP400-HF	0.0575	RFQ	4946	comchip 기술	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SOD-723	CDSP400	기준		SOD-723	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		641-CDSP400-HFTR	귀 99	8541.10.0070	8,000	작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도		80 v		1.2 v @ 100 ma	4 ns	100 na @ 80 v	150 ° C	100ma	3pf @ 500mv, 1MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (4456)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²